本発明は、ネック（１４）が設けられた容器（１２）を処理するための機械であって、この機械は、ニップル（２２）が設けられた少なくとも１つの処理ステーション（１１）を有し、この処理ステーションは、容器を捉えるための把持手段（２６）を有し、この把持手段は、各々が、内側の把持位置と外側の開放位置との間で径方向に可動なボール（５４）を受容することを目的としている、一連の径方向のドリル孔（５２）が設けられている管状の支持カフ（５０）を有している、機械において、把持手段は、管状の制御カフ（５６）を有し、この制御カフは、ボールにこれらボールの把持位置へと圧力をかけるためにこれらボールと協働するロックされた位置と、ロック解除された位置との間を、摺動可能に取り付けられており、また、ニップルは、制御カフを摺動させることができる制御された駆動手段（６２）を有することを特徴とする機械に関する。
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【課題】 基板表面に形成する結晶を良好に安定して形成でき、特性の優れた半導体レーザ素子を高い生産効率で得ることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー（３７）内に、基板（２２）を支持する基板支持手段（２１）及び基板を加熱する第１の加熱手段（２３）を備え、さらに、高周波加熱をする第２の加熱手段（２８）と、これを収容するためにチャンバーの側壁の外側に連接して設けた収容室（３０）と、第２の加熱手段を、チャンバーの内部と収容室（３０）との間で移動させる移動手段（３５Ａ）とを備え、収容室内部の圧力をチャンバーとは独立して制御可能なように構成した。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨ原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。 （もっと読む）

半導体基板処理チャンバにおいて、プロセス領域と排気ポートとの間のガスの流れを制御するための装置が提供される。本装置は半導体基板処理チャンバ内に支持され、半導体支持ペデスタルを少なくとも部分的に取り囲む、少なくとも一つの抑止プレートを含む。この抑止プレートはプロセス領域と排気ポートとの間を流れる少なくとも一つのガスの流れを制御する。

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本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第１電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第１電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第１電気導電層上に第１電気絶縁層が形成され、この第１電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第１距離だけ伸びるＭＥＭＳの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第１電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。
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