【課題】ＥＣＲスパッタ成膜後の基板面内の膜厚均一性をターゲット使用寿命の間維持できるＥＣＲスパッタ処理装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲスパッタ処理装置のターゲット１２０を複数の短冊形状ターゲット１２１を筒形状に配置して構成する。各短冊形状ターゲット１２１は独立したターゲット電源１１１を有し、短冊形状ターゲット１２１のプラズマ生成室１０５側の端部に設けられたターゲット開口軸１１３を起点として任意の角度（０度〜２０度）に開口可能に設けられる。隣接する短冊形状ターゲット１２１間には、ターゲット１０４と同材質の三角柱ガイド１１２が配置される。これにより、ターゲット１２０が開口した際にターゲット１２０内面の筒形状内のＥＣＲプラズマ領域１０５からターゲット１２０の外部へＥＣＲプラズマが廻り込み、効率が低下することを防止するとともに、成膜後の基板１０３面内の膜厚均一性を維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来のＥＣＲスパッタリング装置においては、真空チャンバーへのマイクロ波の導入に、真空窓やスロットアンテナとそれに適合した磁石配置を用いているため大型化は困難である。また、従来のマグネトロンスパッタリング法により酸化亜鉛の透明導電膜を形成する場合、低抵抗化のためには基板加熱を行い、非形成面をターゲット面からずらした位置で成膜を行うことなどが必要であり生産性が低い。
【解決手段】従来のマグネトロンスパッタリング法と同様な磁石構成のＥＣＲスパッタリング装置において、真空チャンバーへのマイクロ波の放射を金属棒から成るアンテナによって行ことにより、大型化が容易である。特に、酸化亜鉛にアルミウムなどを添加した焼結体ターゲットを用いて、プラズマ照射効果が得られるようなターゲット−基板間距離や適当なスパッタリング条件を設置することにより低抵抗な透明導電膜を高い生産性で製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】極細管もしくはワイヤ状の長軸体の内周面あるいは外周面に、目的とする材料のスパッタリングを良好に行なうことができるようにする。
【解決手段】、真空容器１内に、重力方向に沿っていずれか一方をスパッタターゲットとし、他方を被スパッタ体とする極細管による第１の極細長軸体４と第２の極細長軸体５を同軸心上に、配置する。プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックＥＣＲプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。このとき、極細長軸体が重力方向に配置したことにより、熱膨張による伸張、スパッタリングによる細りによる極細長軸体間の軸方向位置における間隔の変動を回避する。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、光出射部に接するコート膜が酸窒化物からなる窒化物半導体発光素子である。また、共振器端面にコート膜が形成されている窒化物半導体レーザ素子を製造する方法であって、劈開により共振器端面を形成する工程と、共振器端面に酸窒化物からなるコート膜を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で、平坦性が優れて＜１１１＞方向に配向した白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（化学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのスパッタリングによる成膜の成膜速度が速い成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガスをプラズマ室２に供給し、アルミからなるターゲット５に電圧印加すると、アルゴンイオンは、ターゲット５の表面に入射し、スパッタ粒子が発生して基板６方向へと放出され、基板６の表面にアルミ薄膜を形成する。ターゲット５の電圧印加終了後、窒素ガスをプラズマ室２に供給し、基板ホルダ７に電圧印加する。そして、アルゴンイオンおよび窒素イオンは、基板６の表面に入射する。入射した窒素イオンは、アルミ薄膜を窒化し、窒化アルミ薄膜が形成される。窒素ガス供給を停止し、再びターゲット５に電圧印加し、窒化アルミ薄膜上にアルミ薄膜を形成する。このプロセスを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ原子の拡散が抑制された状態で、Ｂｉ原子の不足を抑制して所望とする組成のＳＢＴ薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、ストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）と酸素とからなるＳｒ_pＴａ₂Ｏ_q層１０２が形成された状態とし、ついで、Ｓｒ_pＴａ₂Ｏ_q層１０２の上に、Ｓｒとビスマス（Ｂｉ）とＴａと酸素とからなるＳｒ_xＢｉ_yＴａ₂Ｏ_z層１０３が形成された状態とする。この後、大気圧程度とされた酸素雰囲気において、７００℃に加熱してこの状態を１時間保持し、Ｓｒ_xＢｉ_yＴａ₂Ｏ_z層１０３のＢｉをＳｒ_pＴａ₂Ｏ_q層１０２に拡散させ基板１０１の上に、ＳｒとＢｉとＴａと酸素とからなる結晶化されたＳｒ_rＢｉ_sＴａ₂Ｏ_t膜１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット１０１は、ビスマス（Ｂｉ）が金属結合したＢｉ微粒子１０２とチタン（Ｔｉ）が金属結合したＴｉ微粒子１０３とより構成された焼結体である。ターゲット１０１は、例えば、粒径１０〜５０μｍ程度のＢｉ微粒子からなる粉体と粒径１０〜５０μｍ程度のＴｉ微粒子からなる粉体とを、ほぼ「Ｂｉ₄Ｔｉ₃」の組成となるように混合し、これらを所定の容器に充填して所定の形状に成型し、Ｂｉが溶解しない程度の温度（２７０℃以下）と適当な圧力とを加えて焼成することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリデバイスの作成が容易に行える半導体基板の上であっても、ｃ軸方向以外の特定の方向へ配向したＳＢＴ薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。次に、酸素雰囲気中において、蛍石構造のＳＢＴ薄膜１０２（基板１０１）を８００℃程度に加熱し、基板１０１の上に、＜１１５＞方向に配向したアウリビリウス（Aurivillus）構造のＳＢＴ薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】
スパッタ粒子または蒸発粒子を反応させることによる成膜対象物表面の成膜の成膜速度が速い成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】
ＥＣＲによってアルゴンガスがイオン化されて生成したプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット電圧による電界によってスパッタカソード方向に加速され、スパッタカソード５に入射すると、アルミから成るスパッタ粒子がスパッタカソード５から基板６方向へと放出される。一方、中性粒子ビーム生成室８では、プラズマから多量の負イオンが発生する。発生した負イオンは、グリッド電極１０へ向かって加速され、グリッド電極１０の細穴を通過すると負イオンの電荷が取り除かれ、中性粒子ビームとして基板６方向へ照射される。基板６方向へ放出されたアルミのスパッタ粒子は、基板６表面で窒素の中性粒子ビームと化学反応し、その反応生成物による窒化アルミ薄膜が基板６の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜時のチャージアップによる局所的な膜質変化を防止し、半導体レーザ素子の反射率のばらつきを低減させることができる半導体レーザの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも所定表面領域が酸化し難い導電性材料にて構成された保持部材１１、１４を用いて、共振器端面１７ａが露出した複数の半導体レーザ素子を有するレーザバー１７を、共振器端面と所定表面領域が同じ向きとなるように保持し、共振器端面に所定反射率のコート膜を形成するための成膜装置内に保持部材１１、１４にて保持したレーザバー１７を設置し、共振器端面にコート膜を成膜する半導体レーザ素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波電力を利用した薄膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 真空ポンプ２３によって減圧するチャンバ２１内にマイクロ波電力Ｐと酸素ガスとを供給して表面波酸素プラズマ２５を発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ２１内に加熱蒸発させるＺｎ材の蒸発源２６と、成膜形成するガラス基板２８とを備え、前記蒸発源２６から蒸発したＺｎ材を酸素プラズマ２５によって酸化させ、その化合物ＺｎＯをガラス基板２８に堆積させて薄膜形成する構成としてある。 （もっと読む）

【課題】 極細管内壁面への各種材料のコーティングを低電圧、低気圧下で行うことができるようにして、膜質に優れた被着強度の高い成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】 真空容器１内に、内壁面にコーティングがなされる極細管４を配置し、この極細管１内に、同軸的にスパッタターゲット５を配置した状態で、スパッタターゲット５側を負側とする電圧を印加し、極細管４の内壁面とスパッタターゲットとの間のギャップ内に、プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入と磁場印加により、２nd Harmonic ＥＣＲによるプラズマ生成によるスパッタリングを行って、低電圧、低気圧で膜質に優れたコーティングを行う。 （もっと読む）

複合フィルムの製造方法、および電子または光電子デバイスの製造方法であって、前記方法は、（ｉ）ポリマー基板層を形成するステップと、（ｉｉ）少なくとも１つの方向に基板層を延伸するステップと、（ｉｉｉ）基板層のポリマーのガラス転移温度より高いが、その溶融温度より低い温度で、フィルム幅１ｍ当たり約１９から約７５ｋｇの範囲の張力において寸法制限下で熱硬化するステップと、（ｉｖ）基板層のポリマーのガラス転移温度より高いが、その溶融温度より低い温度で、フィルムを熱安定化するステップと、（ｖ）平坦化被覆組成物を適用するステップであって、前記被覆基板の表面が、０．６ｎｍ未満のＲａ値および／または０．８ｎｍ未満のＲｑ値を示すようにするステップと、（ｖｉ）高エネルギー気相蒸着によって厚さ２から１０００ｎｍの無機バリア層を提供するステップと、任意で（ｖｉｉ）前記電子または光電子デバイスにおける基板として、前記ポリマー基板層、前記平坦化被覆層、および前記無機バリア層を含む複合フィルムを提供するステップとを含む方法、ならびに前記複合フィルムおよび前記電子または光電子デバイス自体。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ₃結晶の分極方向を容易に制御できるようにする。
【解決手段】まず、サファイアＡ面基板の上にアモルファス状態のＬｉＮｂＯ₃膜を成膜する（ステップＳ１）。ＬｉＮｂＯ₃膜の成膜には、電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタ法を用いることができる。次に、成膜したＬｉＮｂＯ₃膜を加熱して結晶化させ、ａ軸配向のＬｉＮｂＯ₃結晶薄膜を形成する（ステップＳ２）。この際、３２０℃以上の温度で加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ素子の製造方法に関し、特に共振器の両端面に保護膜を有する半導体レーザ素子において、保護膜の膜質によらず、ＣＯＤによる素子劣化が少なく、高出力かつ高信頼性が得られることにある。
【解決手段】 共振器端面１ａ，１ｂを所定の条件下、例えば低イオンエネルギーかつ高イオン電流密度でプラズマ処理することによって、劈開時に発生した共振器端面１ａ，１ｂ部の汚染物質や自然酸化層を除去すると共に、酸化が抑制されるように共振器端面１ａ，１ｂを改質させる。 （もっと読む）

【課題】金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー１００の前面側の共振器端面１１３に、六方晶の結晶からなる密着層１１５を積層し、密着層１１５に端面コート膜１１６を積層し、同様に背面側の共振器端面１１４にも六方晶半導体層からなる密着層１１８を積層し、密着層１１８に端面コート膜１１７を積層した構成とする。 （もっと読む）

【課題】
低温成膜が要求される基板に対して、成膜スパッタリングを可能とするＥＣＲスパッタ装置を提供する。
【解決手段】
本発明のＥＣＲスパッタ装置は、成膜前のプレスパッタリングによる基板着膜を防ぐシャッタをターゲット３と基板４間に２重に配設する。シャッタ１、２は、成膜時には開かれ、プレスパッタリング時など非成膜時には閉じられる。プラズマ側にはイオン、電子、スパッタフラックスを受けてもダメージの少ないステンレス鋼板のシャッタ１を配設し、基板４側には輻射率が低いアルミ合金製のシャッタ２を配設する。したがって、プレスパッタリング時の熱輻射を防ぎ、基板４の温度上昇を低く抑えることにより低温域でのスパッタリングを可能とした。 （もっと読む）

【課題】 膜厚の再現性向上を図ることができるＥＣＲスパッタ装置の提供。
【解決手段】 ＥＣＲスパッタ装置において、ターゲット電圧を一定とするとともに、ターゲット電流値の変化に応じて前記マイクロ波発生部のマイクロ波電力を変化させてターゲット電流値が一定となるように制御する制御部とを設ける。その結果、成膜レートが安定するとともに、反応性スパッタにおける膜質の向上を図ることができる。さらに、ターゲット電流値の積分値が予め設定された所定値に達したならば成膜を終了することにより、膜厚の再現性の向上を図ることができる。 （もっと読む）