説明

Fターム[4K001EA01]の内容

金属の製造又は精製 (22,607) | 精製 (575) | 蒸留 (30)

Fターム[4K001EA01]に分類される特許

1 - 20 / 30



【課題】目的物質(例えば希土類元素等)を含む製品(例えば希土類磁石等)等から当該目的物質を低エネルギー及び低コストで分離・回収する方法及び当該方法を実施するための分離・回収システムを提供する。
【解決手段】少なくとも一種の目的物質と、他種物質とを含有する固体状物RMから、目的物質を固体状で分離・回収する方法であって、減圧加熱炉2を用いて、減圧雰囲気下で固体状物の一の面から、加熱手段22を用い加熱し、固体状物中の目的物質を選択的に蒸発させる減圧加熱工程と、減圧加熱工程により蒸発した目的物質を、捕集板23により固体状で捕集する捕集工程とを含み、減圧加熱工程において、固体状物の加熱面の温度が、目的物質の蒸気圧が他種物質の蒸気圧よりも高くなる温度であって、目的物質は蒸発するが、他種物質は実質的に蒸発しない温度になるように加熱する。捕集物は、ハロゲン化処理部3、脱ハロゲン化処理部6を経て、回収される。 (もっと読む)


【課題】目的物質(例えば希土類元素等)を含む製品(例えば希土類磁石等)等から当該目的物質を低エネルギー及び低コストで分離・回収する方法及び当該方法を実施するための分離・回収システムを提供する。
【解決手段】少なくとも一種の目的物質と、他種物質とを含有する固体状物RMから、目的物質を分離し、回収する方法であって、低酸素雰囲気下で固体状物を当該固体状物の一の面側から、加熱手段22を用いて加熱して固液共存物とする加熱工程と、加熱工程後に固液共存物が固化してなる固化物の一の面側に析出した目的物質を回収する回収工程とを含む。析出した酸化物を物をハロゲン化処理部3にてハロゲン化し、さらに脱ハロゲン化処理部6にて脱ハロゲン化処理し、回収される。加熱工程においては、固体状物RMから蒸発した前記目的物質を、捕集板23を用いて固体状で捕集する捕集工程を有する。 (もっと読む)


【課題】希土類磁石の粉を出発原料にでき、構成成分である、希土類元素、Fe−B合金及び抽出剤のマグネシウムをそれぞれ分離、回収可能な希土類金属回収装置および方法を提供する。
【解決手段】希土類磁石から希土類金属を回収する希土類金属回収装置100および回収方法において、前記回収装置は希土類金属抽出反応容器101とマグネシウム回収容器101からなり、前記希土類金属抽出反応容器中で希土類金属を有する磁石10から、溶融した液体のマグネシウム21に前記希土類金属を抽出させ、前記希土類金属が抽出された残りの磁石と、前記希土類金属を溶解させた液体のマグネシウムとを分離し、前記分離された希土類金属を含む液体のマグネシウムから、前記マグネシウムを気化させて、前記マグネシウム回収容器へ移動させることによって、前記希土類金属と前記マグネシウムを回収する。 (もっと読む)


【課題】白金族金属を含む原料から高純度の白金族金属を効率よく回収する方法を提供する。
【解決手段】白金族金属を含有する溶液からパラジウムを溶媒抽出した後に、抽出残液にヒドラジンを添加して還元滓を生成させ、該還元滓を回収し、該還元滓に含まれる白金族金属を塩化溶出し、この溶解液に酸化剤を加えてルテニウムを蒸留させて回収し、この蒸留残液から他の白金族金属を回収することを特徴とする白金族金属の回収方法であり、例えば、金の抽出残液からパラジウムを溶媒抽出し、抽出残液をヒドラジン還元し、その還元滓の塩化溶解液からルテニウムを酸化蒸留し、その蒸留残液から白金を溶媒抽出し、その残液からルテニウムを回収する。 (もっと読む)


【課題】高品位のゲルマニウムを、高い回収率で、効率よく且つ安価に、ゲルマニウムを含有する中間物から回収する方法の提供。
【解決手段】金属回収工程における、ゲルマニウムを含有する中間物から、塩酸と過酸化水素とを併用して、ゲルマニウムを塩化物として回収するゲルマニウム塩化物回収工程を含むゲルマニウムの回収方法である。中間物が亜鉛製錬における中間産物であり、更に過酸化水素の添加量が、ゲルマニウムに対して2モル当量以上である態様が好ましい。 (もっと読む)


【課題】四酸化ルテニウムなどのような腐食性ガスの生成を伴う製造方法について、反応終点を安全かつ正確に測定することができ、作業員の経験や目視に頼らずに客観的に反応を制御することができる製造方法を提供する。
【解決手段】白金族金属を含む塩酸酸性溶液に臭素酸ナトリウムを添加して四酸化ルテニウムを酸化蒸留させる工程、該四酸化ルテニウムを塩酸に吸収させて塩化ルテニウム酸溶液を回収する方法において、塩酸による吸収工程から排出される副生ガスをアルカリ溶液に吸収させ、このアルカリ溶液の酸化還元電位の経時変化、例えば電位変化率によって酸化蒸留の反応終点を測定する塩化ルテニウム酸溶液の製造方法。 (もっと読む)


【課題】単位時間当たりの亜鉛と鉛の揮発分離を促進させ、亜鉛と鉛を多く含むダストが得られる生産性に優れたスラグフューミングの操業方法を提供する。
【解決手段】亜鉛及び/又は鉛製錬の熔錬炉から産出されるスラグを電気炉で加熱還元し、亜鉛と鉛を揮発分離するスラグフューミングにおいて、還元剤として添加する炭剤の一辺の長さ若しくは直径を3〜50mmに調製し、その炭剤をスラグ上に略均等に添加してスラグと炭剤を同時に且つ一緒に電気炉に装入すると共に、その装入口から電気炉内の熔体の湯面までの距離(落差)を30cm〜1mとする。 (もっと読む)


【課題】 太陽電池用シリコンを精製する亜鉛還元法において、還元反応に寄与できなかった未反応のままに排出される亜鉛の回収を効率的に行う回収方法を提供する。
【解決手段】 900℃〜1200℃の温度域で、亜鉛により四塩化珪素を還元してシリコンを精製するシリコンの製造方法における亜鉛による還元反応後の排ガスを冷却可能な回収槽内にて、前記排ガス中に含まれる未反応の亜鉛を凝縮させて亜鉛を回収する方法において、前記回収槽内に溜まった亜鉛の回収は、前記回収槽内に溜まった亜鉛の温度を上昇させてから亜鉛の回収がおこなわれることを特徴とする未反応亜鉛の回収方法。 (もっと読む)


【課題】最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきており、特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料若しくはインジウムに対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、インジウム及びインジウムを含有する合金のα線発生の現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるインジウムのα線量を低減させた高純度インジウムを提供する。
【解決手段】溶解・鋳造した後の試料のα線量が0.002cph/cm以下であることを特徴とするインジウム。 (もっと読む)


【課題】O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用の高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属を提供する。
【解決手段】O、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜。 (もっと読む)


【課題】比較的シンプルな工程で、鉄、亜鉛、鉛、銅、リチウムその他の有価金属、有価酸化物、あるいは、食塩や塩化カリウム等のハロゲン化合物等を効率よく高純度に回収し、同時に、ダイオキシン、PCB、塩素、臭素、水銀、鉛、カドミウム等の有害物を除去して無害化することができる、処理品からの有価物回収方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物、ハロゲン化物、有機物、合金、炭酸化合物等を含む廃棄物、粉塵、再生品その他の処理品を処理し、有害物を除去して無害化しつつ含有有価物を高純度に回収するための方法であって、含有する有価金属及び/又は有価酸化物に対応する減圧下において前記処理品を、前記含有する有価金属及び/又は有価酸化物に対応する温度で加熱して、昇華、蒸発、分解又は還元することによって蒸発物と残渣とに分離し、有害物を除去しつつ、前記含有する有価金属及び/又は有価酸化物を分離回収する。 (もっと読む)


【課題】鉛の除去効果が高く、小型の設備でも実施可能であり、設備投資費用を抑制できるような、産業的に優れた鉛の除去方法を提供することである。
【解決手段】純金属および合金からなる群より選ばれた被処理物を加熱して溶融させ、この溶融物に対して、金属ハロゲン化物とオキシ金属ハロゲン化物との少なくとも一方を接触させることによって、被処理物中の鉛を除去する。 (もっと読む)


【課題】連続処理によって、四塩化チタンを金属チタンに還元する、金属チタンの製造方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明による製造方法は、RFコイルを備えたプラズマトーチによりRF熱プラズマフレームを発生させる段階と、RF熱プラズマフレームへ四塩化チタンおよびマグネシウムを供給して四塩化チタンを金属チタンに還元させる段階と、塩化マグネシウムの沸点以上且つ金属チタンの沸点以下の雰囲気で金属チタンを集積または堆積させる段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時のパーティクルの発生が少なく、またスパッタリング膜のユニフォーミティが良好であるエルビウムスパッタリングターゲット提供する。
【解決手段】平均結晶粒径が3〜15mm、酸素含有量100ppm以下、炭素含有量150ppm以下、タングステンおよびタンタル含有量がそれぞれ100ppm以下であるエルビウムスパッタリングターゲットであって、真空鋳造した純度が3N5以上のインゴットを、1100〜1200°Cの範囲の温度で恒温鍛造し、次にこの鍛造したターゲット素材を800〜1200°Cの温度で熱処理して、ターゲットの純度が3N5以上であり、当該ターゲット組織における平均結晶粒径を1〜20mmに調整し、これを切り出してターゲットとする。 (もっと読む)


【課題】 本発明はO、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供する。
【解決手段】 O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。 (もっと読む)


【課題】 不純物金属含有量の極めて少ない高純度活性金属を工業的に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 金属a又は金属a化合物と、不純物金属b又は不純物金属b化合物とを含む原料金属をハロゲンと接触させ、金属aの飽和ハロゲン化物と不純物金属bの飽和ハロゲン化物の混合飽和ハロゲン化物に変化させる第1の工程Aと、ハロゲンとの親和力において金属aとハロゲンとの親和力と同じかまたは弱くかつ不純物金属bとハロゲンとの親和力より大きい金属c材料と、混合飽和ハロゲン化物とを接触させ、不純物金属bの飽和ハロゲン化物を不純物金属bの不飽和ハロゲン化物に変化させる第1の工程Bと、金属aの飽和ハロゲン化物と不純物金属bの不飽和ハロゲン化物の混合物から不純物金属bの不飽和ハロゲン化物を除去する第2の工程と、金属aの飽和ハロゲン化物を還元して精製金属とする第3の工程とを有する高純度金属の製造方法。 (もっと読む)


【課題】生産効率を向上させるとともに、溶融と蒸発とを安定した速度で、かつ速やかに行なうことのできる金属の溶融蒸発装置を提供すること。
【解決手段】貯留タンク4と、貯留タンク4の上部に接続された主縦筒部8と、主縦筒部8の内部に一部が挿入された金属溶融パイプ12と、金属溶融パイプ12の途中に斜めに接続された金属導入用パイプ16と、金属溶融パイプ16の下端開口部を囲繞するように配置され、前記金属溶融パイプ16の底面を構成する受け部材14と、主縦筒部8の外周面に装着され、温度調整可能な誘導加熱装置24と、貯留タンク4の肩部側壁に接続されたガス抜き用パイプ20と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より効率的に、希少金属を高純度で回収、再生することを可能とした基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】液晶パネルに対し、両基板の素子形成面に平行な方向へ相対移動させる外力を印加して、該両基板を分離させる基板分離処理工程と、分離された基板から金属を回収する金属回収処理工程と、を備え、金属回収処理工程は、透明導電性薄膜を溶解させる金属溶解溶液と、透明導電性薄膜を研磨する研磨材と、からなる混合物を両基板の素子形成面に対して吹き付ける金属薄膜除去工程S1と、研磨材によって研磨されたインジウム(透明導電性薄膜)及び溶解したインジウム(透明導電性薄膜)を含む金属溶解溶液を回収する回収物回収工程S2と、インジウムを含む金属溶解溶液からインジウムを分離する金属分離工程S3とを有する。 (もっと読む)


【課題】 白金族を含む溶液からルテニウムを酸化蒸留で除去する際に、効率的にルテニウムを除去する蒸留装置を提供すること。
【解決手段】 ルテニウムおよび白金族を含む溶液に酸化剤を加えてルテニウムを四酸化ルテニウムに変換して選択的に除去する装置において、
少なくとも1ヶ所以上の空気吹き込み口最下部の高さが反応槽の底部から5〜20mmにして、反応槽内を減圧して空気を吹き込むことで、比重が大きい四酸化ルテニウム底部に溜めずに効率的に撹拌でき、ルテニウムを容易に除去できる。 (もっと読む)


1 - 20 / 30