【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】不純物を確実に取り除くことが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】内部が真空排気可能とされ、内部に被処理基板１１が配置されるチャンバ本体１２と、蒸着材料を収容する容器２１，２６と、該蒸着材料を加熱する加熱手段３０と、チャンバ本体１２に隣接配置され、内部が真空排気可能及び大気開放可能とされ、内部に容器２１，２６が配置される蒸着源用チャンバ４１，４２と、開閉した際にチャンバ本体１２の内部と蒸着源用チャンバ４１，４２の内部とを連通もしくは遮断可能とする開閉部材４３，４４と、チャンバ本体１２に接続された第１排気手段５０と、蒸着源用チャンバ４１，４２に接続された第２排気手段５５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法等により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】スパッタ法により、基板上にＰｂを含むペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜を成膜する際、成膜温度Ｔｓ（℃）と、基板の表面電位Ｖsub（Ｖ）とが、それぞれ下記式（１）及び（２）を満たす成膜条件下で成膜する。
４００≦Ｔｓ（℃）≦５５０・・・（１）
−１０≦Ｖsub（Ｖ）＜１００・・・（２） （もっと読む）

【課題】洗浄乾燥後にマスクにシミ等の痕跡が残らず、しかもマスクの変形・歪みが生じ難く、錆が生じ難いメタルマスクの浄化方法を提供する。
【解決手段】メタルマスクに付着した付着物質を溶解可能な溶剤でメタルマスクを洗浄する付着物質溶解除去工程と、付着物質が除去されたメタルマスクを純水で洗浄する純水洗浄工程と、純水洗浄工程の後に行われる真空乾燥工程とを備える。メタルマスクに付着した付着物質が有機物質であり、付着物質溶解除去工程で使用される有機溶媒が水と混合し難い場合、付着物質溶解除去工程と純水洗浄工程との間に、メタルマスクを水と混合し易い有機溶媒に浸漬するリンス工程を備えている。メタルマスクはインバーで形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ低コスト化した固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池は、第１の多孔質電極及び第２の多孔質電極を含み、前記多孔質電極は、電子伝導性の多孔質非貴金属からなる層を有する。前記多孔質非貴金属層は、ガス拡散層である。前記多孔質電極は、前記非貴金属層上に堆積された少なくとも１つの触媒金属原子層を更に含み、前記第１の多孔質電極と前記第２の多孔質電極との間に電解質層が配置されている。前記電解質層は、第１の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層と、前記第１のドープ酸化膜層上に堆積された第２の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層とを含む。前記電子伝導性の多孔質非金属層上の前記触媒金属層は、酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ燃料電池の材料コストを低減した。 （もっと読む）

【課題】 非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】複数の構造異性体が存在する昇華性の有機電子材料から蒸着膜を形成する場合に、蒸着速度が安定した状態で蒸着を行うことが可能で、坩堝に有機電子材料を追加した場合に蒸着レートの調整を従来に比較して短時間で行うことを可能にする。
【解決手段】複数の構造異性体であるｍｅｒ体及びｆａｃ体のうち、高温で他の構造異性体（ｆａｃ体）より不安定な構造異性体（ｍｅｒ体）を高温で安定な他の構造異性体（ｆａｃ体）に転化させる安定化処理を行った有機電子材料（Ａｌｑ３）を用いて蒸着膜を形成する。安定化処理は、複数の構造異性体が存在する有機電子材料を不活性雰囲気（例えば、アルゴンガス雰囲気）で加熱することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】洗浄後にパーティクルが発生する虞がなく、低コストの構成部材の洗浄方法を提供する。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材の表面から付着物を除去するための洗浄装置であって、
前記構成部材に対して加圧水を噴射する噴射部３，４を備える （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ装置による成膜においては、ターゲットに付着したスパッタ粒子が成長して塊となり、ターゲットから剥離し、パーティクルとして基板上に落下する場合がある。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１０１は、ターゲット１０７と、基板ホルダ１０３と、磁界形成器１１１ｂと、駆動装置１３０ｂとを具備する。基板ホルダ１０３は、ターゲット１０７の表側に配置され、ターゲット１０７と対向する。磁界形成器１１１ｂは、ターゲット１０７の裏側に配置される。駆動装置１３０ｂは、磁界形成器１１１ｂを、ターゲット１０７から遠い第１位置とターゲットに近い第２位置との間で移動する。磁界形成器１１１ｂは、成膜時には第１位置に配置され、ターゲットのクリーニング時には第２位置に配置されて塊を取り除くための磁界を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着前の蒸着材料の減少を効果的に防ぐとともに、高品質の機能素子を製造することができる蒸着装置等を提供する。
【解決手段】蒸着装置であって、真空槽１１と、該真空槽内で被蒸着物２２を支持する手段２０と、前記被蒸着物に蒸着させる蒸着材料を収容する容器１２ａ，１２ｂと、前記真空槽内に周波数２．４〜２．５ＧＨｚのマイクロ波を照射して水分を蒸発させるマイクロ波照射手段１５，１６，１７と、前記容器に収容された蒸着材料を気化させる加熱手段１３とを具備することを特徴とする蒸着装置１０。 （もっと読む）

【課題】透過率調整が簡便で薬品耐性に優れ、しかも低欠陥の高品質な位相シフト膜を備えたフォトマスクブランクを提供すること。
【解決手段】複数のターゲットを用いて透明基板上に位相シフト膜をスパッタリング成膜するに先立ち、これら複数のターゲットの表面を、ターゲットと実質的に反応しないガス（例えばアルゴン）を用いてスパッタ処理することとした。このスパッタ処理により、他のターゲットからスパッタリングされた粒子がターゲット上に飛来して形成された堆積物が除去され、位相シフト膜のスパッタリング成膜時の異常放電が抑制される。その結果、位相シフト膜の透過率調整が簡便で、得られた膜が薬品耐性に優れ、しかも低欠陥の高品質な位相シフト膜を備えたフォトマスクブランクを提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる光または放射線検出器の製造方法および光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体を形成する際に、ダミー基板Ｄに所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板Ｄから支持基板であるグラファイト基板Ｇに交換して、そのグラファイト基板Ｇに半導体を蒸着によって引き続き形成する。ダミー基板Ｇに所定厚みの半導体を蒸着によって形成する際は初期状態なので、本来であれば形成される不良膜がダミー基板Ｄに形成される。その後に、交換されたグラファイト基板Ｇには初期状態でない半導体が形成されるので、従来よりも高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる。また、このようにして製造された半導体は、少なくとも厚み方向に連続的に形成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】ポリプロピレンフィルムと無機酸化物からなる蒸着層との密着性を強化し、包装体を形成してもデラミネーションが発生しない蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】ポリプロピレンフィルム１の少なくとも一方の表面に、厚さ５〜３００ｎｍの無機酸化物からなる蒸着層２を設けてなる蒸着フィルムであって、フィルム１の、少なくとも蒸着層２を設ける面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を利用したプラズマ前処理を施し、前記プラズマ前処理を行ったポリプロピレンフィルムの表面のＸ線光電子分光測定（測定条件：Ｘ線源ＭｇＫα、出力１００Ｗ）を行った時に、Ｃ１ｓ波形分離から求めたＣ−Ｃ結合の半値幅が１．２〜１．７ｅＶの範囲にある蒸着フィルム。 （もっと読む）

【課題】長期に亘って水分アタックを受けたとしても、当初有していた高い防湿バリア性を維持し続けるようにした高防湿性バリアフィルムを提供する。
【解決手段】プラスチック基材の少なくとも一方の面に、無機酸化物からなる蒸着薄膜層とガスバリア性被膜層がこの相対的順序で少なくとも設けられているバリアフィルムであって、プラスチック基材の無機酸化物からなる蒸着薄膜層が設けられている側の上層部分は、表層から内部に向かってＯ／Ｃ原子比が０．２から０．５へと漸次変化している層状の傾斜カーボン改質部となっていると共に、ガスバリア性被膜層はＳｉ（ＯＲ¹）₄およびＲ²Ｓｉ（ＯＲ³）₃（ＯＲ¹、ＯＲ³は加水分解性基であり、Ｒ²は有機官能基である。）で表されるケイ素化合物あるいはその加水分解物と、水酸基を有する水溶性高分子を主剤とする混合溶液からなる薄膜の加熱乾燥被膜である高防湿性バリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】マスクの温度上昇の抑制が図れる有機ＥＬ素子のマスククリーニング技術を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子の有機層の形成に用いられるマスクをクリーニングする有機ＥＬ素子用マスククリーニング装置であって、マスクを収容するチャンバと、チャンバ内に設けられ、マスクに向けてエッチング用ガスを吐出するガス吐出部と、チャンバ内に設けられ、マスクから離隔して配置されるとともに当該マスクと対向する金属製の冷却部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子基板の温度上昇によって有機ＥＬ素子の性能劣化が生じることなく、高い成膜速度で素子基板上に金属酸化物吸湿膜を形成できる吸湿膜形成方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２、６間に少なくとも発光層４を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を備えた素子基板１０上に、Ｏ₂ガス導入下でのリアクティブスパッタ法により、アルカリ土類金属ターゲット１３を用いてアルカリ土類金属酸化物の吸湿膜１８を形成する方法であって、ターゲット１３をスパッタ装置に設置後リアクテリブスパッタ法による成膜前に、高周波スパッタ法でターゲット表面の絶縁性被膜の除去処理を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクの再生を容易かつ確実に行い得るマスクの再生方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のマスクの再生方法は、シリコンおよび／またはガラスで構成され、導電性を有する無機物質を成膜する際に使用されるマスクを、使用後に再生する方法であり、マスクに、硝酸およびリン酸のうちの少なくとも一方を含む第１の処理液を接触させて、マスクに付着した無機物質を除去する第１の工程と、マスクに、アンモニアおよび過酸化水素を含有する第２の処理液を接触させて、マスクに付着・残存する不要物を除去する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
真空蒸着において基板表面に良質で安定した膜質を成膜できる真空成膜方法、及び真空成膜装置を提供する。
【解決手段】
蒸着材料を真空中で脱ガス処理し、大気開放することなく成膜室へ供給し、前記蒸着材料の薄膜を基板へ成膜することを特徴とし、上記脱ガス処理が抵抗加熱装置、ヒーター、赤外線ランプ、高周波誘導加熱装置、電子銃による電子線照射装置、プラズマ発生装置のいずれかであり、上記蒸着材料の脱ガス処理を、窒素ガス、アルゴンガスもしくは水素ガスのいずれか１つの雰囲気中で行い、上記脱ガス処理後の蒸着材料の含水率が１．０％以下であることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一つの同じ蒸着装置による蒸着工程において、少なくとも５個の貯蔵燐光体プレートの一組を連続的に製造する。
【解決手段】それぞれの蒸着を開始する前に、耐火材料表面がそのるつぼユニットにおいてマトリックス成分及び活性化剤成分、燐光体プリカーサ成分又はマトリックス、活性化剤及びプリカーサ成分の組み合わせの液化原材料との接触にもたらされる。前記組の貯蔵燐光体プレート内の一つのプレートから別のプレートまでのスピードの偏差を１５％未満にする。前記組の前記プレートの各々の製造における蒸着開始前に、前記るつぼユニットに、粉末、結晶質粒子、非晶質粒子、球体、バー、スティック、インゴット及び巻体又はそれらの組み合わせからなる群から選択される耐火粒子を加えて、耐火表面を回復する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置よる連続生産とメンテナンスとを繰返す装置の稼動において、異常放電発生の推移と不良基板発生の相関を一度把握し、その後の繰返し装置稼動において異常放電発生推移を監視し、不良基板の発生を抑制する品質管理を一括で行えるようにしたプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理方法は、電源装置に設けた異常放電検出手段を用いてプラズマに伴う２μｓ以上の持続時間の異常放電を検出し、検出した異常放電の単位時間当たりの発生回数或いは累積発生回数を計数し、計数した異常放電の単位時間当たりの発生回数或いは累積発生回数を予め設定した値と比較し、比較結果に基きプロセス条件を制御することを特徴としている。 （もっと読む）