【課題】ガスの流速を抑えるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、スロットアンテナ３０を介してマイクロ波を透過する複数の誘電体パーツ３１０から構成された誘電体窓と、梁２６の下面に固定された複数のガスノズル２７と、所定のガスを供給するガス供給部と、誘電体窓を透過したマイクロ波により所定のガスをプラズマ化して被処理体を処理する処理室Ｕとを備えている。各誘電体パーツ３１は、第１の気孔率を有する第１のポーラス材３１Ｐｈと第１のポーラス材３１Ｐｈに連結し、第１の気孔率より低い第２の気孔率を有する第２のポーラス材３１Ｐｌと、を含んで構成される。ガス供給部は、第１のポーラス材３１Ｐｈを介して第２のポーラス材３１Ｐｌからアルゴンガスを処理室内Ｕに導入し、ガスノズル２７からシランガスを処理室内Ｕに導入する。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、全体的に半導体処理チャンバ内の基板に比較的均一な温度分布をもたらし、或いはプレス形成ガラスレンズ用の金属金型又はセラミック成形型を加熱するための加熱装置に関する。
【解決手段】 基板の表面温度を調整／制御するための加熱装置が提供される。少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）層は、ヒータ内に埋め込まれ、加熱装置内の種々の構成要素の温度差を拡散し、基板上の最高温度点と最低温度点との間の差が１０℃よりも小さい、比較的均一な基板温度に対して基板の表面温度の時間的及び空間的制御を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダ組立て装置を提供する。
【解決手段】 基板をベースプレートに取り付けおよび取り外す装置、特に、調節可能なスナップ・リング・ホルダを含む、コーティング機構における使用のために基板をラッチし、および基板をベースプレートから取り外す自動化された形体を含む基板ホルダ組立て装置である。 （もっと読む）

【課題】圧力が１００Ｐａから０．５Ｐａの真空領域で、プラスチック容器に、障害なく成膜することができるようにすること。
【解決手段】１つの筐体からなるサブチャンバーに複数のメインチャンバーが整列し、各メインチャンバー内部上部に開口を有するプラスチック容器を倒立して収納し、該プラスチック容器に全数同時にプラズマＣＶＤ法で薄膜を形成する装置であって、
各メインチャンバー内部でプラスチック容器下部を保持し、該容器を倒立して収納する容器保持手段を有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】表面処理すべき被処理物の設置部の内側部に、処理ムラを惹き起こす昇降ピンを設ける必要をなくす。
【解決手段】被処理物を設置するための設置部２０の対向する一対の側部に外端支持手段５０を設ける。昇降機構５４によって、外端支持手段５０を設置部２０の設置面より突出した上位置と設置面より引っ込んだ下位置の間で昇降可能にする。上位置の外端支持手段５０により被処理物Ｗの外端部が支持されるようにする。設置部２０には、複数の小孔２４を分散して形成する。この小孔２４に流路構造６０を接続し、小孔２４から加圧流体を噴出させ、被処理物Ｗの内側部を非接触支持する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法による炭素膜の形成における成膜速度の向上を可能とする炭素膜形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、原料３０としてアダマンタン化合物が含まれるガスを直流放電によりプラズマ化して基材２０上に炭素膜を形成する。また原料ガスがハロゲン化合物のヨウ素をさらに含むことにより、炭素膜形成装置１の部品が腐食されることを低減できるとともに、成膜速度をさらに高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】剥離耐性等に優れた保護膜を有する耐磨耗性部材を提供する。
【解決手段】支持体上の平坦面に被膜形成部材を保持して該部材の非保持面に保護膜を形成するプラズマCVD法において、前記平坦面による前記被膜形成部材の保持を、前記平坦面表面に形成された粘着層を用いて行うこととする。 （もっと読む）

【課題】ダイモンド粒子の成長を抑制して滑らかなＤＬＣ膜を容易に形成でき、更には、バンドギャップの制御も可能なＤＬＣ膜の形成方法及びＤＬＣ膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】基板ホルダー１１によって基板９を冷却して、基板温度が過度に上昇しないようにするとともに、ＤＣパルス放電によるプラズマ化学気相成長法において、原料ガスとして、水素ガスとハイドロカーボン系ガス（ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₄Ｈ₆、Ｃ₄Ｈ₈、Ｃ₅Ｈ₈）を用い、混合比をハイドロカーボン系ガスを１％から５０％に調整する。これにより、ＤＬＣ膜中のダイアモンド粒子の成長を抑制でき、バンドギャップを３．９ｅｖから０．５ｅＶまで制御したＤＬＣ膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、成膜面を下に向けた成膜装置でウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 上記従来の成膜装置のプロセスガスを上昇気流にし、その上昇力を制御する事により、ウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御する。 （もっと読む）

【課題】成膜の均一性が高く、パーティクルによる影響を防止することができるプラズマ方式マスクＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽内にそれぞれ平行に配置された下側カソード電極３及び上側アノード電極２と、上側アノード電極の下面に基板５を介して配置されるマスク４の周縁を支持するマスクフレーム５０とを有し、下側カソード電極と上側アノード電極との間の放電空間６に電圧を印加して放電空間内の原料ガスをプラズマ化させて基板上に成膜するプラズマ方式マスクＣＶＤ装置であって、放電空間近傍においてマスクフレームの下面はマスクの下面と面一であり、かつマスクフレームの内側に上側アノード電極及び基板を収容する空間を有し、この状態でマスク、基板、及び上側アノード電極を重合可能である。 （もっと読む）

【課題】直立積層カバー覆面と動力源によるホットフィラメント制御を備えたCVD設備の提供。
【解決手段】主にチャンバーを含み、該チャンバー内には少なくとも１個の回転電極、複数のホットフィラメント、回転動力を設置する。積層カバーする対象の基材は該チャンバー内に垂直に設置し、しかも該ホットフィラメントを通して該基材に対して少なくとも片側積層カバー面の積層カバーを行う。該複数のホットフィラメントの少なくとも一端は回転電極上に設置する。ホットフィラメントが温度変化により伸長すると、該回転電極の回転により引き支えられ、該各ホットフィラメントの特定張力の不変は保持され、ホットフィラメントが緩み、該チャンバー内の気流を受け、左右に揺れることで積層カバー効果に影響を及ぼし、さらには該基材に接触し、該基材を破裂させる事態の発生を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の跳ね上がり現象や片上がり現象による搬送トラブルを発生させることなく、基板を基板載置台から脱離させることができる基板の脱離方法を提供する。
【解決手段】ステップ２，３で、下部電極４を下降させることで相対的にリフトピン２を基板載置台３より突出させて、ウエハ１を傾斜させることで、ウエハ１の端部をエッヂリング９で支持してウエハ１を基板載置台３から脱離させ、次にステップ４で、下部電極４を上昇させることによって相対的にリフトピン２を下降させ、リフトピン２を基板載置台３の上面よりも下方へ没入させることで、ウエハ１を基板載置台３上に水平に載置し、次にステップ５で、下部電極４を下降させて相対的にリフトピン２を基板載置台３より突出させ、リフトピン２でウエハ１を基板載置台３から持上げて脱離させ、次にステップ６で、リフトピン２をさらに上昇させてウエハ１を搬送位置の高さＨまで持ち上げる。 （もっと読む）

【目的】ＳｉＣ基板を大面積化しても、ＳｉＣ基板上に形成されるエピタキシャルＳｉＣ膜のドーピング濃度分布を均一化することができるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置を提供すること。
【構成】両端に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管内に断熱材を介して第一ホットウォール２と第二ホットウォール７が中心軸方向に並べて配置され、第一ホットウォール２に設けられる反応室空間内にＳｉＣ結晶基板４を取り付ける支持部材が配置され、該第一ホットウォール２に対向する位置の前記耐熱円筒管の外周に前記第一ホットウォール２を誘導加熱する装置が設けられ、前記第二ホットウォール７は、内部に前記耐熱円筒管の軸に平行な方向に設けられるガス流路であって、一端が反応ガス流入口に接続されて流入する反応ガスを整流し、他端は前記第一ホットウォール２内の前記反応室空間に通じるガス流路を備えるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 ボートの中心出し、傾き、高さを自動補正することによって、ウェハ移載の精度を向上させ、炉心管へボートを挿入する時の炉芯管への接触を避け、ウェハ成膜時の面内均一性を向上させることができる半導体製造装置およびボート載置台を提供する。
【解決手段】 ボート２の天板３および底板４の中央部に突起６、７を設け、ウェハ移載機３０に設置したセンサ３１によってボート２の天板３および底板４の突起６、７の位置を検出する。制御部４０は、ボート２の天板３および底板４の突起６、７の座標をセンサ３１の出力に基づき算出し、ボート載置台８の駆動部１５にボート載置台８を変位させることで、ボート２の位置を補正する。 （もっと読む）

大気圧又は低真空条件で作動する誘電体バリア放電トーチを使用した粉末のインフライト表面処理の方法をここで説明する。前記方法は、減少した粉末凝集特性を示す粉末粒子を生成する誘電体バリア放電トーチへと粉末材料を供給する段階と、粒子の表面特性をインフライト修飾する段階と、被覆された粉末粒子を回収する段階と、を含む。大気圧又は低真空条件で作動する誘電体バリア放電トーチを備えるマイクロ粒子及びナノ粒子の表面処理のための装置もここで説明する。
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【課題】ＣＶＤ処理に際し、基材表面での疵発生や基材の塑性変形・破断などを生じることなしに、帯材や線材に対して高い生産性の下でＣＶＤ処理を施すことができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】懸垂した基材の自重を支える一対の支持体を備え、この懸垂した基材に対してＣＶＤ処理を施すＣＶＤ炉を該支持体対の間に配置する。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンによる載置台本体への損傷が生じ難い基板載置台を提供すること。
【解決手段】 基板処理において基板を載置する基板載置台４は、載置台本体４ａと、載置台本体４ａに対して鉛直に挿通され、載置台本体４ａの表面に対して突没するように昇降自在に設けられ、その先端で基板を支持して昇降させる昇降ピン３０とを具備し、昇降ピン３０は、載置台本体４ａ内に没した退避位置と、載置台本体４ａから突出して基板Ｇを支持する支持位置とをとることが可能であり、支持位置にある時に、載置台本体４ａの表面位置またはそれより上方位置に、昇降ピン３０が変形する力よりも小さい所定の大きさの横方向の力が加えられた際に折れる折部３５を有する。 （もっと読む）

【課題】 一軸式の機構でサセプタからウェーハを持ち上げることができ、ウェーハ移送手段のチャック方式としてベルヌーイ方式でないものを採用することができるウェーハの処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、チャンバと、サセプタと、該サセプタを回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段とを具備し、前記サセプタには貫通孔が形成されており、該貫通孔を閉塞する蓋体を有し、該サセプタ支持手段が前記サセプタを解放したときに前記サセプタを保持する台座を有し、前記ウェーハを処理する場合は、前記ウェーハを載置したサセプタを前記サセプタ支持手段で保持し、前記ウェーハを前記チャンバ内に出し入れする場合は前記台座に前記サセプタを保持し、前記サセプタ支持手段が前記貫通孔を介して下から前記蓋体を押し上げることで前記ウェーハを前記サセプタから持ち上げることができるものであるウェーハの処理装置。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極（特に下部電極）に周波数の異なる２つの高周波を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化できるようにする。
【解決手段】下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ１４は、上下に２分割された上部サセプタ電極１６および下部サセプタ電極１８を有している。第１高周波電源２２より出力されるたとえば２ＭＨｚの第１高周波は、整合器２４、給電棒２６および円筒給電体２０を通って上部サセプタ電極１６に供給され、上部サセプタ電極１６の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。第２高周波電源３４より出力されるたとえば４０ＭＨｚの第２高周波は、整合器３６および給電棒３８を通って下部サセプタ電極１８に供給され、下部サセプタ電極１８の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。 （もっと読む）