【課題】高品質な水素化アモルファスシリコン膜の製造技術を提供する。
【解決手段】電子銃４から出射される電子ビームを蒸着源３に照射・掃引し、蒸着源３を溶融する。これにより蒸着源３であるシリコンが蒸発し、基板１０表面にシリコン膜を蒸着する。シリコン膜の堆積速度は、膜厚モニター７によって測定されており、膜厚モニター７から電子銃４への信号に基づいて、ほぼ一定の蒸着速度になるように電子銃４の出力を制御する。シリコン膜の堆積速度は、好ましくは０．０２〜１ｎｍ／ｓであり、より好ましくは、０．０５〜０．５ｎｍ／ｓである。さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム照射開始直後から、安定した成膜を可能にした、プラズマ発生装置、成膜装置、該成膜装置に用いた液晶装置の製造方法、及ぶ該液晶装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】放電室６内に所定のガスを導入すると共に放電室６の外周に設置したコイル７に高周波を通電してガスを放電させてプラズマを形成するプラズマ発生装置５である。放電室６の外側に、放電室６の内部を加熱する加熱手段Ｈを備えている。 （もっと読む）

【課題】蒸着（スパッタリング）金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。そこで、基板の周囲にターゲットを配置し、プラズマ電子銃からの電子ビームをターゲットに照射してスパッタ粒子を発生させるとき、基板表面に並行する磁力線を作っておくと、電荷を持つ金属イオンの運動との相互作用（ローレンツの力）により方向が偏向させられ、基板面に誘導されて薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】 高い耐久性能が得られつつ、基板と形成膜との密着力を充分に確保することのできる反射膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に酸化アルミニウムからなる第１のバリア層をイオンアシスト蒸着により形成する第１ステップと、該第１ステップにより形成された前記バリア層の上に金属材料からなる密着層及び反射層を順に形成する、または金属材料からなる反射層を形成する第２ステップと、該第２ステップにより形成された前記反射層の上に屈折力の異なる酸化物膜を積層してなる増反射層をイオンアシスト蒸着により形成する第３ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

中央磁極と電気的アノードとの両方として作用するアノードを備える、クローズドドリフトイオン源を提供する。前記アノードは、前記源の電気インピーダンスをさらに増大させるために、クローズドドリフト領域を生成する絶縁材料キャップを備える。前記イオン源は、宇宙スラスタへの応用のための円形の従来のイオン源、または広範囲の基板を均一に処理するための長い線状のイオン源として構成されることができる。特に有用な実施では、本発明を、マグネトロンスパッタプロセスのためのアノードとして使用する。
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【課題】高品位な表示装置を実現できる蒸着可能な材料を、蒸着用マスクを用いることなく塗り分け可能にする。
【解決手段】真空容器中にて蒸着源６２から蒸発する蒸着分子を被蒸着物３２に到達させて当該被蒸着物３２に前記蒸着分子による薄膜を形成するのにあたり、前記蒸着分子が前記被蒸着物３２に到達する前に当該蒸着分子を電荷ｅ^-に帯電させる帯電工程と、前記薄膜を形成する箇所に対応して配された電極Ｒへの前記蒸着分子の帯電極性とは異なる＋極性の電圧印加と、前記薄膜を形成しない箇所に対応して配された電極Ｇ，Ｂへの前記蒸着分子の帯電極性と同じ−極性の電圧印加との、少なくとも一方を行う印加工程と、を経る。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金の摩擦攪拌加工用の安価なツールおよびこのツールを用いてチタンまたはチタン合金を安価に接合あるいは改質するチタンまたはチタン合金からなる摩擦攪拌加工品の製造方法を提供する。
【解決手段】、ニッケル合金からなる摩擦攪拌加工用ツールの表面を、ふっ素イオン注入により表面処理してなるチタンまたはチタン合金用の摩擦攪拌加工用ツール。ふっ素イオン注入は、パルス周波数１〜２ｋＨｚ、室温にて、注入時間１５０〜４００分、好ましくは３００〜４００分の条件で行われる。この摩擦攪拌加工用ツールを用いてチタンまたはチタン合金を摩擦攪拌加工して摩擦攪拌加工品を製造する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、シール材、ドクターブレード、回転ローラー、粘着防止ロール、シート等に用いるフッ素系合成樹脂の表面を、印刷インク、塗料、液晶溶液、試薬、食品材料等となじみやすく・濡れやすくための親水化改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上の酸素およびケイ素を含有するプラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、酸素およびケイ素イオン注入による傾斜構造と脱フッ素化後の極性基反応物を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその親水化改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソード表面に膜厚が１００μｍ〜２００μｍとなるように絶縁被膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

導電構造及び該導電構造の周りの電界を変えるように当該導電構造の外部に隣接して配置される絶縁導体を備える装置を提供する。前記絶縁導体は、導体の周りに配置される、絶縁耐力が７５キロボルト（ｋＶ）／インチよりも大きな絶縁体を有する。イオン注入装置も提供する。イオン注入装置は、イオンビームを供給するように構成したイオン源と、キャビティを画成し、該キャビティ内に前記イオン源が少なくとも部分的に配置されるターミナル構造と、絶縁導体とを備えている。絶縁導体は、ターミナル構造の周りの電界を変えるようにターミナル構造の外部に隣接して配置される。絶縁導体は、該絶縁導体の導体の周りに配置される、絶縁耐力が７５キロボルト（ｋＶ）／インチよりも大きい絶縁物を有する。
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【課題】ＭｇＯ保護膜の耐久性を損うことなく、しかもこのＭｇＯ保護膜を用いたＦＰＤの放電応答特性及び発光効率を向上する。
【解決手段】ＦＰＤ用のＭｇＯ保護膜１３の表面に窪み１３ａを形成するとともに粒子１３ｂを付着させる表面処理用蒸着材１１は、ＭｇＯを主成分とし平均粒径が０．５μｍ〜１ｍｍである。この表面処理用蒸着材１１をＭｇＯ保護膜１３の表面にスプラッシュさせることにより、平均穴径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの窪み１３ａが形成され、かつ平均粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの粒子１３ｂが付着される。 （もっと読む）

【課題】より高圧の真空領域での使用を可能とし、用途の拡大が図られた、イオンガン、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】スリット状の開口部１１が形成された陰極２と、開口部１１の幅方向に磁場を発生させる磁石３と、磁場に対し略垂直方向に電界を生じさせるように陰極２の裏面から離間配置された陽極５とを備え、陰極２の表面の開口部１１からイオンビームが引き出されるイオンガン１である。磁石３は、ＳｍＣｏ合金を主成分として構成され、開口部１１は、陰極２の裏面から内部に向かって垂直に延びる隙間が略一定の垂直部と、垂直部に連続し、陰極２の表面に向かって隙間が漸次拡がる傾斜部とから構成され、垂直部の隙間が、０．７ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

本発明は、アンテナ１１、高周波源１２を利用するプラズマ発生器１３の形をしているプラズマ源に関する。発生したプラズマはチャンバー１４に流入し、イオンはグリッド１５によりチャンバー１４から加速される。部材１６は、局所的な損失を生じさせ、局所的なプラズマ密度を減少させるためにチャンバー内に位置する。
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【課題】短時間でアーク放電を生じさせることができるとともに、アーク放電移行後には陰極を保護することができる直流高密度プラズマ源を提供する。
【解決手段】中間電極１３、１４の内部には、電磁石１５、１６を配置し、陰極１１の外周側には永久磁石１７を配置する。永久磁石１７は軸方向に沿って可動な構成とする。これにより、永久磁石１７を中間電極１３に近づけて配置することによって、陰極１１と中間電極１３との間の磁場をゼロにしてプラズマを拡散させ、陰極１１を保護することが可能になる。また、永久磁石１７を中間電極１３から離して配置することにより、陰極１１と中間電極１３との間の磁場はゼロにならないため、グロー放電時の電離ガスを収束させ、短時間でアーク放電に移行させることができる。 （もっと読む）

電極組立品は、１つまたは複数の出口を有するシールドによって囲繞された電極材料のコイルと、前記シールドから出る前に前記コイルの軸Ｘ−Ｘに沿って誘導される遮蔽ガスの供給とを備える。 （もっと読む）

【課題】アーク放電装置のチャンバの内部に堆積する不要堆積物がアーク放電に影響を及ぼさないようにする。
【解決手段】アークチャンバ本体１Ａと、該アークチャンバ本体１Ａの内部に設けられ、導入される気体をアーク放電するためのフィラメント９と、アークチャンバ本体１Ａの内部にフィラメント９と対向して設けられたカソード６と、アークチャンバ本体１Ａの内部における上面、底面及び壁面のうちの少なくとも壁面上に設けられたライナベースとを備え、ライナベースの表面は平坦で且つその表面には格子状の溝部１００が少なくともフィラメントと隣接する部分に形成されている。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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