【課題】緻密で平滑かつ損傷がない高品質な薄膜を高速に形成できるイオンビームスパッタ成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット１０５と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板１０６を保持する保持手段１１２を有する。イオンビーム照射手段は、ターゲット１０５及び基板１０６のそれぞれにガスクラスターイオンを照射する。また、成膜装置は、ターゲット１０５を保持する保持手段と、基板１０６を保持する保持手段とを有している。成膜装置は、また、ターゲット１０５をスパッタリングするためにイオンビームを照射するイオンビーム発生手段と、イオンビームをターゲット１０５に照射するための偏向手段とを有している。イオンビーム発生手段はガスクラスターイオン源１０１を有しており、これによりクラスターが照射されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることが可能な二層記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性基板１１と平行な面内に磁化容易軸を有する軟磁性層１２を堆積する軟磁性層堆積段階と、軟磁性層１２上に非磁性基板１１に垂直な磁化容易軸を有する記録磁性層１３を堆積する記録磁性層堆積段階とを含む二層記録媒体の製造方法であって、軟磁性層堆積段階が、軟磁性層１２の比透磁率がイオンアシストのない状態の１．２倍以上となるイオンアシストありのスパッタリングにより軟磁性層１２を堆積する。 （もっと読む）

【課題】化合物薄膜を高い効率で形成する。
【解決手段】真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 （もっと読む）

本発明の１つ以上の構成は、供給ガスの流量の１つのパラメータを選択的に調整することによって、イオン注入システム内のイオンビームの電流又は密度を安定化する事に関する。ガス流量の調整は、他の作動パラメータに対する調整を必ずしも必要ではなく、これにより、安定化処理を単純化する。ビーム電流が、比較的早く安定化させるためにイオン注入は、中断されず促進的に始動されかつ続けられる。これは、関連した注入コストを削減するとともに処理能力を改善する。
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【課題】ステンレスシンク表面を、撥水性、硬度を向上させることによって、長期間にわたり防汚性を維持できるステンレスシンクを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼によって製されたステンレスシンクであって、ステンレスシンク表面には、イオン注入法によりフッ素、窒素、炭素などの元素を注入することによって、ステンレス鋼に含まれる添加物元素と注入した元素とによる化合物層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ガリウム（Ga₂O₃）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラズマ発生効率を向上させるようチャネルの内壁に最適の２次電子放出効果のある２次電子増幅コーティング層が備えられたプラズマ加速装置およびそれを備えるプラズマ処理システムが提供される。
【解決手段】 プラズマ加速装置は、内壁、該内壁と所定距離隔てて内壁を取り囲む外壁と、内壁と外壁の一端部をオープンする出口を形成するよう内壁と外壁の他端部を連結する端部壁を備えるチャネルと、チャネル内にガスを供給するガス供給部と、チャネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成し、生成されたプラズマビームを出口側に加速させるプラズマ生成／加速部と、を含み、チャネルの内壁、外壁、および端部壁の少なくとも１つの内面にはカーボンナノチューブから構成された第１層を備えるコーティング層が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来、高周波プラズマを用いて、窒素プラズマとフラーレンを反応させて窒素内包フラーレンを製造していた。従来の方法では、内包フラーレンの生成に必要な窒素原子イオンの生成効率が低く、また、生成されたイオンのエネルギー制御性が悪いために、内包フラーレンの収率が極めて低いという問題があった。
【解決手段】熱陰極と直流マグネトロン放電を用いたプラズマ源により窒素プラズマを生成し、さらに、窒素イオンのエネルギーを制御して高密度のフラーレンガス中に照射し、窒素内包フラーレンを生成した。窒素原子イオン密度が高く、イオンエネルギーを最適制御して高密度フラーレンに照射しているため、高い収率で窒素内包フラーレンを製造することが可能になった。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体ＬＳＩデバイス表面の超平滑化や、それらを加工するための精密仕上げ加工仕上げに用いられる研磨用設備、特に各部品を超平滑化するための研磨用部材の耐摩耗性、耐食性、耐汚染性など性能を高品質化するために提供されたもので、研磨用部材を減圧下において、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、２種類以上の材質の異なる部材に対して、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンとケイ素を含有する炭化水素系／ケイ素系混合ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を形成した研磨用部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はシリコン、窒化ガリウム、ガリウムリン等の半導体を極薄で超平滑化するための加工キャリアを高品質化するために提供されたもので、加工キャリアを減圧下において、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なＤＬＣ膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、ＤＬＣ膜を形成した半導体加工キャリア部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 同軸磁化プラズマ生成装置において、プラズマ塊を連続的に安定して生成すること。
【解決手段】 外部導体２３と内部導体２４を同軸状に配置し、外部導体２３のリング状凸部２３１の付近にバイアス磁界発生用の円筒状の電磁コイル２７を配置してある。外部導体２３と内部導体２４には、パワークローバ回路２５（容量の小さいコンデンサＣ１と容量の大きいコンデンサＣ２からなる）を接続してある。コンデンサＣ１の充電電圧は、コンデンサＣ２の充電電圧よりも高く充電してある。ガス供給管２２からプラズマ生成ガスを供給し、パワークローバ回路２５の充電電圧を外部導体２３と内部導体２４に印加すると、リング状凸部２３１と内部導体２４の間に放電が発生してプラズマＰが生成する。プラズマＰは、ローレンツ力により加速されて開放端へ移動し、プラズマ塊ＰＭとなって放出される。パワークローバ回路２５は、コンデンサＣ１，Ｃ２を組み合わせることにより、立ち上りが急峻で減衰が緩やかな負荷電流を発生することができる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ用のプラズマ室（３）、プラズマの点火及び維持のための電気手段（８，９）、プラズマ室（３）からプラズマビーム（Ｉ）を抽出するためのイクストラクション格子（４）、並びに、イクストラクション格子（４）によって真空室（７）から分離された出口開口部を有する高周波プラズマビーム源に関する。プラズマビーム（Ｉ）は、ほぼ拡散ビーム特性で、高周波プラズマビーム源（１）から放射される。更に、本発明は、高周波プラズマビーム源のプラズマビーム（Ｉ）を用いて表面を照射するための方法に関する。その際、プラズマビーム（Ｉ）は、拡散されている。
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【課題】基材の表面に所定の光学特性を有する多重薄膜層を成膜バッチに関わらず安定して形成することが可能である、高品質な分光フィルタを歩留まり良く製造可能なイオンアシスト成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバＡ内で蒸発源と、基材と、前記蒸発源から前記真空チャンバ内への成膜材料の拡散を許容及び遮断する許容／遮断手段と、イオン源と、前記イオン源からの前記イオンビームの発射条件を調整する調整手段とを備えるイオンアシスト成膜装置１００であって、前記イオンビームの前記基材への照射強度を検出する照射強度検出手段１８ａ，１８ｂを更に備え、前記許容／遮断手段により前記真空チャンバの内部への前記成膜材料の拡散を遮断した後に前記照射強度が少なくとも所定の照射強度になるように前記調整手段により前記イオン源からの前記イオンビームの発射条件を調整する。 （もっと読む）

大気圧より低い圧力でペンタボラン（９）含有流体を収容するための、液体窒素浴（１２８）中の容器（１２６）を含む、流体保管および分配システム（１００）。ペンタボランは液体または合成源（１２４）から供給することができ、窒素は弁（１２０）から供給することができ、これらはガス調整器（Ｒ−１およびＲ−２）によって制御される。流体保管および分配システムは、種々の弁（ＡＶ−１〜ＡＶ−１６およびＭＶ−１〜ＭＶ−４）を介して半導体または液晶製造設備に連通的に接続することができる。ジボランなどの市販の水素化ホウ素化合物の代替物としてペンタボラン（９）が使用される。このシステムは、排出ポンプ（１３０）、洗浄手段（１４０）、および送出されるペンタボラン（９）濃度をサンプリングするための三方弁（１６２）を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）

【課題】素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。
【解決手段】クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 （もっと読む）

【課題】
特定のエネルギーを持ったイオンによるイオンビームを照射して膜を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】
カソード１１とアノード１２との間に真空アーク放電を発生し、炭素イオンからなるプラズマを発生させる。そして、加速電極１３により、入射スリット板２１へ向かって加速される。入射スリット２１のスリット穴から入射されたイオンビーム２５は偏向電界２６により偏向される。特定のエネルギーを持った炭素イオンから構成されるイオンビーム２５は、出射スリット２２のスリット穴に収束し、そして出射スリット２２のスリット穴を通過する。そして、成膜室４の基板ステージ４１に装着された基板４２に照射される。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームのスキャン位置によらず、ビームポテンシャルによって自律的に電子を引き出すことができるような帯電抑制装置により、イオン注入によるウエハへの正帯電を抑制できるようにする。
【解決手段】 本帯電抑制装置３０は、イオンビームを特定範囲にわたって往復スキャンさせながらウエハに照射して処理を行うに際し、ウエハへの帯電を抑制するためのものである。帯電抑制装置は、第１引出孔３３を有する第１アーク室３４と、第１引出孔と連通し、イオンビームのスキャン範囲に望ませた第２引出孔３６を有する第２アーク室３５とを備える。第１アーク室に第１アーク電圧を印加して第１アーク室にプラズマを生成し、そこから電子を引き出して第２のアーク室に導入し、第２アーク室で再びプラズマを生成してイオンビームとの間にプラズマブリッジを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置において、走査器により走査されたイオンビームの空間分布を測定するイオンビーム分布測定装置３０と、このイオンビーム分布測定装置３０の上流側前面に配置され、イオンビーム分布測定装置３０の前面から取り外し可能で、かつ、複数の開口２２を有する遮蔽板２０と、この遮蔽板２０の複数の開口２２を透過したイオンビームの空間分布を測定することにより、当該複数の領域でのイオンビームの平行度を検出する電気回路等の平行度検出機能とを有し、基板に入射するイオンビームの平行度を測定する平行度測定装置１０を備えた構成とした。
また、平行化電磁石の一方の縦ヨークに、平行化電磁石の主励磁コイルとは独立に励磁電流の調整が可能な補助コイルを取り付けると、平行度の調整が容易になる。 （もっと読む）

Ｓｉ歪み層１６をＳｉ基板１０上に形成する方法は、Ｓｉ基板１０上に第１のＳｉＧｅバッファ層１２を形成するステップを含む。それから、イオン注入法を用いて、第１のＳｉＧｅバッファ層に非晶質化インプラントを注入し、第１のＳｉＧｅバッファ層を非晶質にする。アニール処理の前に、第１のＳｉＧｅバッファ層上に、第２のＳｉＧｅバッファ層１４を成長させる。これにより、緩和ＳｉＧｅ層１２，１４を生成する。それから、Ｓｉの歪み層１６を成長させる。
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