ヒータの製造方法および成膜装置
【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒータの製造方法と、この方法により製造されたヒータを用いた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの表面にシリコンなどの単結晶膜を形成したエピタキシャルウェハの製造には、枚葉式の成膜装置が使用されることが多い。
【０００３】
成膜装置は、ウェハを載置するサセプタを収納した成膜室内に反応ガスを供給するとともに、ウェハの裏面を加熱して、ウェハの表面にエピタキシャル膜を形成するように構成されている。こうした裏面加熱方式は、上方に加熱源がなく、垂直方向に反応ガスを供給できるため、均一な成膜処理が可能である。
【０００４】
また、成膜装置は、上端にサセプタ用の支持部材が連結され、成膜室の底壁部に開設した貫通孔を通して下方にのびる回転軸と、成膜室の下方に配置された回転軸用の回転機構部とを配置し、成膜時にウェハを回転させることで、より均一な厚みの膜が形成されるようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
成膜装置の加熱源としては、抵抗加熱ヒータが用いられる。ヒータは、高温下で変形したり、汚染物質を放出したりすることのない物質によって構成される。具体的には、ＳｉＣ（炭化ケイ素）がヒータの構成材料として用いられている。
【０００６】
例えば、Ｓｉ（シリコン）膜のエピタキシャル成長の場合、ウェハの温度は１２００℃程度まで加熱される。このとき、ヒータの温度はこれより高い温度になる。したがって、この温度で変形や汚染物質の放出のないことが必要とされる。こうした用途に使用可能なヒータには、焼結したＳｉＣからなるヒータがあるが、その使用可能温度範囲は１４００℃程度までである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−１５２２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、Ｓｉに代わる高耐圧のパワー半導体デバイス用材料としてＳｉＣが注目されている。ＳｉＣは、ＳｉやＧａＡｓ（ガリウム砒素）といった従来の半導体材料と比較するとエネルギーギャップが２〜３倍大きく、絶縁破壊電圧が１桁程度大きいといった特徴を有する。
【０００９】
ＳｉＣ膜は、例えば、ＳｉＣウェハ上に、Ｈ２(水素)をキャリアガスとし、ＳｉＨ４（モノシラン）およびＣ３Ｈ８（プロパン）を供給することで形成される。具体的には、成膜室内に供給されたこれらのガスは、加熱されたサセプタ上に載置されたＳｉＣウェハの表面領域を層流で周回して排気されるまでの間に、ＳｉＣウェハの表面でエピタキシャル成長反応を起こす。このとき、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長は、Ｓｉ膜の場合より高い温度で行われる。このため、ヒータの温度はさらに高い温度、例えば、２０００℃程度にまでなる。しかしながら、従来のヒータには、かかる温度に耐え得るものがなかった。これは、Ｈ２ガスなどの存在によりＳｉの昇華が起こるためである。
【００１０】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の目的は、高温下で基板を加熱しながら基板上に所定の膜を形成することのできる成膜装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様は、通電により発熱する発熱体を備えたヒータの製造方法において、
所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体を得る工程と、
ＳｉＣ焼結体の表面を複数層のＳｉＣ薄膜で被覆して発熱体を得る工程とを有し、
複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度であることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第１の態様において、発熱体を得る工程は、ＳｉＣ焼結体に接する１層目のＳｉＣ薄膜を１４００℃±５０℃で形成することが好ましい。
【００１５】
本発明の第１の態様において、発熱体を得る工程は、ＳｉＣ焼結体の表面に１４００℃±５０℃で第１のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
第１のＳｉＣ薄膜の表面に１６００℃±５０℃で第２のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
第２のＳｉＣ薄膜の表面に１８００℃±５０℃で第３のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
第３のＳｉＣ薄膜の表面に２０００℃±５０℃で第４のＳｉＣ薄膜を形成する工程とを有することが好ましい。
【００１６】
本発明の第２の態様は、成膜室と、
成膜室内に載置される基板を加熱するヒータとを備えた成膜装置において、
ヒータは、通電により発熱する発熱体を備えており、
発熱体は、ＳｉＣ焼結体の表面に複数層のＳｉＣ薄膜が被覆されてなり、複数層のＳｉＣ薄膜は、外側の層ほど高い成膜温度で形成されたものであることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第２の態様においては、基板が載置されるサセプタと、
サセプタを上部に配置しヒータを内部に配置する支持部と、
成膜室の下部に設けられて支持部を回転させる回転軸とを備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の第１の態様によれば、複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度とするので、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータが製造される。
【００１９】
本発明の第２の態様によれば、ヒータは、ＳｉＣ焼結体の表面に複数層のＳｉＣ薄膜が被覆されてなる発熱体と、発熱体に通電して発熱体を昇温させる電極とを備えており、複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度であるので、高温下で基板を加熱しながら基板上に所定の膜を形成することのできる成膜装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態における成膜装置の模式的な断面図である。
【図２】ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートをする様子を示した断面図である。
【図３】本実施の形態におけるヒータの平面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置１００の模式的な断面図である。本実施の形態においては、基板としてＳｉＣウェハ１０１を用いる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハを用いてもよい。
【００２２】
成膜装置１００は、成膜室としてのチャンバ１０３を有する。
【００２３】
チャンバ１０３の上部には、加熱されたＳｉＣウェハ１０１の表面に結晶膜を成膜するための原料ガスを供給するガス供給部１２３が設けられている。また、ガス供給部１２３には、原料ガスの吐出孔が多数形成されたシャワープレート１２４が接続している。シャワープレート１２４をＳｉＣウェハ１０１の表面と対向して配置することにより、ＳｉＣウェハ１０１の表面に原料ガスを供給できる。
【００２４】
原料ガスとしては、ＳｉＨ４（モノシラン）およびＣ３Ｈ８（プロパン）を用いることができ、キャリアガスとしての水素ガスと混合した状態で、ガス供給部１２３からチャンバ１０３の内部に導入する。尚、ＳｉＨ４に代えて、ＳｉＨ６（ジシラン）、ＳｉＨ３Ｃｌ（モノクロロシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン）、ＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン）、ＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）などを用いてもよい。
【００２５】
チャンバ１０３の下部には、反応後の原料ガスを排気するガス排気部１２５が複数設けられている。ガス排気部１２５は、調整弁１２６および真空ポンプ１２７からなる排気機構１２８に接続されている。排気機構１２８は、図示しない制御機構により制御されてチャンバ１０３内を所定の圧力に調整する。
【００２６】
チャンバ１０３の内部には、サセプタ１０２が、回転部１０４の上に設けられている。サセプタ１０２は、ＳｉＣウェハ１０１の外周部を支持する第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分に密嵌される第２のサセプタ部１０２ｂとからなる。第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂは、高温下にさらされることから、例えば高純度のＳｉＣを用いて構成される。
【００２７】
サセプタ１０２は、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとが一体化されたものであってもよい。また、サセプタ１０２は、第２のサセプタ部１０２ｂがなく第１のサセプタ部１０２ａのみから構成されていてもよい。但し、ヒータ１２０や回転部１０４で発生した汚染物質によってＳｉＣウェハ１０１が汚染されるのを防ぐ点から、第２のサセプタ部１０２ｂを設ける構成とすることが好ましい。
【００２８】
回転部１０４は、回転胴１０４ａと、回転ベース１０４ｂと、回転軸１０４ｃとを有している。サセプタ１０２を支持する回転胴１０４ａは、回転ベース１０４ｂの上に固定されている。回転胴１０４ａは、本発明の支持部に対応していて、上部にサセプタ１０２を、内部にヒータ１２０をそれぞれ配置する。また、回転ベース１０４ｂは、ネジ１０６によって回転軸１０４ｃに接続している。
【００２９】
回転軸１０４ｃは、チャンバ１０３の外部まで延設されており、図示しない回転機構に接続している。回転軸１０４ｃが回転することにより、回転ベース１０４ｂおよび回転胴１０４ａを介してサセプタ１０２を回転させることができ、ひいてはサセプタ１０２に支持されたＳｉＣウェハ１０１を回転させることができる。成膜時にＳｉＣウェハ１０１を回転させることで、均一な厚みの膜を形成できる。回転胴１０４ａは、ＳｉＣウェハ１０１の中心を通り、且つ、ＳｉＣウェハ１０１に直交する線を軸として回転することが好ましい。
【００３０】
図１において、回転胴１０４ａは、上部が解放された構造であるが、サセプタ１０２が設けられることにより、上部が覆われて中空領域（以下、Ｐ２領域と称す。）を形成する。尚、第２のサセプタ部１０２ｂがない場合には、ＳｉＣウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａで支持されることでＰ２領域が形成される。ここで、チャンバ１０３内をＰ１領域とすると、Ｐ２領域は、サセプタ１０２によって実質的にＰ１領域と隔てられた領域となる。
【００３１】
Ｐ２領域には、ＳｉＣウェハ１０１を裏面から加熱するヒータ１２０が設けられている。ヒータ１２０は、アーム状のブースバー１２１によって支持されている。ブースバー１２１は、ヒータ１２０を支持する側とは反対の側の端部で電極１２２に接続している。
【００３２】
ヒータ１２０は、後述する本実施の形態の方法により製造されたものである。また、ブースバー１２１は、導電性の高耐熱性部材、例えば、ＳｉＣをコートしたＣ（カーボン）材からなる。電極１２２はＭｏ（モリブデン）製である。これにより、ヒータ支持部であるブースバー１２１を介して、電極１２２からヒータ１２０への給電が可能となっている。具体的には、電極１２２から後述するヒータ１２０の発熱体に通電がされて発熱体が昇温する。
【００３３】
尚、本実施の形態では、インヒータとアウトヒータの２種類のヒータによってＳｉＣウェハ１０１を加熱する構成としてもよい。この場合、アウトヒータは、サセプタ１０２の周縁部を主に加熱するようにし、インヒータは、アウトヒータの下部に配置されて、サセプタ１０２の周縁部以外を主に加熱するようにすることができる。このようにすることにより、ＳｉＣウェハ１０１をより均一に加熱できるので、ＳｉＣウェハ１０１の温度分布の均一性が向上する。
【００３４】
加熱により変化するＳｉＣウェハ１０１の表面温度は、チャンバ１０３の上部に設けられた放射温度計１４０によって計測される。放射温度計１４０は、本発明における温度測定部を構成する。尚、シャワープレート１２４を透明石英製とすることによって、放射温度計１４０による温度測定がシャワープレート１２４で妨げられないようにすることができる。計測した温度データは、図示しない制御機構に送られた後、ヒータ１２０の出力制御にフィードバックされる。これにより、ＳｉＣウェハ１０１を所望の温度となるように加熱できる。
【００３５】
次に、本実施の形態のヒータ１２０について説明する。
【００３６】
ヒータ１２０は、発熱体としてＳｉＣ焼結体を用いたＳｉＣヒータである。ＳｉＣ焼結体は、粒界に不純物の少ない微細で均一な組織を有しており、高い導電性を備える。尚、耐熱性の観点ではＳｉＣよりＣ（カーボン）の方が良好であるが、不純物などがエピタキシャル膜へ及ぼす影響を考慮するとＳｉＣを用いることが好ましい。
【００３７】
ヒータ１２０は、通電により発熱する発熱体を有している。この発熱体は、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートがされており、かかるＳｉＣコートは、温度を変えて順次成膜された複数のＳｉＣ膜からなることを特徴としている。
【００３８】
ＳｉＣ焼結体は、ＳｉＣ粉末を焼結して得られる。この場合、例えば、平均粒径の異なる複数のＳｉＣ粉末を混合し、これを焼結して、ＳｉＣ焼結体とすることができる。各ＳｉＣの平均粒径とこれらの混合比率を選択することで、所望の電気比抵抗を示すＳｉＣを得ることが可能である。混合物は所望の形状に成形された後に所定の温度で焼結される。尚、焼結方法、焼結時の雰囲気はいずれも制限されない。
【００３９】
上記のようにして得られた所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートを行う。このとき、成膜温度を段階的に上げながら、複数のＳｉＣ膜によってＳｉＣ焼結体をコートする。つまり、ＳｉＣ焼結体の表面をそれぞれ異なる温度で形成された複数層のＳｉＣ薄膜で被覆する。複数層のＳｉＣ薄膜は、外側の層ほど高い成膜温度となるようにする。
【００４０】
図２は、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートをする様子を示した断面図である。この図のように、まず、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ１に昇温し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって１層目のＳｉＣ膜２をＳｉＣ焼結体１の表面に形成する（図２（ａ））。次に、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ１）に昇温し、同様にして２層目のＳｉＣ膜３を１層目のＳｉＣ膜２の上に形成する（図２（ｂ））。次いで、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ３（Ｔ３＞Ｔ２）に昇温し、３層目のＳｉＣ膜４を２層目のＳｉＣ膜３の上に形成する（図２（ｃ））。さらに、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ４（Ｔ４＞Ｔ３）に昇温し、４層目のＳｉＣ膜５を３層目のＳｉＣ膜４の上に形成する（図２（ｄ））。ＳｉＣ層２〜５の各膜厚は、数十μｍ程度とすることが好ましく、例えば５０μｍとすることができる。
【００４１】
ヒータの使用可能温度範囲を２０００℃程度までとしたい場合には、例えば、Ｔ１＝１４００℃、Ｔ２＝１６００℃、Ｔ３＝１８００℃、Ｔ４＝２０００℃とすることが好ましい。ここで、Ｔ１＝１４００℃とするのは、ＳｉＣの耐熱性が１４００℃程度であるからである。また、Ｔ４＝２０００℃は、所望とする使用可能温度範囲を考慮したものである。この場合、各成膜温度は±５０℃の範囲で上下してもよい。成膜温度を段階的に変えることで、ＳｉＣ焼結体やＳｉＣ膜にクラックが入るのを防ぐことができる。この効果は成膜温度を細かく変えた方が得やすいが、実際に何段階とするかは成膜装置側の温度制御性や生産性などを考慮して決定される。尚、昇温は、ＳｉＣ焼結体１に通電し電気抵抗加熱することで行ってもよい。
【００４２】
図３は、ヒータ１２０の平面図の一例である。この図において、ヒータ１２０は、ＳｉＣコートされたＳｉＣ焼結体を短冊状に加工し、これを複数組み合わせて円盤状としたものである。尚、図２（ｄ）は、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図に対応する。
【００４３】
このように、成膜温度を段階的に上げながらＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートをすると、耐熱性に優れたヒータを製造することができる。つまり、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートを１層すると、ＳｉＣ焼結体単体よりも耐熱性を挙げることができるが、さらに、成膜温度を段階的に変えながら複数層のＳｉＣコートをすることで、より耐熱性に優れたものとすることができる。例えば、焼結したＳｉＣからなるヒータの使用可能温度範囲は１４００℃程度までであるが、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートを１層したヒータの使用可能温度範囲は１６００℃程度までである。そして、本実施の形態の方法により製造されたヒータの使用可能温度範囲は２０００℃程度まで向上する。
【００４４】
本実施の形態による成膜方法の一例について、図１を参照しながら説明する。
【００４５】
まず、サセプタ１０２の上にＳｉＣウェハ１０１を載置し、例えば、数１０ｔｏｒｒの減圧下でＨ２（水素）ガスを流しながら、回転部１０４に付随させて、ＳｉＣウェハ１０１を５０ｒｐｍ程度で回転させる。
【００４６】
次に、ヒータ１２０によってＳｉＣウェハ１０１を成膜温度まで徐々に加熱する。ヒータ１２０は、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートがされており、かかるＳｉＣコートは、温度を変えて順次成膜された複数のＳｉＣ膜からなるので、２０００℃程度の高温においても十分な耐熱性を有することが可能である。
【００４７】
放射温度計１４０による測定でＳｉＣウェハ１０１の温度が成膜温度に達したことを確認した後は、徐々にＳｉＣウェハ１０１の回転数を上げていく。そして、ガス供給部１２３からシャワープレート１２４を介して原料ガスをチャンバ１０３の内部に供給する。本実施の形態においては、原料ガスとしてＳｉＨ４（モノシラン）およびＣ３Ｈ８（プロパン）を用いることができ、キャリアガスとしてのＨ２ガスと混合した状態で、ガス供給部１２３からチャンバ１０３の内部に導入する。尚、ＳｉＨ４に代えて、ＳｉＨ６（ジシラン）、ＳｉＨ３Ｃｌ（モノクロロシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン）、ＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン）、ＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）などを用いてもよい。
【００４８】
チャンバ１０３の内部に導入された原料ガスは、ＳｉＣウェハ１０１の方に流下する。そして、ＳｉＣウェハ１０１の温度を成膜温度に維持し、サセプタ１０２を９００ｒｐｍ以上の高速で回転させながら、ガス供給部１２３からシャワープレート１２４を介して次々に新たな原料ガスをＳｉＣウェハ１０１に供給する。これにより、高い成膜速度で効率よくエピタキシャル膜を成膜させることができる。例えば、パワー半導体の用途では、３００ｍｍのＳｉＣウェハ上に１０μｍ以上、多くは１０μｍ〜１００μｍ程度の厚膜が形成される。厚膜を形成するには、成膜時の基板の回転数を高くするのがよく、例えば、上記のように９００ｒｐｍ程度の回転数とするのがよい。
【００４９】
成膜処理を終えた後は、ヒータ１２０の温度を下げる。ＳｉＣウェハ１０１の温度が十分に低下したら、ＳｉＣウェハ１０１をチャンバ１０３の外部へ搬出する。
【００５０】
以上述べたように、本発明の方法により製造されたヒータは、耐熱性が高く、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に十分使用可能である。そして、このヒータを備えた成膜装置は、高温下で基板を加熱しながら基板上にＳｉＣ膜などの所定の膜を形成することができる。
【００５１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５２】
上記実施の形態では、成膜室内に載置されるウェハを回転させながら成膜処理を行う例について述べたが、本発明はこれに限られるものではない。本発明の成膜装置は、ウェハを回転させないで成膜してもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に反応ガスを供給し、ウェハを加熱しながらその表面に膜を形成する成膜装置であれば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置などの他の成膜装置であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１００…成膜装置
１０１…ＳｉＣウェハ
１０２…サセプタ
１０３…チャンバ
１０４…回転部
１０４ａ…回転胴
１０４ｂ…回転ベース
１０４ｃ…回転軸
１０６…ネジ
１２０…ヒータ
１２１…ブースバー
１２２…電極
１２３…ガス供給部
１２４…シャワープレート
１２５…ガス排気部
１２６…調整弁
１２７…真空ポンプ
１２８…排気機構
１４０…放射温度計
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒータの製造方法と、この方法により製造されたヒータを用いた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの表面にシリコンなどの単結晶膜を形成したエピタキシャルウェハの製造には、枚葉式の成膜装置が使用されることが多い。
【０００３】
成膜装置は、ウェハを載置するサセプタを収納した成膜室内に反応ガスを供給するとともに、ウェハの裏面を加熱して、ウェハの表面にエピタキシャル膜を形成するように構成されている。こうした裏面加熱方式は、上方に加熱源がなく、垂直方向に反応ガスを供給できるため、均一な成膜処理が可能である。
【０００４】
また、成膜装置は、上端にサセプタ用の支持部材が連結され、成膜室の底壁部に開設した貫通孔を通して下方にのびる回転軸と、成膜室の下方に配置された回転軸用の回転機構部とを配置し、成膜時にウェハを回転させることで、より均一な厚みの膜が形成されるようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
成膜装置の加熱源としては、抵抗加熱ヒータが用いられる。ヒータは、高温下で変形したり、汚染物質を放出したりすることのない物質によって構成される。具体的には、ＳｉＣ（炭化ケイ素）がヒータの構成材料として用いられている。
【０００６】
例えば、Ｓｉ（シリコン）膜のエピタキシャル成長の場合、ウェハの温度は１２００℃程度まで加熱される。このとき、ヒータの温度はこれより高い温度になる。したがって、この温度で変形や汚染物質の放出のないことが必要とされる。こうした用途に使用可能なヒータには、焼結したＳｉＣからなるヒータがあるが、その使用可能温度範囲は１４００℃程度までである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−１５２２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、Ｓｉに代わる高耐圧のパワー半導体デバイス用材料としてＳｉＣが注目されている。ＳｉＣは、ＳｉやＧａＡｓ（ガリウム砒素）といった従来の半導体材料と比較するとエネルギーギャップが２〜３倍大きく、絶縁破壊電圧が１桁程度大きいといった特徴を有する。
【０００９】
ＳｉＣ膜は、例えば、ＳｉＣウェハ上に、Ｈ２(水素)をキャリアガスとし、ＳｉＨ４（モノシラン）およびＣ３Ｈ８（プロパン）を供給することで形成される。具体的には、成膜室内に供給されたこれらのガスは、加熱されたサセプタ上に載置されたＳｉＣウェハの表面領域を層流で周回して排気されるまでの間に、ＳｉＣウェハの表面でエピタキシャル成長反応を起こす。このとき、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長は、Ｓｉ膜の場合より高い温度で行われる。このため、ヒータの温度はさらに高い温度、例えば、２０００℃程度にまでなる。しかしながら、従来のヒータには、かかる温度に耐え得るものがなかった。これは、Ｈ２ガスなどの存在によりＳｉの昇華が起こるためである。
【００１０】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の目的は、高温下で基板を加熱しながら基板上に所定の膜を形成することのできる成膜装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様は、通電により発熱する発熱体を備えたヒータの製造方法において、
所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体を得る工程と、
ＳｉＣ焼結体の表面を複数層のＳｉＣ薄膜で被覆して発熱体を得る工程とを有し、
複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度であることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第１の態様において、発熱体を得る工程は、ＳｉＣ焼結体に接する１層目のＳｉＣ薄膜を１４００℃±５０℃で形成することが好ましい。
【００１５】
本発明の第１の態様において、発熱体を得る工程は、ＳｉＣ焼結体の表面に１４００℃±５０℃で第１のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
第１のＳｉＣ薄膜の表面に１６００℃±５０℃で第２のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
第２のＳｉＣ薄膜の表面に１８００℃±５０℃で第３のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
第３のＳｉＣ薄膜の表面に２０００℃±５０℃で第４のＳｉＣ薄膜を形成する工程とを有することが好ましい。
【００１６】
本発明の第２の態様は、成膜室と、
成膜室内に載置される基板を加熱するヒータとを備えた成膜装置において、
ヒータは、通電により発熱する発熱体を備えており、
発熱体は、ＳｉＣ焼結体の表面に複数層のＳｉＣ薄膜が被覆されてなり、複数層のＳｉＣ薄膜は、外側の層ほど高い成膜温度で形成されたものであることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第２の態様においては、基板が載置されるサセプタと、
サセプタを上部に配置しヒータを内部に配置する支持部と、
成膜室の下部に設けられて支持部を回転させる回転軸とを備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の第１の態様によれば、複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度とするので、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータが製造される。
【００１９】
本発明の第２の態様によれば、ヒータは、ＳｉＣ焼結体の表面に複数層のＳｉＣ薄膜が被覆されてなる発熱体と、発熱体に通電して発熱体を昇温させる電極とを備えており、複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度であるので、高温下で基板を加熱しながら基板上に所定の膜を形成することのできる成膜装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態における成膜装置の模式的な断面図である。
【図２】ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートをする様子を示した断面図である。
【図３】本実施の形態におけるヒータの平面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置１００の模式的な断面図である。本実施の形態においては、基板としてＳｉＣウェハ１０１を用いる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハを用いてもよい。
【００２２】
成膜装置１００は、成膜室としてのチャンバ１０３を有する。
【００２３】
チャンバ１０３の上部には、加熱されたＳｉＣウェハ１０１の表面に結晶膜を成膜するための原料ガスを供給するガス供給部１２３が設けられている。また、ガス供給部１２３には、原料ガスの吐出孔が多数形成されたシャワープレート１２４が接続している。シャワープレート１２４をＳｉＣウェハ１０１の表面と対向して配置することにより、ＳｉＣウェハ１０１の表面に原料ガスを供給できる。
【００２４】
原料ガスとしては、ＳｉＨ４（モノシラン）およびＣ３Ｈ８（プロパン）を用いることができ、キャリアガスとしての水素ガスと混合した状態で、ガス供給部１２３からチャンバ１０３の内部に導入する。尚、ＳｉＨ４に代えて、ＳｉＨ６（ジシラン）、ＳｉＨ３Ｃｌ（モノクロロシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン）、ＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン）、ＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）などを用いてもよい。
【００２５】
チャンバ１０３の下部には、反応後の原料ガスを排気するガス排気部１２５が複数設けられている。ガス排気部１２５は、調整弁１２６および真空ポンプ１２７からなる排気機構１２８に接続されている。排気機構１２８は、図示しない制御機構により制御されてチャンバ１０３内を所定の圧力に調整する。
【００２６】
チャンバ１０３の内部には、サセプタ１０２が、回転部１０４の上に設けられている。サセプタ１０２は、ＳｉＣウェハ１０１の外周部を支持する第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分に密嵌される第２のサセプタ部１０２ｂとからなる。第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂは、高温下にさらされることから、例えば高純度のＳｉＣを用いて構成される。
【００２７】
サセプタ１０２は、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとが一体化されたものであってもよい。また、サセプタ１０２は、第２のサセプタ部１０２ｂがなく第１のサセプタ部１０２ａのみから構成されていてもよい。但し、ヒータ１２０や回転部１０４で発生した汚染物質によってＳｉＣウェハ１０１が汚染されるのを防ぐ点から、第２のサセプタ部１０２ｂを設ける構成とすることが好ましい。
【００２８】
回転部１０４は、回転胴１０４ａと、回転ベース１０４ｂと、回転軸１０４ｃとを有している。サセプタ１０２を支持する回転胴１０４ａは、回転ベース１０４ｂの上に固定されている。回転胴１０４ａは、本発明の支持部に対応していて、上部にサセプタ１０２を、内部にヒータ１２０をそれぞれ配置する。また、回転ベース１０４ｂは、ネジ１０６によって回転軸１０４ｃに接続している。
【００２９】
回転軸１０４ｃは、チャンバ１０３の外部まで延設されており、図示しない回転機構に接続している。回転軸１０４ｃが回転することにより、回転ベース１０４ｂおよび回転胴１０４ａを介してサセプタ１０２を回転させることができ、ひいてはサセプタ１０２に支持されたＳｉＣウェハ１０１を回転させることができる。成膜時にＳｉＣウェハ１０１を回転させることで、均一な厚みの膜を形成できる。回転胴１０４ａは、ＳｉＣウェハ１０１の中心を通り、且つ、ＳｉＣウェハ１０１に直交する線を軸として回転することが好ましい。
【００３０】
図１において、回転胴１０４ａは、上部が解放された構造であるが、サセプタ１０２が設けられることにより、上部が覆われて中空領域（以下、Ｐ２領域と称す。）を形成する。尚、第２のサセプタ部１０２ｂがない場合には、ＳｉＣウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａで支持されることでＰ２領域が形成される。ここで、チャンバ１０３内をＰ１領域とすると、Ｐ２領域は、サセプタ１０２によって実質的にＰ１領域と隔てられた領域となる。
【００３１】
Ｐ２領域には、ＳｉＣウェハ１０１を裏面から加熱するヒータ１２０が設けられている。ヒータ１２０は、アーム状のブースバー１２１によって支持されている。ブースバー１２１は、ヒータ１２０を支持する側とは反対の側の端部で電極１２２に接続している。
【００３２】
ヒータ１２０は、後述する本実施の形態の方法により製造されたものである。また、ブースバー１２１は、導電性の高耐熱性部材、例えば、ＳｉＣをコートしたＣ（カーボン）材からなる。電極１２２はＭｏ（モリブデン）製である。これにより、ヒータ支持部であるブースバー１２１を介して、電極１２２からヒータ１２０への給電が可能となっている。具体的には、電極１２２から後述するヒータ１２０の発熱体に通電がされて発熱体が昇温する。
【００３３】
尚、本実施の形態では、インヒータとアウトヒータの２種類のヒータによってＳｉＣウェハ１０１を加熱する構成としてもよい。この場合、アウトヒータは、サセプタ１０２の周縁部を主に加熱するようにし、インヒータは、アウトヒータの下部に配置されて、サセプタ１０２の周縁部以外を主に加熱するようにすることができる。このようにすることにより、ＳｉＣウェハ１０１をより均一に加熱できるので、ＳｉＣウェハ１０１の温度分布の均一性が向上する。
【００３４】
加熱により変化するＳｉＣウェハ１０１の表面温度は、チャンバ１０３の上部に設けられた放射温度計１４０によって計測される。放射温度計１４０は、本発明における温度測定部を構成する。尚、シャワープレート１２４を透明石英製とすることによって、放射温度計１４０による温度測定がシャワープレート１２４で妨げられないようにすることができる。計測した温度データは、図示しない制御機構に送られた後、ヒータ１２０の出力制御にフィードバックされる。これにより、ＳｉＣウェハ１０１を所望の温度となるように加熱できる。
【００３５】
次に、本実施の形態のヒータ１２０について説明する。
【００３６】
ヒータ１２０は、発熱体としてＳｉＣ焼結体を用いたＳｉＣヒータである。ＳｉＣ焼結体は、粒界に不純物の少ない微細で均一な組織を有しており、高い導電性を備える。尚、耐熱性の観点ではＳｉＣよりＣ（カーボン）の方が良好であるが、不純物などがエピタキシャル膜へ及ぼす影響を考慮するとＳｉＣを用いることが好ましい。
【００３７】
ヒータ１２０は、通電により発熱する発熱体を有している。この発熱体は、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートがされており、かかるＳｉＣコートは、温度を変えて順次成膜された複数のＳｉＣ膜からなることを特徴としている。
【００３８】
ＳｉＣ焼結体は、ＳｉＣ粉末を焼結して得られる。この場合、例えば、平均粒径の異なる複数のＳｉＣ粉末を混合し、これを焼結して、ＳｉＣ焼結体とすることができる。各ＳｉＣの平均粒径とこれらの混合比率を選択することで、所望の電気比抵抗を示すＳｉＣを得ることが可能である。混合物は所望の形状に成形された後に所定の温度で焼結される。尚、焼結方法、焼結時の雰囲気はいずれも制限されない。
【００３９】
上記のようにして得られた所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートを行う。このとき、成膜温度を段階的に上げながら、複数のＳｉＣ膜によってＳｉＣ焼結体をコートする。つまり、ＳｉＣ焼結体の表面をそれぞれ異なる温度で形成された複数層のＳｉＣ薄膜で被覆する。複数層のＳｉＣ薄膜は、外側の層ほど高い成膜温度となるようにする。
【００４０】
図２は、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートをする様子を示した断面図である。この図のように、まず、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ１に昇温し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって１層目のＳｉＣ膜２をＳｉＣ焼結体１の表面に形成する（図２（ａ））。次に、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ２（Ｔ２＞Ｔ１）に昇温し、同様にして２層目のＳｉＣ膜３を１層目のＳｉＣ膜２の上に形成する（図２（ｂ））。次いで、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ３（Ｔ３＞Ｔ２）に昇温し、３層目のＳｉＣ膜４を２層目のＳｉＣ膜３の上に形成する（図２（ｃ））。さらに、ＳｉＣ焼結体１を温度Ｔ４（Ｔ４＞Ｔ３）に昇温し、４層目のＳｉＣ膜５を３層目のＳｉＣ膜４の上に形成する（図２（ｄ））。ＳｉＣ層２〜５の各膜厚は、数十μｍ程度とすることが好ましく、例えば５０μｍとすることができる。
【００４１】
ヒータの使用可能温度範囲を２０００℃程度までとしたい場合には、例えば、Ｔ１＝１４００℃、Ｔ２＝１６００℃、Ｔ３＝１８００℃、Ｔ４＝２０００℃とすることが好ましい。ここで、Ｔ１＝１４００℃とするのは、ＳｉＣの耐熱性が１４００℃程度であるからである。また、Ｔ４＝２０００℃は、所望とする使用可能温度範囲を考慮したものである。この場合、各成膜温度は±５０℃の範囲で上下してもよい。成膜温度を段階的に変えることで、ＳｉＣ焼結体やＳｉＣ膜にクラックが入るのを防ぐことができる。この効果は成膜温度を細かく変えた方が得やすいが、実際に何段階とするかは成膜装置側の温度制御性や生産性などを考慮して決定される。尚、昇温は、ＳｉＣ焼結体１に通電し電気抵抗加熱することで行ってもよい。
【００４２】
図３は、ヒータ１２０の平面図の一例である。この図において、ヒータ１２０は、ＳｉＣコートされたＳｉＣ焼結体を短冊状に加工し、これを複数組み合わせて円盤状としたものである。尚、図２（ｄ）は、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図に対応する。
【００４３】
このように、成膜温度を段階的に上げながらＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートをすると、耐熱性に優れたヒータを製造することができる。つまり、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートを１層すると、ＳｉＣ焼結体単体よりも耐熱性を挙げることができるが、さらに、成膜温度を段階的に変えながら複数層のＳｉＣコートをすることで、より耐熱性に優れたものとすることができる。例えば、焼結したＳｉＣからなるヒータの使用可能温度範囲は１４００℃程度までであるが、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートを１層したヒータの使用可能温度範囲は１６００℃程度までである。そして、本実施の形態の方法により製造されたヒータの使用可能温度範囲は２０００℃程度まで向上する。
【００４４】
本実施の形態による成膜方法の一例について、図１を参照しながら説明する。
【００４５】
まず、サセプタ１０２の上にＳｉＣウェハ１０１を載置し、例えば、数１０ｔｏｒｒの減圧下でＨ２（水素）ガスを流しながら、回転部１０４に付随させて、ＳｉＣウェハ１０１を５０ｒｐｍ程度で回転させる。
【００４６】
次に、ヒータ１２０によってＳｉＣウェハ１０１を成膜温度まで徐々に加熱する。ヒータ１２０は、ＳｉＣ焼結体にＳｉＣコートがされており、かかるＳｉＣコートは、温度を変えて順次成膜された複数のＳｉＣ膜からなるので、２０００℃程度の高温においても十分な耐熱性を有することが可能である。
【００４７】
放射温度計１４０による測定でＳｉＣウェハ１０１の温度が成膜温度に達したことを確認した後は、徐々にＳｉＣウェハ１０１の回転数を上げていく。そして、ガス供給部１２３からシャワープレート１２４を介して原料ガスをチャンバ１０３の内部に供給する。本実施の形態においては、原料ガスとしてＳｉＨ４（モノシラン）およびＣ３Ｈ８（プロパン）を用いることができ、キャリアガスとしてのＨ２ガスと混合した状態で、ガス供給部１２３からチャンバ１０３の内部に導入する。尚、ＳｉＨ４に代えて、ＳｉＨ６（ジシラン）、ＳｉＨ３Ｃｌ（モノクロロシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン）、ＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン）、ＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）などを用いてもよい。
【００４８】
チャンバ１０３の内部に導入された原料ガスは、ＳｉＣウェハ１０１の方に流下する。そして、ＳｉＣウェハ１０１の温度を成膜温度に維持し、サセプタ１０２を９００ｒｐｍ以上の高速で回転させながら、ガス供給部１２３からシャワープレート１２４を介して次々に新たな原料ガスをＳｉＣウェハ１０１に供給する。これにより、高い成膜速度で効率よくエピタキシャル膜を成膜させることができる。例えば、パワー半導体の用途では、３００ｍｍのＳｉＣウェハ上に１０μｍ以上、多くは１０μｍ〜１００μｍ程度の厚膜が形成される。厚膜を形成するには、成膜時の基板の回転数を高くするのがよく、例えば、上記のように９００ｒｐｍ程度の回転数とするのがよい。
【００４９】
成膜処理を終えた後は、ヒータ１２０の温度を下げる。ＳｉＣウェハ１０１の温度が十分に低下したら、ＳｉＣウェハ１０１をチャンバ１０３の外部へ搬出する。
【００５０】
以上述べたように、本発明の方法により製造されたヒータは、耐熱性が高く、ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に十分使用可能である。そして、このヒータを備えた成膜装置は、高温下で基板を加熱しながら基板上にＳｉＣ膜などの所定の膜を形成することができる。
【００５１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５２】
上記実施の形態では、成膜室内に載置されるウェハを回転させながら成膜処理を行う例について述べたが、本発明はこれに限られるものではない。本発明の成膜装置は、ウェハを回転させないで成膜してもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に反応ガスを供給し、ウェハを加熱しながらその表面に膜を形成する成膜装置であれば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置などの他の成膜装置であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１００…成膜装置
１０１…ＳｉＣウェハ
１０２…サセプタ
１０３…チャンバ
１０４…回転部
１０４ａ…回転胴
１０４ｂ…回転ベース
１０４ｃ…回転軸
１０６…ネジ
１２０…ヒータ
１２１…ブースバー
１２２…電極
１２３…ガス供給部
１２４…シャワープレート
１２５…ガス排気部
１２６…調整弁
１２７…真空ポンプ
１２８…排気機構
１４０…放射温度計
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電により発熱する発熱体を備えたヒータの製造方法において、
所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体を得る工程と、
前記ＳｉＣ焼結体の表面を複数層のＳｉＣ薄膜で被覆して前記発熱体を得る工程とを有し、
前記複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度であることを特徴とするヒータの製造方法。
【請求項２】
前記発熱体を得る工程は、前記ＳｉＣ焼結体に接する１層目のＳｉＣ薄膜を１４００℃±５０℃で形成することを特徴とする請求項１に記載のヒータの製造方法。
【請求項３】
前記発熱体を得る工程は、前記ＳｉＣ焼結体の表面に１４００℃±５０℃で第１のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
前記第１のＳｉＣ薄膜の表面に１６００℃±５０℃で第２のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
前記第２のＳｉＣ薄膜の表面に１８００℃±５０℃で第３のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
前記第３のＳｉＣ薄膜の表面に２０００℃±５０℃で第４のＳｉＣ薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１または２に記載のヒータの製造方法。
【請求項４】
成膜室と、
前記成膜室内に載置される基板を加熱するヒータとを備えた成膜装置において、
前記ヒータは、通電により発熱する発熱体を備えており、
前記発熱体は、ＳｉＣ焼結体の表面に複数層のＳｉＣ薄膜が被覆されてなり、前記複数層のＳｉＣ薄膜は、外側の層ほど高い成膜温度で形成されたものであることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを上部に配置し前記ヒータを内部に配置する支持部と、
前記成膜室の下部に設けられて前記支持部を回転させる回転軸とを備えたことを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項１】
通電により発熱する発熱体を備えたヒータの製造方法において、
所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体を得る工程と、
前記ＳｉＣ焼結体の表面を複数層のＳｉＣ薄膜で被覆して前記発熱体を得る工程とを有し、
前記複数層のＳｉＣ薄膜は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度であることを特徴とするヒータの製造方法。
【請求項２】
前記発熱体を得る工程は、前記ＳｉＣ焼結体に接する１層目のＳｉＣ薄膜を１４００℃±５０℃で形成することを特徴とする請求項１に記載のヒータの製造方法。
【請求項３】
前記発熱体を得る工程は、前記ＳｉＣ焼結体の表面に１４００℃±５０℃で第１のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
前記第１のＳｉＣ薄膜の表面に１６００℃±５０℃で第２のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
前記第２のＳｉＣ薄膜の表面に１８００℃±５０℃で第３のＳｉＣ薄膜を形成する工程と、
前記第３のＳｉＣ薄膜の表面に２０００℃±５０℃で第４のＳｉＣ薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１または２に記載のヒータの製造方法。
【請求項４】
成膜室と、
前記成膜室内に載置される基板を加熱するヒータとを備えた成膜装置において、
前記ヒータは、通電により発熱する発熱体を備えており、
前記発熱体は、ＳｉＣ焼結体の表面に複数層のＳｉＣ薄膜が被覆されてなり、前記複数層のＳｉＣ薄膜は、外側の層ほど高い成膜温度で形成されたものであることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを上部に配置し前記ヒータを内部に配置する支持部と、
前記成膜室の下部に設けられて前記支持部を回転させる回転軸とを備えたことを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−１０５９９９（Ｐ２０１１−１０５９９９Ａ）
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６３８２１（Ｐ２００９−２６３８２１）
【出願日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【出願人】（５０４１６２９５８）株式会社ニューフレアテクノロジー (669)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【出願人】（５０４１６２９５８）株式会社ニューフレアテクノロジー (669)
【Ｆターム（参考）】
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