【課題】 基板の両面に成膜可能な成膜装置であって、設置面積が小さいと共に成膜工程が短く、しかも異常放電が生じない成膜装置の提供。
【解決手段】ガス導入手段及び排気手段を有した成膜チャンバー５と、基板Ｓを保持する基板ホルダー１０１と、基板ホルダー１０１を搬送する搬送手段と、前記基板ホルダー１０１を反転させる反転手段とを備えた縦型化学気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】 一軸式の機構でサセプタからウェーハを持ち上げることができ、ウェーハ移送手段のチャック方式としてベルヌーイ方式でないものを採用することができるウェーハの処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、チャンバと、サセプタと、該サセプタを回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段とを具備し、前記サセプタには貫通孔が形成されており、該貫通孔を閉塞する蓋体を有し、該サセプタ支持手段が前記サセプタを解放したときに前記サセプタを保持する台座を有し、前記ウェーハを処理する場合は、前記ウェーハを載置したサセプタを前記サセプタ支持手段で保持し、前記ウェーハを前記チャンバ内に出し入れする場合は前記台座に前記サセプタを保持し、前記サセプタ支持手段が前記貫通孔を介して下から前記蓋体を押し上げることで前記ウェーハを前記サセプタから持ち上げることができるものであるウェーハの処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの端部近傍領域まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハ１が導入される反応室２と、反応室２に反応ガスを供給するためのガス供給手段３と、反応室１より反応ガスを排出するためのガス排出手段４と、被処理ウェーハ１を外周部において保持するためのホルダー６と、ホルダー６を介して被処理ウェーハ１を回転させるための回転駆動手段５と、被処理ウェーハ１を下部より加熱するためのヒータ７と、ホルダー６を高周波誘導加熱するための誘導コイル８を備える。 （もっと読む）

【課題】垂直軸回りに回転する水平円盤型のサセプタを備えた装置でエピタキシャル成長させる際に、サセプタ座ぐり内の中央部にウェーハを載置してスティッキングの発生を防止する。
【解決手段】上面にウェーハを収容する座ぐりが設けられサセプタ及びサセプタの垂直軸回り回転機構を僅かに傾ける。
傾ける形態としては、サセプタ及びサセプタの垂直軸回り回転機構を反応室に対して僅かに傾けてもよいし、内部にサセプタを配置した反応室を僅かに傾けてもよい。
そして、傾ける角度としては、０．０５〜５度の範囲にすることが好ましい。
サセプタを傾けることにより、サセプタ座ぐり内の残存ガスが円滑に除去され、ウェーハの座ぐり中央部への載置が容易に行える。 （もっと読む）

【課題】熱の流れを抑えて、加熱時の上蓋部材の温度及び中蓋部材の温度の低下を抑えることで、上蓋部材に生成物が残留するのを低減することができ、かつ、基板にスリップが生じるのを抑えることが可能なエピタキシャル装置を提供すること。
【解決手段】インナーリング８が、アッパードーム５及び上部クランプリング７ａのうち少なくとも一方の表面をカバーするように設けられているので、当該インナーリング８がカバーしている部分から熱を逃げにくくすることができる。これにより、熱の流れを抑えることができるので、アッパードーム５の温度やサセプタリング４の温度が低下するのを抑えることができる。よって、アッパードーム５に生成物が残留するのを低減することができ、かつ、ウェーハＷに熱応力の差によるスリップが生じるのを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

合成シリカを作製するための改善されたプラズマトーチであって、アクティブな環境隔離を与えるために、外側の石英チュービングからの窒素スクリーンガスを使用することを伴う。加えて、本誘導プラズマトーチは、よりコンパクトで、しかしながらより完全な環境的保護（３６０度をカバー）のためにリングディスクを備える。それはまた、水平モードでの動作時において両方向への蒸着を改善するために、化学物質注入ノズルの位置を補正し、切り替えることも伴う。更には、本誘導プラズマトーチは注入された化学物質に対する層流を保持するのであり、中間の石英チューブには、プラズマジェットの平均エンタルピーを増加させるためにへこんだ区域が備えられ、こうしてプラズマトーチの効率が改善される。加えて、より多くのプラズマガス吸入口を利用してよい。また、下方への角度勾配を持った化学物質注入ノズルも備えられる。 （もっと読む）

【課題】導入されるプロセスガスにより基板上に層を堆積させる装置を提供する。
【解決手段】反応装置ハウジングに固定されたガス入口部品(3)の垂直方向に延びる流路(4)を通して水平方向に延びるプロセスチャンバ(1)内にガスが導入され、ガスは、回転対称なプロセスチャンバ(1)の中心に突出したガス入口部品のガス出口開口から流出し、水平方向に延び中心周りに回転するプロセスチャンバ(1)の床(8')を通り径方向外側に流れる。床(8')の上に基板が載置される。プロセスチャンバの底面の直上のガスの流れを改善するために、ガス入口部品の端部(3')が皿状凹部(23)に突出し、ガス屈曲面(6)の端部(6')が、床(8')に位置する。 （もっと読む）

【課題】 冷却液体の流路への冷却液体の供給の有無に応じて、シール部材の液体シール状態を変更可能な真空処理装置用の回転シール機構およびこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】回転シール機構１０１は、筒状の中空回転軸２５と、筒状のケーシング部材２３と、中空回転軸２５を回転可能な駆動装置３１と、ケーシング部材２３の外部から中空回転軸２５の中空部に亘るように形成された冷却液体の流路と、中空回転軸２５とケーシング部材２３との間に設けられた、冷却液体貯留部Ｓ１と、中空回転軸２５とケーシング部材２３との間に存在する隙間に、冷却液体貯留部Ｓ１を挟むように配設され、冷却液体貯留部Ｓ１をシールする一対の環状のシール部材５０、５１と、流路への冷却液体の供給の有無に応じて、中空回転軸２５の回転の際の、シール部材５０、５１の液体シール状態を変更可能な調整手段と、備える。 （もっと読む）

【課題】内部の温度分布が均一とならない場合であっても、変形、亀裂等を防止することが出来るサセプタ及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板２００の表面にガスを供給して薄膜を成長させる気相成長装置に用いられ、下方に配されたヒータ１３０により加熱され、上面にて基板２００を保持する板状のサセプタ１１０であって、延在方向について複数の分割部材１１０ａ、１１０ｂに分割可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の基板に均一な成膜を行うハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応管１１０の内部にて基板２００の表面に反応ガス３００を供給して成膜を行うハイドライド気相成長装置１００であって、反応管１１０の内部に反応管１１０の延在方向に対して傾斜するよう配置され一面にて基板２００を保持する円盤状のサセプタ１２０と、反応管１１０におけるサセプタ１２０の上流側に反応ガス３００を導入するガス導入部と、サセプタ１２０の他面側に接続されサセプタ１２０を中心軸廻りに回転させる回転駆動機構１４０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】減圧可能な反応空間を有する反応容器と、反応容器内を減圧可能とする排気手段と、反応容器内に設置される円筒状基体を保持する基体保持手段と、円筒状基体を回転可能にする回転手段と、反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、円筒状基体を加熱するための加熱手段と、原料ガスを励起させて励起種化させる放電エネルギーを印加する印加手段とを備える真空処理装置において、排気手段は、円筒状基体の円周方向の一方向に、長手方向に複数設けられた排気口を有し、該排気口は、反応容器の一部であるカソード電極上及びカソード電極以外でカソード電極の両端に少なくとも配置され、該複数の排気口には、各々排気配管が接続され、各排気配管には排気コンダクタンス調整手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ裏面への膜成長を抑制することを可能とするエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャル成長装置は、処理炉１０１、前記処理炉内部に成膜用ガスを導入するガス導入口１０２、前記成膜用ガスを排出するガス排気口１０３、前記処理炉内にありウェハ１０７を載置する環状ホルダー１０５、および、前記環状ホルダーを上面に配置し前記環状ホルダー以外の部分に開口部１１１を有する回転体ユニット１０６を備えることを特徴とする。
このような、エピタキシャル成長装置は、回転体ユニット内への成膜用ガス流入を最小化し、ウェハ裏面への膜成長を効果的に抑制する。また、回転体ユニットに積極的に開口部を設けることにより、処理炉と回転体ユニット内の圧力を同一とし、圧力差によるウェハの前記環状ホルダーからの外れを防止する。 （もっと読む）

【課題】 基材の温度制御が容易にでき、かつ基材の変形を小さく抑えて基材を保持することで堆積膜の性能や品質の高い堆積膜製品を得ることができる膜堆積装置及び膜堆積方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバと、真空チャンバ内に基材を保持する基材ホルダと蒸発源とを備え、基材の表面に膜を堆積する膜堆積装置において、基材ホルダは、基材の裏面と接して基材を所定の温度にする熱源からの熱を伝達する蒸発源と対向する面と、基材に対し基材の厚み方向と直交する方向に張力を付与する張力付与保持手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 均一な薄膜形成が可能な、気相成長装置を実現する。
【解決手段】 本発明のフェースダウン型ＭＯＣＶＤ装置は、基板保持部材８を回転可能に保持するギア付き回転台９を備えている。ギア付き回転台９は、薄膜形成時に、基板保持部材８が挿入されるな筒状部２３を有しており、この筒状部２３は、開口部６が形成された側の反応管５の外表面を越えて、反応管５内部方向に延びている。これにより、固定部材により、隙間Ｇを形成することができるため、基板保持部材８の交換による原料ガス２２の流れの乱れを防ぎ、均一な薄膜形成を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、新規な構造の電力導入機構を開発し、摺動部を介して電力を安定して供給できる真空処理装置を提供することを目的とする。また、長寿命の電力導入機構を備えた真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空室の内部に回転可能に設けられた基板ホルダと、該基板ホルダと回転軸を同じくする回転体の外周に設けられた、該回転体の回転機構と、電力導入用電源から前記回転体を介して前記基板ホルダに電力を導入する電力導入機構と、を備えた真空処理装置であって、前記電力導入機構は、前記回転体外周に取り付けられた第１の環状部材と、前記電力導入用電源と接続され、端面が前記第１の環状部材の端面と摺動するように配置された第２の環状部材と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の位置に基板を配置するためのサセプタを備えた気相成長装置において、回転時におけるサセプタの偏心を検知する方法を提供する。
【解決手段】 サセプタ１の回転軸８の周囲を取り囲んで導電性の偏心検知部材５を設け、この導電性の偏心検知部材５とサセプタ１の回転軸８間の接触による電気的な導通の有無により、サセプタ１が偏心したかどうかを検知する。 （もっと読む）

【課題】温度測定手段の温度変動を抑制または防止し、より安定な温度制御ができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を載置するサセプタ２１７と、サセプタを収容する処理室２０１と、夫々が独立して制御される複数のゾーンから構成される加熱手段２０７、２２３と、サセプタを回転させる機構２６７と、ウエハの温度を測定するための複数の温度測定手段（２６１ａ〜２６１ｄ）を備え、温度測定手段の内、少なくとも２つの温度測定手段（２６１ａ、２６１ｄ）が、サセプタ上に正常に載置された時のウエハの中心点に対し点対称の位置に設けられ、２つの温度測定手段の測定温度の演算結果に基づき、加熱手段の少なくとも１つのゾーンの出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】 成長室内に滞りのない均等な流れを実現し、均一な成長膜厚分布を得ることを可能にする。成長室の内面への汚れ付着を防止し、メンテナンス時間を大幅に短縮する。【解決手段】 成長室１に、基板Ｓを載置する基板保持台４と、基板保持台４上の基板Ｓに原料ガスを供給する原料ガス導入口１１とを備え、加熱された基板Ｓ上で成膜を行う気相成長装置において、成長室１の側壁２０上部を円筒形状、下部を円錐台形状とし、成長室１内に原料ガス導入口１１の部分を除き上面を覆う蓋９と、円筒形状部２０Ｔの内側面に接する内筒管３とを設けて、内筒管３の内側面と基板保持台４の外側面との間に排気通路５、内筒管３の外側面と円錐台形状部２０Ｂの内側面との間に環状排気空間６を形成するとともに、内筒管３の下部に排気通路５から環状排気空間６へ排気ガスを放射状に流出させる複数の排気孔３Ｈを設け、環状排気空間６に排気口２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 成膜する表面保護膜のカバレッジを改善することができる触媒化学気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 原料ガス供給手段と、原料ガスの一部を分解して活性種を生成する熱触媒体と、成膜される半導体基板を支持するステージとを有する。そして、ステージは、熱触媒体からの活性種の拡散方向に対して斜めになるように半導体基板を支持する。また、ステージは、自転又は／及び公転することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスの使用量を低減して、半導体ウェーハの表面に均一に薄膜を形成し、サセプタの回転機構の損耗を低減して、装置のメンテナンス性を向上させる。
【解決手段】 化学気相成長装置１は、反応ガスを導入可能な反応室２と、半導体ウェーハ３を下面側に支持具１２で装着可能であり、前記反応室２内に支持脚１３に固定して配置されたサセプタ４と、支持脚１３を介してサセプタ４をその軸回りに回転させる回転機構５と、サセプタ４に装着された半導体ウェーハ３を加熱するヒータ６と、半導体ウェーハ３の表面３ａに反応ガスをノズル管７ａで吹き付けるノズル７とを備え、ノズル管７ａは、先端部側が反応室２内に突き出して設けられ、先端開口部７ｄが半導体ウェーハ３の下方を向く表面３ａに対向され、かつ半導体ウェーハ３の直径方向における中心Ｃからの位置Ｅを該中心Ｃと外周縁との中間部に設定されている。 （もっと読む）