化学的及び電解的に加工物（１）を処理する装置及び方法は、一方の面でのブリッジ（短絡）又は他方の面でのプリント回路基盤の開路だけでなく、微細導電性構造、パッド及びランドの不規則な外形の回避を図って提案される。装置は、加工物処理用の処理タンク（２）とその運搬用のコンベア装置を有する。コンベア装置は、少なくとも１つの運搬キャリッジ（１８）、少なくとも１つの保持要素（１４、２５）及び運搬キャリッジと保持要素との間の少なくとも１つの接続手段（１２、１３、３５）を有する。処理タンクはクリーンルームゾーン（３）と隣接している。加工物は、コンベヤ装置を使用してクリーンルームゾーンを通って運ばれる。
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【課題】 作業環境を良好に維持して安全に作業することができ、電流効率を高く保持して安定かつ短時間にメッキ処理を行うことができる部分メッキ装置を提供する。
【解決手段】 部分メッキ装置１において、不溶性陽極１１は、壁部に外部と中空部を連通する多数の気孔を有する中空体構造であり、隔膜１２により密着して被包されており、さらに隔膜１２の外周に密着してメッキ液保持体１３が周設されている。これにより、メッキ処理中に陽極１１表面で発生した電解ガスは、気孔１１１から捕集され中空部１１２を通じて系外に排気されるとともに、隔膜１２により陽極酸化等が抑制され、高い電流効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＰＣ端子部におけるコネクタ嵌合部でのウイスカの発生を抑制し、かつ部品実装部に於いては半田濡れ性を十分に確保できるＦＰＣを提供すること、またＦＰＣ端子部の配線回路の好ましい電解めっき処理方法を提供することにある。
【解決手段】 ＦＰＣ端子部におけるコネクタ嵌合部の配線回路には、厚さ０．５〜２μｍの鉛フリー半田めっき層が形成され、かつＦＰＣの部品実装部の配線回路には、厚さが２μｍ以上の鉛フリー半田めっき層が形成されると共に、前記鉛フリー半田めっき層には、１４０℃以上１８０℃以下の温度で１時間以上の熱処理が施されるか、或いは鉛フリー半田めっきの融点以上の温度で０．１秒以上の熱処理が施されたＦＰＣとすることによって、解決される。 （もっと読む）

【解決手段】 環境負荷の少ないノンクロム系の表面処理鋼板を用い、耐硫化変色性、耐食性に優れた溶接缶を提供することである。
【課題】 缶内面となる側の鋼板表面に、鋼板側から順に、錫めっき層、錫−亜鉛合金層、ノンクロム系の表面処理層、有機樹脂被覆層が形成されて成る有機樹脂被覆表面処理鋼板から成る溶接缶において、
前記錫めっき層及び錫−亜鉛合金層における錫量が０．９〜１２ｇ／ｍ^２であり、フリー錫量が０．１０〜１２ｇ／ｍ^２であり、及び亜鉛量が０．０１〜０．５ｇ／ｍ^２であり前記ノンクロム系の表面処理層がシランカップリング剤を主剤とする表面処理或いは水溶性フェノール樹脂による表面処理から成る層であり、溶接部におけるオーバーラップ幅が１ｍｍ以下であることを特徴とする溶接缶。 （もっと読む）

平面加工部品（１）の電解処理用装置及び方法、特に加工部品表面において互いに電気的に絶縁の導電性構造Sを電解処理する方法に関する。方法は装置中輸送路T'、T"上で加工部品（１）を輸送かつ処理することから構成され、前記装置は二輸送路間の少なくとも一の組立体Aから構成され、前記組立体は各一輸送路と結合する接触電極を有する第一及び第二の回転可能な接触電極を含み、第一接触電極（２）は第一輸送路T'上を輸送され、かつ第二輸送路T"から隙間を置く加工部品に隣接し、第二接触電極（８）は第二輸送路T"において輸送され、かつ第一輸送路T'から隙間を置く加工部品に隣接する。組立体及び加工部品は処理液と接触する。接触電極は各々互いに絶縁であり、かつ第一及び第二輸送路（T'、T"）上を輸送される加工部品と、第一及び第二輸送路（T'、T"）の方へ各々向くが加工部品（１）とは接触しない第二セグメント（９）の間に電解領域Eが形成されるように電源（５）と接触する第一及び第二セグメント（９、１０）から構成される。
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金属細片を高速で電気スズメッキするための、該細片に面したスズ陽極を電気メッキ溶液中に陽極溶解させ、該陽極溶解したスズを、陰極として作用する細片の少なくとも一部の上に堆積させることにより、該細片をメッキする方法であって、スズを、陽極バスケット中に保持されたペレットの形態で、電気メッキ溶液に供給する、方法。
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電磁波シールド材は透明基材１１と、透明基材１１の一方の面に接着剤１３を介して設けられ開口部１０５を形成するライン部１０７を有するメッシュ状金属層２１とを備えている。メッシュ状金属層２１のライン部１０７の透明基材１１側の面に、第１黒化層２５Ａと防錆層２３Ａとが順次設けられている。メッシュ状金属層２１のライン部１０７の透明基材１１と反対側の面およびライン部１０７の側面に、第２黒化層２５Ｂが設けられている。 （もっと読む）

複数の近接して配置された導線（１０）が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体（２６）。そのような基体（２６）は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体（２６）は、錫ウィスカーが跨がることができる距離（１４）に分離された複数の導線（１６）、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層（２８）、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層（３０）を有する。別の被覆された電気伝導性基体（２６）は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体（２６）は、基体（２６）の上に堆積された障壁層（３２）を有する。続いて堆積される層には、障壁層（３２）の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（３４）、低抵抗率酸化物金属層（４０）、及び錫又は錫基合金の最外層（３６）が含まれる。障壁層（３２）は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層（４０）は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
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