【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のピリジン化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【解決手段】硫酸銅、硫酸及び塩化物イオンを含み、更に、有機添加剤として、硫黄含有有機化合物及び窒素含有有機化合物を含む電気銅めっき浴であって、上記窒素含有有機化合物として、モルホリン１モルに対し、エピクロロヒドリン２モルを酸性水溶液中で反応させて反応生成物を得、更に、該反応生成物に、上記モルホリン１モルに対して１〜２モルのイミダゾールを反応させる２段階反応により得た高分子化合物を含む電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴は、有機添加剤として用いたレベラーとしての高分子化合物が、めっき温度を高温化しても変質せず、また、高温条件下でも、めっき浴に含まれる有機添加剤による促進剤効果と抑制剤効果のバランスを良好に保つことができることから、スルーホール及びビアホールのスローイングパワー、並びにめっき皮膜の物性を、めっき温度を高温化しても維持できる。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

本発明は、毒性成分、例えばシアニド又はチオ化合物不含の改良された銅−錫電解液に関する。さらに本発明は、消費財及び工業製品上の装飾用青銅層を、本発明の電解液を用いて析出させるための方法に関する。この電解液は、エピクロロヒドリン及びヘキサンメチレンテトラミンからなる添加剤を含み、かつ炭酸イオン又は炭酸水素イオンを含有する。 （もっと読む）

【課題】良好な多層膜構造体と、この多層膜構造体の効率的な製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】ＣＯ２、分散促進剤及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行う。その後、ＣＯ２は供給したままで、分散促進剤とＮｉめっき液の供給が停止され、その代わりに洗浄液が供給されて、混合分散部６０及びめっき槽６１が洗浄される。次に、ＣＯ２は供給したままで、洗浄液の供給が停止され、この代わりに分散促進剤とＡｕめっき液が供給される。これにより混合分散部６０で生成されるめっき分散体を用いて、めっき槽６１においてめっきが行われて、Ｎｉ膜の上にＡｕ膜が積層した多層膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 （もっと読む）