【課題】蒸着される金属薄膜の品質を向上させることのできるガス噴射ユニット及びこれを利用する薄膜蒸着装置及び方法を提案する。
【解決手段】ガス噴射ユニットは、反応ガスが流入される内部管と、内部管を囲み、内部管内の反応ガスを冷却する冷却流体が流れる外部管と、内部管内の反応ガスを外部管の外部へ噴射する噴射管と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法としてＡＬＤ法を用いる際に、良好な膜質、均一性を維持しつつ、成膜速度を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法を次のように構成する。すなわち、基板を収容した基板処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記原料ガス供給工程後に、基板処理室内の原料ガスを排気する原料ガス排気工程と、前記原料ガス排気工程後に、基板処理室内に、水素含有ガスとプラズマ励起された酸素含有ガスを供給する酸化ガス供給工程と、前記酸化ガス供給工程後に、基板処理室内の酸化ガスを排気する酸化ガス排気工程とを備え、前記原料ガス供給工程、前記原料ガス排気工程、前記酸化ガス供給工程、前記酸化ガス排気工程を少なくとも１回行うことにより、基板表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高面圧が外周摺動面に加わった場合であっても、硬質炭素膜の剥離を著しく低減できるピストンリングを提供する。
【解決手段】ピストンリング基材１と、ピストンリング基材１の少なくとも外周摺動面に設けられた下地膜２と、下地膜２上に設けられた厚さ１μｍ以上７μｍ以下の硬質炭素膜３とを有する。第１のピストンリング１１は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられたＣｒ膜２ａと、Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂとからなるように構成し、第２のピストンリング１２は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられた第１Ｃｒ膜２ａと、第１Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂと、Ｃｒ−Ｎ膜２ｂ上に設けられて硬質炭素膜３の厚さを１００としたときの厚さが２〜５の範囲の第２Ｃｒ膜２ｃとからなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化および小型化するとともに、駆動精度を高めることができ、かつ、軸の芯ずれ調整を容易にすることができる真空用アクチュエータを提供する。
【解決手段】真空容器１１を貫通して配置され、磁性を有する材料からなる出力軸３と、真空容器１１の外部から出力軸３を回転駆動させる動力発生部２と、真空容器１１の外側面に取り付けられるとともに動力発生部２を支持し、非磁性材料からなる取付部４と、出力軸３および取付部４の間に配置されるとともに、真空容器１１の内部および動力発生部２の間を仕切る磁性流体シール５と、磁性流体シール５の近傍に配置され、出力軸３を回転可能に支持するベアリング部６と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同軸二重管構造のガス導管を採用した場合に、内側導管の外側を流れる外側流路の幅を容易に精度よく均一に確保し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、被処理基板３に向かって第１ガスを供給する複数の第１ガス流路３３と、第１ガス流路３３を形成する第１ガス流路内壁面３４ａの内部にそれぞれ挿入されて被処理基板３に向かって第２ガスを供給する第２ガス流路４３を形成する第２ガス導管４４とを備えている。第１ガス流路内壁面３４ａと第２ガス導管４４との間には、第１ガス流路内壁面３４ａと第２ガス導管４４との間隔を一定に保持し、かつ第１ガス流路内壁面３４ａに非螺合的に挿入されるアライメント部材２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】中空の反応管１１０の内部で基板１２２が下流側から基板回転機構１２０により軸支されて回転駆動される。この基板１２２の表面に上流からＧａＣｌガスと(ＮＨ_３＋Ｈ_２)ガスを供給する。これにより基板１２２の表面に結晶が成長される。ただし、基板１２２の表面を通過したガスを排出する構造のため、必然的に加熱されたガスと下流部の冷却されたガスとの間で対流が生じる。基板１２２の下流で反応管１１０の内部の少なくとも外側を対流防止部材１５０が遮蔽している。このため、上述のように反応管１１０の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板１２２の表面に到達することが防止される。 （もっと読む）

【課題】選択性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ３０４を処理室３０１内に搬入する。まず、処理ガスを第１のガス供給系３０６から第１のガス供給管３０９を介して、処理室３０１の上部から導入する。そして、第１のガス排気管３１１と第１のガス排気系３０８を用いてガス排気を行う。その後、処理ガスを第２のガス供給系３０７から第２のガス供給管３１０を介して、処理室３０１の下部から導入する。この処理室３０１の上部と下部からのガス供給工程を１回以上実行し、ウェハ表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較を容易とし、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出を容易とする。
【解決手段】群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの汚染を抑え、半導体装置の高性能化や信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応炉と、反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、反応炉よりガスを排出するためのガス排出機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータエレメントと、このヒータエレメントと一体成型されたヒータ電極部とを有するヒータと、ヒータ電極部と接続され、ヒータ電極部に電圧を印加するための電極部品と、電極部品を固定するためのベースと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、を備え、ヒータ電極部と電極部品との接続部の少なくとも一部が、ベースの上面より下部に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面温度を上げないで表面の膜を加熱処理する方法として、加熱した熱容量の大きい固体を瞬時に接触させ離す方法がある。例えば基板に加熱したローラを回転させ線接触させる。しかし、基板のたわみやゴミなどで、基板の支持台との熱接触が均一にできないという課題がある。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板上の塗布膜に回転加熱ローラを接触させて膜を焼成する熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】微粒子の表面に被覆した超微粒子又は薄膜からなるマイクロカプセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロカプセルは、優れた生体適合性を有するＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板保持具の姿勢を検知することで、該基板保持具の傾きを起因とした該基板保持具と基板の破損を未然に防ぐ基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、該処理室で基板を保持する基板保持具１４と、該基板保持具を載置する載置部と、該載置部に対して相対回転可能に設けられ相対回転により前記基板保持具を係合解除可能なロック部材と、該ロック部材と前記載置部とを相対回転させる回転部と、該回転部の回転動作を検出する検出部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板にエピタキシャル成長する場合において、基板ホルダとの密着性を向上させ、基板面内の温度分布を均一にして、膜厚などの特性を均一にすることが可能な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】基板２８表面側に凹の反りを負、基板２８表面側に凸の反りを正とし、基板裏面２８ａの一端から基板中心線Ｌ上を通り前記基板裏面２８ａの他端に至る線分を引き、該線分で基板２８を基板厚さ方向に切断したとき、引いた前記線分上の任意の点から切断面の裏面側輪郭線までの距離の最短値のうち、最大のものを直径方向の反りＨと定義した場合に、前記直径方向の反りＨを基板周方向にわたって求め、その最大のものをＨｍａｘとし、最小のものをＨｍｉｎとしたとき、前記直径方向の反りＨが、Ｈｍａｘ−Ｈｍｉｎ≦３０μｍとなるように規定された窒化物半導体基板２８。 （もっと読む）

【課題】
冷媒中間室のヒータからの加熱による劣化や破損を防止し、かつ、作製が容易で、かつシャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る冷媒中間室を備える気相成長装置を提供する。
【解決手段】
シャワープレート上に、ガスを充満させるガス中間室と、前記ガスを冷却する冷媒を充満させる冷媒中間室とが、該冷媒中間室を前記シャワープレート側にして順に積層され、
前記冷媒中間室には、前記ガス中間室から前記シャワープレートの複数のガス吐出孔に連通する複数のガス供給管が貫通させるためのガス供給管貫通孔が設けられ、
前記冷媒中間室がシャワープレート、ガス中間室との境界板、ガス供給貫通孔との仕切り部で構成されており、
前記シャワープレートと前記ガス供給貫通孔との仕切り部が一体となった構造となっている。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能性堆積膜を均一に安定して形成することが可能な堆積膜形成装置を提供する。特に、帯電特性の優れた高品質な電子写真感光体を安価に生産性よく製造する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】高周波電極が側壁を兼ねた反応容器１０１の中に、原料ガスと放電エネルギーを印加して、基体の表面に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置１００において、排気系に接続された排気部１０９が、反応容器１０１の側壁の一部に設けられ、排気部１０９が基体から死角となるように高周波電極と同電位の衝立部材１１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚均一性および面間膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚のウエハを積層して保持するボート３０を処理室に収容し、各ウエハ間に処理ガスを流して、各ウエハ上に成膜する基板処理装置において、ボート３０に複数個の支持部６７と複数の保持溝６８とを交互に配置し、各支持部６７と各保持溝６８とにウエハとリング５８とをそれぞれ保持する。複数個のリング５８は円形孔５８ａの内径がボート３０の下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。成膜中に、各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、各段のリングの下側にそれぞれ位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減できるので、ウエハ相互間膜厚均一性がボートの下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内膜厚分布均一性の低下を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括して収容する処理室３２と、３本の保持柱２５ｃで複数枚のウエハを積層保持するボート２５と、ボート２５を回転させる回転駆動装置２８と、処理室３２内に処理ガスを噴出する吹出口４６と、を有する基板処理装置において、コントローラ６０は回転駆動装置２８を回転速度と角度位置とをパラメータとして制御し、保持柱２５ｃの角度位置に応じてボート２５を回転させる速度を増減させる。 （もっと読む）

【課題】処理室内においてガスが生成される処理装置において、副生成物がハウジング等に堆積することを無くすことにより、軸部材等の損傷を防止し、長寿命を達成し、さらに温度制御でなく圧力制御により副生成物の発生を防止することにより、ハウジングその他の要素機器を高温に耐え得る構造にする必要を無くす。
【解決手段】外部領域Ａ内に配置されており、固相化温度が圧力によって変化するガス（塩化アンモニウム）を収容しており、室内の圧力がＰ１である処理室Ｂと、処理室Ｂに取付けられたハウジング６と、ハウジング６の中を通って処理室Ｂの中に出ている軸部材９と、ハウジング６の中であって軸部材９の周りに設けられており処理室Ｂと空間的につながっている減圧室Ｃと、減圧室Ｃ内の圧力Ｐ２が処理室Ｂ内の圧力Ｐ１よりも低く（Ｐ１＞Ｐ２）なるように制御するクリアランスシール１１とを有する処理装置、例えば半導体製造装置である。 （もっと読む）