可蒸発ソース材料を保持するための複数の垂直に積重された容器を備え、半導体製造プロセスで用いるための蒸発器配送システムである。垂直に積重された容器のそれぞれが、各積重された容器の内部へ延伸する複数の孔付き突出部を備え、それによって、近接し垂直に積重された容器間に、キャリヤガスが通過するための通路を提供する。
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本発明のコーティング装置は、プロセス・チャンバを含み、カソード・スパッタリングにより基板を被覆する。プロセス・チャンバは、ガス雰囲気を調整・維持するプロセス・ガス注入口及び排出口と、アノードと、スパッタリングされるべきターゲットを有するカソードと、アノードとカソードの間に電圧を発生させる電力源とを有し、電力源は、カソードのターゲット材料をスパッタリングして蒸気に変える電気的スパッタリング源を含む。イオン化電圧を発生させるイオン化手段が、スパッタリングされたターゲット材料の少なくとも一部をイオン化するように設けられる。磁気案内要素を有するフィルタ装置が設けられ、スパッタリングされイオン化されたターゲット材料が磁気案内要素を通って、基板表面に供給され、スパッタリングされたイオン化されていないターゲット材料が、基板の表面に到達する前にフィルタ装置によって取り除かれる。
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【課題】真空中で基質の両面を疎水性層で被覆するための装置は、従来から基質保持体と、疎水性層を形成するための物質を蒸発させるための蒸発器とを備えていた。しかし、従来の装置は、基質保持体の一側に唯１個の蒸発器を備えるだけであったため、基質の両面を被覆するために、基質を装置内で裏返しにする必要があり、そのために装置が複雑となり、また種々の問題を生じていた。
【解決手段】この発明は、従来付設されていた蒸発器とは別に第２の蒸発器を設けることとし、第２の蒸発器を基質保持体に対し従来の蒸発器の付設位置と反対側に配置する。 （もっと読む）

ｉＰＶＤのための容量性プラズマ源（２２）が強い局所的な磁界（３１）に埋設され、ｉＰＶＤの誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源とのドロップイン(drop−in)交換品とすることができる。この源（ソース）は、それの後方に、電極表面にわたって放射状に伸びる磁界を有する電極表面に一様に平行な表面磁石（３３−３５）を含んだ磁石パック（９０）を持つ環状の電極（２３）を含む。内側および外側の環状リング磁石（それぞれ３６および３２）のような磁石は、電極に最も近い極が表面磁石の隣接した極と同じ極性である状態で、電極と交差する極軸を持っている。強磁性のハックプレート（３７）またはバック磁石（３７ａ）は磁石（３２，３６）の後方の極を相互接続する。磁石パック（３０）後方の強磁性シールド（３７ｂ）はｉＰＶＤ材料源（２１）から離れる磁界（３１）を閉じ込める。
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本発明は、アルミニウム合金製の部品（５）へのイオン注入装置に関するものであって、該装置は、抽出圧力によって加速されたイオンを放出するイオン源（６）と、前記源（６）によって発信された初期イオンビーム（ｆ１’）の、注入ビーム（ｆ１）への第一の調整手段（７−１１）とを有する。前記源（６）は、部品（５）内に１２０℃を下回る温度で注入されるマルチエネルギーイオンの初期ビーム（ｆ１’）を生産する、電子サイクロトロン共鳴源である。前記調整手段（７−１１）を介して調整された注入ビーム（ｆ１）の、これらのマルチエネルギーイオンの注入は、源の抽出圧力によってコントロールされた深さに同時に実施される。
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【課題】 プラズマを閉じ込めることができ、且つ、イオン引出分布を均一にすることができるプラズマイオン源装置を提供する。
【解決手段】 プラズマイオン源装置１に備えたリング状のカスプ磁石３−１〜３−１３のうち、イオン引出方向の下流端部に位置するカスプ磁石３−１３を補整磁石とし、この補整磁石の内径を他のカスプ磁石よりも大きくすることにより、放電容器２に対して補整磁石を他のカスプ磁石よりもイオン引出方向と垂直な方向へ遠ざけるようにして、補整磁石の前記垂直方向における位置を調整し、更には補整磁石のイオン引出方向における位置も調整することにより、イオン引出面における前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分布となるように調整した構成とする。 （もっと読む）