【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順次基板の表面に供給するサイクルを複数回行うことにより、反応生成物を積層させて薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に設けられた回転テーブルと、回転テーブルの同一円周上に、基板を載置するため回転テーブルに設けられた複数の基板載置部と、第１の反応ガス供給手段と、第２の反応ガス供給手段と、第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に設けられた分離ガス供給手段と、基板載置部に設けられた基板を昇降するための昇降機構とを備え、昇降機構は回転テーブルに対し上下方向に移動すると共に、回転テーブルの半径方向にも移動することを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、回転テーブルを回転させるための駆動部を備え、基板が第１の処理領域に存在しているときには、第２の処理領域に基板は存在しておらず、基板が第２の処理領域に存在しているときには、第１の処理領域に基板が存在していない場合であって、駆動部は、基板が前記第１の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度と、第２の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度とが異なる角速度となるよう回転させるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

原子層を基板（６）の表面（４）に堆積させるための装置（２）。装置（２）は前駆体注入ヘッド（１０）を含み、前駆体注入ヘッド（１０）は前駆体供給部（１２）と、使用時に前駆体注入ヘッド（１０）と基板表面（４）とに界接する堆積空間（１４）とを備える。前駆体注入ヘッド（１０）は、基板表面（４）に接触させる前駆体ガスを前駆体供給部（１２）から堆積空間（１４）に注入するように構成される。装置（２）は、堆積空間（１４）と基板（６）との間の相対運動を基板表面（４）の平面で行うように構成される。装置（２）には、注入された前駆体ガスを基板表面（４）に隣接した堆積空間（１４）に閉じ込めるように構成された閉じ込め構造（２６）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板上に酸化ガスを供給して酸化膜を形成する際に、処理時間を短縮し、面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に残留する原料ガスおよび原料ガスの中間体を除去する原料ガス除去工程と、処理室内の雰囲気の排気を実質的に止めた状態で、処理室内にオゾンを供給するオゾン供給工程と、処理室内に残留するオゾンおよびオゾンの中間体を除去するオゾン除去工程と、を複数回繰り返して原料ガスとオゾンとを互いに混合しないよう交互に供給し、基板の表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面全体に薄膜を均一に成膜した微粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子は、表面全体に薄膜３５が成膜された微粒子２３において、前記微粒子の粒径は１０μｍ以下であり、前記薄膜は、真空チャンバー内にアース電極を配置し、前記真空チャンバー内に前記微粒子を収容し、前記真空チャンバー内に原料ガスを供給し、前記真空チャンバーを回転させることにより前記真空チャンバー内の前記微粒子を動かし、前記真空チャンバーに電力を供給し、前記アース電極と前記真空チャンバーの間に原料ガス系プラズマを発生させることにより、前記微粒子の表面全体にＣＶＤ法により成膜されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易に生産性の向上が図れる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板４が周方向に沿って設置される円盤状のディスク１と、ディスク１をその中心軸回りに水平に回転させる回転機構（回転軸）２と、ディスク１に基板４を設置するためのホルダ５と、ディスク１に対向して配置され、ディスク１との間にガス流路１１を形成する対向板６と、複数の基板４を加熱するヒーター３とを備え、ホルダ５のガス流路１１に面した成長面５ａと基板４のガス流路１１に面した成長面４ａとが同一平面上に位置するように、ホルダ５と基板４が配置され、且つディスク１のガス流路１１に面した成長面１ａよりもホルダ５の成長面５ａが対向板６側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下凸の上壁を有する反応室内に単結晶基板を配置し、反応室内にガス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入して、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層する枚葉式のエピタキシャル成長方法であって、ガス導入口から反応室内に導入するキャリアガスの流量に応じて、反応室の上壁の曲率半径および／またはガス導入口の上端と反応室の上壁の下端との高さ方向における差を調整してから、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長方法。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内部の上下温度差による熱帯流の発生を根本的に抑える金属有機化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ１１０と、上、下部蓋１１１，１１２に備えられる上、下部サセプタ１２１，１２２を備え、上部蓋１１１と上部サセプタ１２１間、および下部蓋１１２と下部サセプタ１２２間に備えられる加熱部１３１，１３２と、上、下部中空軸を回転中心にし上、下部サセプタ１２１，１２２を一方向に回転させる動力を提供する回転駆動部１４０と、上、下部中空軸に連結され、上、下部中空軸間を連結する中央ガス供給ノズル１５３を通じ対向する上、下部サセプタ１２１，１２２の対応面間に反応ガスを供給するガス供給部１５０と、上、下部蓋１１１，１１２の外枠に接するよう配置され、反応チャンバ１１０の内部空間と連結されウェーハと反応が完了した反応ガスを外部に排出するガス排気部１６０とを含む。 （もっと読む）

【目的】気相成長膜を成長させる成長速度の向上を図ることが可能な気相成長装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置１００は、内部で基板が支持されるチャンバ１２０と、チャンバ１２０内に配置され、基板に向かって原料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０と基板の表面との間の空間Ｓ１と、空間Ｓ１から排気されたガスが通過する空間Ｓ２とを接続し、空間Ｓ２から空間Ｓ１に向かって流れるガスを再生する流路１２６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成膜される膜の成長速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜を積層形成する所要時間を短縮し、効率的に気相成長法による積層形成の半導体素子を製造することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内に原料ガス、キャリアガスもしくはドーパントガスのうち少なくともいずれかを導入するガス導入手段３と、前記ガス導入手段３により前記ウェーハＷ上に気相成長膜を形成する気相成長膜形成手段１と、前記チャンバ２内をキャリアガスでパージするパージ手段３と、前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、を備え、前記回転駆動手段６は、前記気相成長膜形成手段１における第一の回転速度が、前記パージ手段における第二の回転速度より速い回転速度に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い表面処理能力と高いスループットを発揮するプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】処理容器３７の外周に逆Ｕ字形状のアンテナ６１を４個、９０度置きに配置する。各アンテナ６１には交流電源６２を整合器６３を介して接続し、アンテナ６１と交流電源６２との間には直流電圧電源６４を接続する。各アンテナ６１の中央部に第一磁石６６を、アンテナ６１の両脇に一対の第二磁石６７、６７を配置する。第一磁石６６と一対の第二磁石６７、６７とは、アンテナ６１により誘導される縦方向のプラズマ電流に対して垂直な方向に外部磁場を印加するように配置する。ウエハ１を下から保持する円形リング形状のウエハホルダ５５を複数枚、ボート５０に配置する。強いプラズマ・フローを発生し、粒子の流れをウエハ面方向へと導き、ウエハ間へ高フラックスのプラズマを流入させることができるので、高い表面処理能力を発揮できる。
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【課題】均一な処理を行なうことが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、サセプタ３と支持部材と支持部４とガス流入抑制部としての流路２６、２７を備える。サセプタ３は反応ガスにより処理される処理対象物としての基板１５を保持し、回転可能になっている。支持部材は、サセプタ３の外周部を支持する。支持部４は、サセプタ３の外周部と支持部材との対向する部分に配置される。ガス流入抑制部としての流路２６、２７は、支持部４が位置する領域への反応ガスの流入を抑制する。具体的には、流路２６、２７の高さＴ１、Ｔ２および長さＬ１、Ｌ２が、反応ガスの流通抵抗が十分高くなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板面に成長する結晶における結晶品質の均一化を実現し得る縦型の気相成長装置、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】４種類以上のガスを反応室２の中央部にそれぞれ個別に導入するように同心に重ねて形成された複数の導入管１２ａ〜１２ｄとこれらに連結する仕切板１３ａ〜１３ｄとを備える。各仕切板１３ａ〜１３ｃにおけるガス下流側先端位置は、基板１の手前に配置されている。高さ方向において基板１に近い側の仕切板１３ａから遠い側の仕切板１３ｃに伴って順次基板１に近づく位置に配されている。高さ方向において基板１に最も近くの仕切板１３ａと最も遠くの仕切板１３ｃとの間に設けられている少なくとも１つの仕切板１３ｂには、その下流側先端部の一定の範囲に複数の貫通孔Ｈが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ法において、電極ドラムの露出箇所に無効蒸着物が堆積することを好適に防止するとともに、耐熱性に優れ、かつ低コスト、さらには、電気的な特性の優れた遮蔽基材を有するプラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置において、前記ドラム電極と前記被蒸着基材とが当接する箇所を除く前記ドラム電極の露出箇所に、導電性のシートを形成することにより、該導電性のシートへと無効蒸着物を堆積させることを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して成膜を行うことができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置は、排気配管２０５及び原料ガス導入管２０６を備え、内部に複数の円筒状基体２０７を配置可能であり、かつ真空気密可能な反応容器２００と、反応容器２００内に電力を供給する高周波電源２０９とを有している。堆積膜形成装置は、反応容器２００内に配置された各々の円筒状基体２０７同士を仕切り、かつ反応容器２００の側壁２０１に電気的に接続された仕切板２１１を備えている。高周波電源２０９は、仕切板２１１に隣接する各々の円筒状基体２０７から等しい距離にある給電点Ｘに接続されている。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】寸法精度の高い電子写真用ローラ部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】所定の弾性層の外周面にプラズマＣＶＤ法により被膜を形成する工程を有する弾性ローラの製造方法であって、（１）チャンバーの内部に平行に配置した第１及び第２の平板電極の間に、前記弾性層の表面と前記第１の平板電極との距離が２０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下となるように配置する工程と、（２）前記チャンバー内に圧力が１３．３Ｐａ以上、６６６．６Ｐａ以下となるように原料ガスを導入する工程と、（３）前記原料ガスを導入したチャンバー内で前記ローラ基体を、被処理面の周速が６ｍｍ／ｓ以上、１７０ｍｍ／ｓ以下となるように回転させつつ、出力０．３Ｗ／ｃｍ²以上、２．０Ｗ／ｃｍ²以下の電力でチャンバー内にプラズマを発生させ、前記弾性層の表面に被膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子写真用ローラ部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子写真用感光体に使用可能な堆積膜の形成に於いて、良質な堆積膜の形成及び画像欠陥の低減が可能な堆積膜の形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な反応容器内に導電性基体を設置し、該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該導電性基体上に珪素を母体とする非単結晶膜を形成する堆積膜形成工程により形成される堆積膜の形成方法であって、該堆積膜形成工程は13.4Pa以下の内圧であって、該堆積膜形成工程に、内圧を上げる工程と内圧を下げる工程からなる内圧変化工程を有し、該内圧変化工程は、該原料ガス種及び該原料ガスの供給比率が一定である堆積膜形成工程中に内圧を変化させる工程である事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 堆積膜形成途中の膜剥がれを防止し、高品質な堆積膜を形成可能な堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な反応容器内に基体を設置し、該反応容器内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、基体に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて、その１周期の間に１乃至１０μｍの膜厚の堆積膜が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 円筒状基体上に、堆積膜を膜剥がれが発生することなく形成することを実現し、多様なサイズの電子写真用感光体を生産性良く製造する。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、反応容器内部に配置された円筒状基体及び原料ガス導入手段と、反応容器外部に配置された高周波電力導入手段とを有し、高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、反応容器内にグロー放電を発生させることによって、反応容器内に前記原料ガス導入手段を介して導入された原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真用感光体製造装置において、高周波電力導入手段は、反応容器内壁から円筒状基体までの距離が最短となる直線上に配置され、円筒状基体の直径をＤ〔ｍｍ〕、反応容器内壁から円筒状基体までの最短距離をＬ〔ｍｍ〕とした場合において、
０．３≦Ｌ/Ｄ≦１．９ （１）
２０≦Ｌ≦６０ （２）
を全て満たすこととする。 （もっと読む）