【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびそのＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法により成長させたＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】基板８を保持するためのサセプタ６の表面６ａに対向する対向面１１ａとサセプタの周囲を覆うように配置された側面１１ｂとによって区画される成長室１９を形成し、対向面１１ａ、側面１１ｂ、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも１箇所から原料ガスを成長室１９に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとＩＩＩ族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板８上へのＩＩＩ族窒化物結晶の成長時に対向面１１ａの温度および側面１１ｂの温度をそれぞれサセプタ６の表面６ａに保持された基板８の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することができるとともに、設備の稼動ロスを低減できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ディスク２に載置された基板３の被成膜面と対向する位置に、ディスク２の中心部を中心とする同心円状に配置された複数の冷却タンク７ａ〜７ｃを備える。複数の冷却タンク７ａ〜７ｃと、ディスク２との間には、対向板８が設けられる。また、ディスク２に載置された基板３を、冷却タンク７ａ〜７ｃと対向する側から加熱するヒータ１を備える。各冷却タンク７ａ〜７ｃと対向板８との間の距離を、それぞれ独立に変更する冷却タンク駆動手段１１ａ〜１１ｃを備える。本構成により、対向板８に温度分布の温度勾配を容易に小さくすることができ、対向板８に付着した膜の剥離を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】必要以上にコストをかけることなく、ウエーハ表面の温度やサセプタの表面の温度をより正確に制御して薄膜を気相成長させることができる気相成長法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ６上にウエーハ５を載置し、ウエーハ５上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、回転するサセプタ６上のウエーハ表面の温度およびサセプタ表面の温度を連続的に測定し、測定したウエーハ表面およびサセプタ表面の温度データから、所定の温度変異率を基準にしてウエーハ表面の温度および／またはサセプタ表面の温度を別個に抽出し、抽出したウエーハ表面の温度および／またはサセプタ表面の温度を基に、ウエーハ表面の温度および／またはサセプタ表面の温度を制御して薄膜を気相成長させるウエーハ上への薄膜の気相成長法。 （もっと読む）

【課題】 画像欠陥が低減された電子写真用感光体を製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。
【解決手段】 第１の円筒状側壁と、前記第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器と、
前記反応容器内に配置され、基体を保持する基体保持部材と、
前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、
を備える複数の基体に同時に堆積膜を形成可能な堆積膜形成装置において、前記第１の円筒状側壁及び第２の円筒状側壁の少なくとも一部が誘電体で構成されるとともに、
前記反応容器内に高周波電力を供給する電力供給系として、前記第１の円筒状側壁の内側に第１の高周波電極を、前記第２の円筒状側壁の外側に第２の高周波電極を配置させ、かつ、さらに前記第１の高周波電極と前記第２の高周波電極に対し、異なる周波数の高周波電力を供給する手段を有する、堆積膜形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な電子写真特性を持つ電子写真用感光体を、生産性良く製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、前記第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器と、前記反応容器内に配置され円筒状基体を保持するための複数の基体保持部材と、前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段とを備えた堆積膜形成装置において、
前記第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群が配置されると共に、前記第二の円筒状側壁の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群が配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】鋼球のような転動体の表面全体に略均一、均質なＤＬＣ膜を、簡易な構成で成膜することができるＤＬＣ成膜装置を提供する。
【解決手段】一端部が電動モータの出力軸と連結されている回転軸４１の他端部が攪拌翼３１と連結されている。また、導電性を有し、内部で回転軸４１が回転する支持筒５１の外部で、導電性を有する載置皿２１が吊り下げ支持されている。炭素を含むプラズマ雰囲気中で、載置皿２１に載置されている各鋼球Ｂが、回転軸４１の回転に伴って回転する攪拌翼３１によって攪拌されつつ転動し、この状態で、パルス電源７２から支持筒５１及び載置皿２１を介して各鋼球Ｂにパルス状の負電圧が印加されることによって、各鋼球Ｂの表面全体にＤＬＣ膜が成膜される。 （もっと読む）

【課題】供給管からのガスの漏れを抑制することのできる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、基板２１の上面にガスＧ１〜Ｇ３を供給するためのフローチャネル４と、フローチャネル４の内部空間１１において基板２１を保持し、かつ回転可能なサセプタ１７と、フローチャネル４とサセプタ１７との上流側の隙間から下流側の方向に延びる流通路７とを備えている。流通路７の一部はサセプタ１７によって構成されており、かつ流通路７は内部空間８に通じている。 （もっと読む）

【課題】抄紙機又は輪転印刷機で使用される回転体又はその外周面部材（被覆対象物）上特に特に圧胴表面の粗面構造上に、同心性を損なわずに、連続生産で経済的に、インキをはじく清掃しやすい耐摩耗性付着防止層を形成する。
【解決手段】付着を減少する粗面構造を表面に作り、ＰＡＣＶＤ法により炭素被覆を被着し、その際被覆が種々の組成の元素Ｃ、Ｈ、Ｓｉ、Ｏ及びＦを有するように、第１段階で炭化水素及びケイ素含有前駆物質を使用してＣ−Ｈ−Ｓｉ−Ｏ基本格子を形成し、第２段階でフッ素前駆物質からフッ素を取り込むことにより耐摩耗性付着防止層を形成する。その際、被覆対象物の輪郭にならった可動式反応器頭部が、被覆対象物の表面とともに反応室を取り囲むとともに被覆対象物の上を無接触で横行し、ＰＡＣＶＤプラズマ流並びに別のガス流で前駆物質及び掃気ガスが反応室に供給される。 （もっと読む）

プラズマによる容器（３）の処理用装置（１）であり、同装置は、処理すべき容器（３）を受け入れるのに適切な囲い（５）、同囲い（５）の延長部内にノズル（９）を画定する覆い８、同ノズル（９）内に通じていて、同ノズルを減圧源（１５）に連結する、容器（３）の減圧用導管（１４）を含んでおり、第１の電磁弁（１９）が閉鎖位置において減圧用導管（１４）を閉鎖し、開放位置でノズル（９）と減圧源（１５）を連絡させる、減圧用導管（１４）とは別個である、容器（３）の与圧用導管（２７）、減圧用導管（１４）の先でノズル（９）内に通じていて、ノズル（９）を圧力源（２８）に連結する与圧用導管（２７）、閉鎖位置で与圧用導管（２７）を閉鎖し、開放位置でノズル（９）と圧力源２８を連結させる第２の電磁弁（２９）を含んでいる装置（１）である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハ中心部と周辺部の温度差を抑えながら昇温、降温し、ウェーハの反りによる欠陥の発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応室内に被処理ウェーハを保持する工程と、被処理ウェーハを所定温度に昇温する工程と、被処理ウェーハを所定温度に保持し、被処理ウェーハを回転させ、被処理ウェーハ上に反応ガスを供給して、被処理ウェーハ上に被膜を形成する工程と、被処理ウェーハを所定温度から降温する工程を備え、昇温する工程と、降温する工程において、被処理ウェーハの中心部、周辺部と、その中間部の温度を測定し、中心部と中間部との温度差に基づいて、中心部の温度を制御し、周辺部と中間部との温度差に基づいて、周辺部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】基板面内の任意の場所でｎ型不純物濃度の最小値が５×１０^１７ｃｍ^−３以上としたIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶の品質を向上させることが可能な結晶成膜装置及びそれに用いるガス噴出板を提供することを目的とする。
【解決手段】加熱板２と、前記加熱板２上であって前記加熱板２に対して対向配置したガス噴出板３とを備え、ガスを前記加熱板２に噴出し、前記加熱板２上に結晶を成膜する結晶成膜装置において、前記ガス噴出板３は、熱を吸収する冷媒を前記ガス噴出板２の外側から中央側へ流入する流入部８ａと、前記流入部８ａと接続されるとともに冷媒を中央側から外側へ流出する流出部８ｂとを有する冷却管８を備えており、前記流入部８ａと冷媒が接する接触面積Ｓ１は、前記流出部８ｂと冷媒が接する接触面積Ｓ２よりも小さいことを特徴とする結晶成膜装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜の屈折率と薄膜に添加される希土類元素の量とを独立して制御して薄膜を形成できる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜形成装置は、プラズマ生成室とスパッタリング室とが互いに異なる位置且つ前記基板台上に固定された基板表面を見込める位置で前記成膜室に接続されている。さらに、本発明に係る薄膜形成装置は、薄膜の形成に使用されるプラズマとは別に薄膜に添加される希土類元素のスパッタリングのためのプラズマを発生させている。そのため、両プラズマ間に干渉が無く、薄膜の屈折率に影響のあるプラズマ生成室のプラズマのガス条件とスパッタリングのための電力とを独立して制御でき、薄膜を形成させつつ希土類元素のスパッタリングをすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応炉から回転機構へのガスの流入による回転機構の劣化や、ウェーハの汚染によるデバイスの劣化を抑えることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、プロセスガスが供給・排出され、被処理ウェーハ１上に被膜を形成するための反応炉２と、反応炉２に設置され、被処理ウェーハ１を保持するための支持部と、反応炉２に設けられる開口部２ａと、反応炉２に連結され、被処理ウェーハ１を回転させるための回転機構４と、開口部２ａを貫通して支持部３及び回転機構４と連結し、軸方向にらせん状の翼部５ａを有する回転軸５を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部材の交換を要することなく、部材を再生することができ、被処理ウェーハの汚染を抑えることが可能な半導体製造装置の保守方法、半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置の保守方法は、基材に第１のＳｉＣ膜が被覆された部材３、５ａ、５ｂが設置され、被処理ウェーハ１上にＳｉエピタキシャル膜を形成するための反応炉２内で、経時的に第１のＳｉＣ膜の少なくとも一部が昇華した部材の表面に、第２のＳｉＣ膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜品質に大きく寄与する気相反応をより広範囲にわたりより均一な条件にすることにより成膜品質が向上する装置を提供する。
【解決手段】仕切り板によって成膜原料成分を含有する複数の原料ガスおよび不活性ガスを、それぞれ分離して反応管に導入し、反応管内部に設置した被処理基板付近で混合させ、混合させた原料ガスを加熱することによって化学反応させながら、被処理基板の成膜される面に沿う方向に流すことで、成膜原料成分を被処理基板上に成長させる横型の気相成長装置において、被処理基板側の前記仕切り板の終端部には、仕切り板で隔てられた両領域の原料ガスを混合させるための貫通口を一つないしは複数配置した気相成長装置に関する。貫通口を備える仕切り板は、反応管に１つないしは２つ以上配置されており、貫通口を備える仕切り板の終端は、被処理基板よりも上流側に位置することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】陰極ワイヤの量産性を向上した成膜装置を提供すること。
【解決手段】気体放電により導体ワイヤ１８表面に炭素膜を成膜する成膜装置においてその気体放電を行う気体放電発生装置において、内側が断面円形で内外二重に配置された筒状電極８，１０と、内側筒状電極８を陽極として両筒状電極８，１０間に直流電圧を印加して内側筒状電極近傍に気体放電を発生させる直流電源１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温、低圧プロセスに耐え、ウエーハ温度の均一性及びガスフロー特性を改善することができるプロセスチャンバを提供する。
【解決手段】チャンバは、凸面状の上部壁及び下部壁１２、１４の間に水平方向に長く垂直方向に短いレンズ状の縦断断面を有する。中央の水平な支持プレート４０が、チャンバの二つの側部レール１６、１８の間に備えられる。支持プレートは、プロセスチャンバを上部領域及び下部領域６６、６８に区分けし、パージガスが下部管を通って下部領域に導入され、そこでの不要な成長を防止する。温度補償リングは、サセプタを囲み、チャンバ壁よりも高い効率で熱を吸収する材料からなる。ガス噴射機は、チャンバを縦方向に横断して配置されて独立に制御される複数の通路を備え、通路は、噴射機の出口で一つにまとめられ、ウェーハに達する前に近接する縦方向縁の分離された流れを十分に混合することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を、長時間に渡って安定して形成することができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１１０の排気手段を構成する真空ポンプユニット１３２は、反応容器１１１の側壁の開口部１２５に接続された排気部１２４を介して接続されている。排気部１２４は、開口部１２５を覆い、複数の穴が形成された排気筒取付板１２６を有し、各穴に排気筒１２６が着脱可能に取り付けられている。排気筒１２６の少なくとも１つは、開口面積と長さの少なくとも一方が異なることによって他のものとコンダクタンスが異なっている。 （もっと読む）