説明

Fターム[4K029DC48]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | スパッタ方式 (5,546) | マイクロ波によるECR適用 (65)

Fターム[4K029DC48]に分類される特許

61 - 65 / 65


本発明は、基板上で金属M1の炭化物からナノロッドを合成する方法に関する。該発明の方法は、(a)基板上での、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶の層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)を蒸着させるステップ、(b)金属M1およびM2の酸化物ナノ結晶を対応する金属に還元するステップ、および(c)金属M1のナノ結晶を選択的に成長させるステップよりなる。本発明は、また、基板上で前記材料のナノ結晶から金属M1の炭化物のナノロッドを成長させる方法、かくして得られた基板、およびそれらの用途、例えば化学的または生物学的機能性を含むミクロシステム、特にバイオセンサー、例えばフラットテレビまたはコンピュータスクリーンなどのための電子放射源の製造における用途にも関する。 (もっと読む)


基板上の積層複合材料であって、前記積層複合材料の少なくとも1つの単一層が立方晶窒化ホウ素を含有し、かつ堆積を通じて製造されている。課題は、改善された接着強さを有するそのような積層複合材料を提案することである。前記課題は、立方晶窒化ホウ素が堆積の間に添加される酸素を含有することにより解決される。
(もっと読む)


【課題】不活性ガスとともに酸素ガスを用いたスパッタ法において、より安定した酸化の状態で酸化物の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】高周波電源121の出力の交流電圧の平均値VDCを検出するVDCモニタ122と、VDCモニタ122が検出したVDCにより反応性ガス導入部112より導入されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ123を制御する制御部124とを備え、VDCモニタ122で検出されたVDCの値が、既定値V0となるように、制御部124がマスフローコントローラ123を制御し、反応性ガス導入部112より導入される酸素ガスの流量を制御する。 (もっと読む)


本発明は、基板の真空コーティング用の設備に関し、当該設備は、真空室と、少なくとも1つの基板を保持する装置と、基板をコーティング領域に搬送する搬送装置とを備えており、真空室の少なくとも1つの第1のコーティング領域に、少なくとも1つのプラズマインパルス化学蒸着用の装置が設けてあり、真空室の少なくとも1つの第2のコーティング領域に、少なくとも1つのスパッタコーティング用の装置が設けてある。
(もっと読む)


露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写するための露光装置であって、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた前記露光装置に使用される光学素子において、 前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に第1の溶解防止部材を備えている光学素子。 (もっと読む)


61 - 65 / 65