【課題】 バッキングプレートからのＣｕの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なＩｎスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＣｕまたはＣｕ合金製のバッキングプレート１上にＮｉ膜２を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート１のＮｉ膜２上でＩｎ原料３を溶解し、さらに冷却して固化させることでＩｎスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。特に、Ｎｉ膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半金属元素、又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料を、より効率的に精製して高純度の材料を得ること。
【解決手段】 半金属元素又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料と、下記一般式（１）で表される化合物と、を接触させることにより材料中の不純物を除去する、材料の精製方法。
ＭＸ_Ｚ （１）
［式中、ＭはＧａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｉ，からなる群より選択される１種以上の元素であり、Ｘはハロゲン原子であり、Ｚは２〜４の整数である。］ （もっと読む）

【課題】表面品質の良好なNi基合金を得ること、そのために熱間加工性の良好なNi基合金を有利に製造する技術を確立すること、そしてそのために、合金中のMg濃度、Ca濃度、酸素濃度およびＳ濃度を精度良く制御するための精錬方法を提案することにある。
【解決手段】原料をまず電気炉等で溶解した後、MgＯ系耐火物を用いた二次精錬用容器に出鋼して除滓し、続く二次仕上げ精錬においては、酸素吹精したのち脱酸し、石灰石、螢石、アルミナ、マグネシアのうち１種または２種以上からなるスラグ成分を添加して、生成するスラグ組成を、CaＯとAl₂Ｏ₃の質量濃度比（CaＯ／Al₂Ｏ₃）を0.2〜2.0、マグネシア濃度を1〜18mass％に調整することにより、溶融合金中のMg濃度が0.005〜0.04mass％で、Ca濃度が0.0005〜0.04mass％で、酸素濃度が3〜50mass％となるようにすると共に、Ｓ濃度を0.0006mass％以下になるようにする熱間加工性に優れたNi基合金の精錬方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を得る。
【解決手段】 ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

ハフニウムの塩化物を水溶液にし、これを溶媒抽出によりジルコニウムを除去した後、中和処理により酸化ハフニウムを得、さらにこれを塩素化して塩化ハフニウムとし、これを還元してハフニウムスポンジを得、さらにハフニウムスポンジをさらに電子ビーム溶解し、ハフニウムインゴットを得る高純度ハフニウムの製造方法及びこれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜。ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜及びその製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び高純度ハフニウム薄膜を提供する。 （もっと読む）