本発明は、プラズマ用のプラズマ室（３）、プラズマの点火及び維持のための電気手段（８，９）、プラズマ室（３）からプラズマビーム（Ｉ）を抽出するためのイクストラクション格子（４）、並びに、イクストラクション格子（４）によって真空室（７）から分離された出口開口部を有する高周波プラズマビーム源に関する。プラズマビーム（Ｉ）は、ほぼ拡散ビーム特性で、高周波プラズマビーム源（１）から放射される。更に、本発明は、高周波プラズマビーム源のプラズマビーム（Ｉ）を用いて表面を照射するための方法に関する。その際、プラズマビーム（Ｉ）は、拡散されている。
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【課題】 酸化物超電導層上に厚いＡｇ安定化層を有し、優れた超電導特性を有する安定化層付き酸化物超電導線材とその製造方法の提供。
【解決手段】 テープ状の基材１上に成膜法により多結晶中間薄膜２と酸化物超電導層３を形成し、次いでこの酸化物超電導層上に成膜法によりＡｇＯ層１０を成膜して被処理線材１１を作製し、次いでこの被処理線材を酸素雰囲気中において熱処理し、ＡｇＯ層をＡｇ安定化層に変換するとともに、この変換により生じる酸素を酸化物超電導層に供給する酸素アニール工程を施して酸化物超電導線材１２を製造することを特徴とする安定化層付き酸化物超電導線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、遮蔽部材５を有しており、入射角度θｘが２０°を超える蒸気は遮蔽部材５に付着し、入射角度が２０°以下の蒸気が基板１１表面に到達するように、遮蔽部材５の形状や位置と、蒸着源２０の位置が定められている。成膜材料２５にハロゲン化Ｃｓを用いた場合には、入射角度θｘが２０°以下であれば、基板１１表面に柱状結晶が成長するので、本発明によれば、基板１１と蒸着源２０との間の距離を大きくしなくても、柱状結晶の膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的広い成膜面９でも、単一の蒸発源から放射した分子により、均一性の高い膜厚を有する薄膜を形成出来るようにする。
【解決手段】 複数の案内路４ａ、４ｂ、４ｃを設け、この案内路４ａ、４ｂ、４ｃにより分子蒸気の流量と分子蒸気の方向性を制御することで基板８の成膜面９上の膜厚分布を改善するものである。これにより、基板８の成膜面９の必要な部分に必要な量の成膜材料を到達させることができるので、成膜面９を回転させたり移動ることなく成膜面９上に形成される薄膜の膜厚のバラツキを小さくし、均一な膜厚の薄膜を形成出来るようにした。さらに成膜面９の任意の箇所の膜厚を或る程度自由にコントロール出来るようにした。 （もっと読む）

【課題】 光学基板上に直接、膜厚が変化する誘電体多層膜を積層させた光波長可変フィルターを製造する。
【解決手段】 光学基板１２を保持する基板ホルダー１１１と、基板ホルダー１１１の中心を軸として回転する自転機構１０８と、基板ホルダー１１１の直下にあり、基板ホルダー１１１の中心部が全開しており、その中心から外側に向かって開口角度が狭くなる開口部を有する遮蔽部材１１２とを設けている成膜製造装置を用いる。光学基板１２を基板ホルダー１１１で保持し、自転機構１０８によって回転させた状態で、蒸着源であるルツボ１０４ａ、１０４ｂから発散して光学基板１２に到達する蒸着物質の量を遮蔽部材１１２の開口部により制限する。 （もっと読む）

【課題】水平磁束密度の制御幅が広く、被処理基板への成膜における膜厚分布を向上させること。
【解決手段】処理チャンバ１１の底面には、カソード１２が配置されている。カソード１２のターゲット載置部には、ターゲット１３が載置されている。ターゲット１３の下方には、永久磁石１４が配置されている。永久磁石１４の下側には、永久磁石１４の両磁極と接触するように第１ヨーク１５が配置されている。永久磁石１４及び第１ヨーク１５により、第１の磁気回路を構成している。処理チャンバ１１の外側には、外部磁場手段であるソレノイドコイル１６が配置されている。カソード１２内であって第１ヨークよりも下側には、第２ヨーク１７が埋設されている。ソレノイドコイル１６及び第２ヨーク１７により、第２の磁気回路を構成している。 （もっと読む）

【課題】 安定した成膜プロセスを実現することによって、高い効率で薄膜を形成することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】 基体保持手段（１３）と、基体保持手段（１３）に対向して設けられて原料蒸発物を発生させる蒸着源（２０）と、を備える蒸着装置１である。
蒸着源（２０）に対峙した基体保持手段（１３）の最大幅（ｄ）に対して、蒸着源（２０）のと基体保持手段（１３）の距離（ｈ）の比率が１未満である。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）