【課題】残留電荷により被処理基板が静電チャックから剥がせなくなるような事態が生じることを未然に防止することができ、従来に比べて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】直流電源１３からの直流電圧の印加を停止して静電チャック１０から半導体ウエハＷを持ち上げる際に、半導体ウエハＷを吸着する残留電荷の状態を検出し、静電チャック１０の交換時期を検出する交換時期検出手段６４を具備している。 （もっと読む）

【課題】反応室内の状態変化又は異常の発生箇所を判別し、更に状態変化又は異常の発生が予測される箇所とその種類を予測することのできるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】反応室と、静電吸着用電極を備えた試料台と、ガス放出板と、高周波電源と、バイアス用高周波電源と、静電吸着用電源と、を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ（Ｉｐ）、プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生成側インピーダンスモニタ（Ｚｐ）、バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側インピーダンスモニタ（Ｚｂ）、のうちの何れか一つを備え、そのモニタ値より、前記インナ部品の異常放電、静電吸着用電極の絶縁被膜の絶縁劣化、前記ガス放出板の異常放電、のうちの何れか一つの発生の有無を判定する制御装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、耐久性の高いウェハ裏面のパーティクル及び傷を低減するプラズマ処理方法、及び、この方法を適用したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理するウェハ１６を静電チャック１８上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにＲＦパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ１６を加熱し、ウェハ１６の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック１８にウェハ１６を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を確実に保持でき、且つ、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の両面を全面に亘って均一に平坦化できる基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、円板状の基板１２の外周部１４を係止するための凹部１６が先端１８に形成され、該先端１８が基板１２の中心の方向に突出して基板１２を外周部１４における複数の位置において支持するように設置される複数の係止器２０を有してなり、係止器２０は、基板１２の厚さ方向の幅が先端１８の方向に該先端１８まで単調に小さくなるように厚さ方向の両側の側面２２が基板１２の表面に対して少なくとも先端１８の近傍において基板１２の中心を臨む方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 基板が下向きに凸状に反ることによる局所加熱を防止すること。
【解決手段】 本発明は、基板２をサセプタ１の上面に設置して加熱しながらこの基板２上に化合物半導体膜４を堆積させる化合物導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部３を設け、この凹部３は、前記基板２の下方へ凸の反りに対応して基板２の中心が前記サセプタ３に常に非接触で、基板２の外周部が前記サセプタ１に常に接触する深さと広さを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生の性能を高く維持しつつ、電源設備に要する価格を低減すること。
【解決手段】真空チャンバ２内に一対の電極１０，１２が対向配置され両電極１０，１２間にプラズマ発生用電圧が印加されて両電極１０，１２の対向空間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、両電極１０，１２が軸方向に所定長さに延び、かつ、両電極１０，１２の電極面１０ａ，１２ａで囲む空間（プラズマ閉じ込め空間）１６の形状が軸方向柱状になっており、両電極１０，１２間に印加するプラズマ発生用電圧電源が低周波の交流電源２０である。 （もっと読む）

【課題】金型を精度よく、容易に再生することができ、かつ、優れた耐久性・耐摩耗性を得ることができるハニカム構造体成形用金型の再生方法及び再生金型を提供すること。
【解決手段】材料を供給するための供給穴１２と、供給穴１２に連通して格子状に設けられ、材料をハニカム形状に成形するためのスリット溝１３とを有し、使用により摩耗した部分を有するハニカム構造体成形用金型１の再生方法は、スリット溝１３を形成した金型本体１１の押出方向の先端面である溝形成表面１３０と、溝形成表面１３０とスリット溝１３の内側面１３１とが交わって形成される角部１４の摩耗部分１９との上に、溝形成表面１３０側から成膜材料を供給して、ＰＶＤ処理を行うことによって再生膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置におけるキズ・ダストの発生を抑え、歩留りを向上させることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハを熱処理装置に搬入する工程と、前記ウェーハを、前記熱処理装置内に、非接触で保持しながら昇温する工程と、前記ウェーハを熱処理する工程と、前記ウェーハを、前記熱処理装置内で、非接触で保持しながら降温する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電磁波の漏洩が抑制できるようにする。
【解決手段】ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、基板台１０２からフランジ１１１にかけて架け渡され、加えて、フランジ１１１を貫通して真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。フランジ１１１は、例えばステンレス鋼から構成され、容器下部１０１ａの所定箇所に設けられた開口部を気密に塞ぐように固定されている。また、ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、溶接部１１０においてフランジ１１１の貫通部に溶接され、機密封止された状態でフランジ１１１に固定されている。 （もっと読む）

【課題】作業性を向上させることができ、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給されるＣＶＣチャンバ内には、ウエハを搭載する電極板が配置されている。ウエハの少なくとも一部の周囲には、電極板のウエハ側の表面に係止するウエハガイド治具１０１が配置されている。ウエハガイド治具１０１は平面視で略直線形状の部分を有する。 （もっと読む）

ナノ構造体、例えばナノワイヤのドーピング方法を開示する。該方法は、現行のナノ構造体のドーピング方法を改良する様々な手法を提供する。実施形態としては、ナノ構造体合成後のドーピング中における、ナノ構造体内の均一なドーパントの分布を促進するための犠牲層の使用が挙げられる。別の実施形態では、高エネルギーイオン注入が使用される場合に、ナノ構造体の損傷をアニーリングするために高温環境が使用される。別の実施形態では、ナノ構造体上のドーパント層からドーパントをナノ構造体に送り込むために、高速熱アニーリングが使用される。別の実施形態では、ナノワイヤをプラスチック基板上にドーピングする方法が提供され、該方法は、プラスチック基板をドーピング処理の間の損傷から保護するために、プラスチック基板上に誘電体スタックを蒸着する工程を含む。
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【課題】ウエハの上面外周部及び側面部への膜形成を防止し、さらに均一な膜厚及び均一な特性を有する膜を形成するプラズマCVD成膜装置及び方法を与える。
【解決手段】直径Dw及び厚さTwを有するウエハ上に薄膜を形成するためのプラズマCVD装置１は、真空チャンバ６と、シャワープレート２１と、ウエハ４の外周上面を覆うためのマスク上部と、ウエハ４の側面部を覆うためのマスク側部を有するマスク２２を含む。マスク側部はDw+αの内径を有し、マスク上部はマスク上部の底面とトッププレート３のウエハ支持面との間にTw+βのクリアランスで配置され、ここでαはゼロ以上であり、βはゼロ以上である。 （もっと読む）

【課題】 基材の温度制御が容易にでき、かつ基材の変形を小さく抑えて基材を保持することで堆積膜の性能や品質の高い堆積膜製品を得ることができる膜堆積装置及び膜堆積方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバと、真空チャンバ内に基材を保持する基材ホルダと蒸発源とを備え、基材の表面に膜を堆積する膜堆積装置において、基材ホルダは、基材の裏面と接して基材を所定の温度にする熱源からの熱を伝達する蒸発源と対向する面と、基材に対し基材の厚み方向と直交する方向に張力を付与する張力付与保持手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハをウェハキャリア上にセットする際、両者間の傾きを検出し、ウェハの傾きによるウェハ面内の結晶組成や厚みの異常分布の発生を防止することができる化合物半導体結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 リアクタ１または前室内に設けられたウェハキャリア２上にウェハ３をセットし、有機金属化合物の熱分解反応を利用して上記ウェハ３の結晶を成長させる有機金属気相成長装置において、上記リアクタ１または前室の外方から上記ウェハ３に指向性を有する光を照射する光源４と、上記ウェハ表面で反射された光５をレンズ６と反射手段７とを介して投影させる位置検出手段８とを備え、上記位置検出手段８に投影された光の位置にもとづいて上記ウェハキャリア２とウェハ３との傾きを確認するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】リフトピン機構１０における電圧降下を抑制して、処理ムラの低減を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｓは、被処理基板４を吸着面６で吸着保持する電極ステージ２と、ピン１２が吸着面６から突出することによって被処理基板４を吸着面６から離脱させるリフトピン機構１０と、電極ステージ２との間で放電可能な対向電極３とを備え、大気圧の雰囲気で電極ステージ２及び対向電極３の間にプラズマを生じさせる。そして、リフトピン機構１０は、ピン１２が電極ステージ２に没入した状態でピン１２と吸着面６に吸着された被処理基板４との間に形成される空隙部１３と、被処理基板４のプラズマ処理時に空隙部１３における電圧降下を抑制する電圧降下抑制手段２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 均一な薄膜形成が可能な、気相成長装置を実現する。
【解決手段】 本発明のフェースダウン型ＭＯＣＶＤ装置は、基板保持部材８が装着可能であるとともに、その基板保持部材８を回転可能なギア付き回転台９を備えている。そして、ギア付き回転台９は、基板保持部材８が挿入される筒状の鍔部２７と、その鍔部２７を保持する基礎部２６とを有しており、鍔部２７が、反応管５に設けられた開口部６を越えて、反応管５の内部まで延びているとともに、基礎部２６から着脱可能となっている。これにより、基板保持部材８の交換による原料ガス流の乱れを防ぎ、均一な薄膜形成を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ押え蓋を半導体ウエハ上に載せるときに、ウエハ押え蓋の先端部が半導体ウエハ上を擦り、この部分に傷が発生しやすい。
【解決手段】リング状のフランジ部４およびこのフランジ部４の内側に形成された半導体ウエハ載置用の段部５を有するウエハホルダ２と、このウエハホルダ２に載置された半導体ウエハＷを押さえるウエハ押え蓋３とを備えたウエハ保持治具であって、 前記フランジ部４の内側面には、半導体ウエハＷの外周面の一部をガイドするガイド部４aを有し、前記フランジ部４には、前記ガイド部４a付近においてその厚みを他の部分より厚くした肉厚部９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。
【解決手段】コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物の膜が形成された基体上の金属化合物を昇華させ、当該昇華気体を金属膜を形成するための基体に供給して分解し、それにより基体の表面に金属膜を形成する方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの支持体（２）上に配置された、少なくとも１つのパネル（１）の表面を処理する方法に関し、ガス、液体または微粉固体材料を吹き付けることにあり、この場合、上記支持体はパネル端部を超えて突き出し、吹付け材料の障壁として作用する。本発明によれば、吹付け材料は、パネルに平行で、パネルの全端部の近傍で外側の方向に付勢される。このようにして、エッジ効果は打ち消され、この処理によって、パネル中心における効果と同一効果を端部に沿って生成する。この処理はさらに、例えば、ＳｎＯ_２：ＦなどのＣＶＤ蒸着の形態を取ることもできる。このパネルは、プラズマ、ＬＣＤおよびＴＦＴスクリーン、オーブンドア、フラットランプ、光電池を生成するのに使用できる。
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