【課題】 短時間で食材に適切な焦げ目を付けた状態で加熱調理することができる陶磁器製の電子レンジ用耐熱皿を提供すること。
【解決手段】 炭化珪素を主材とし、焼結材、低膨張焼結材及び成形保持材に水を添加して混練した皿形成材を皿状に成形して皿素材を形成し、炭化珪素を主材とし、蛙目粘土、ペタライトに水を添加して混練したコーティング材を上記皿素材の表面に塗布し、その後、上記コーティングした上記皿素材を焼成して素焼きの皿を形成し、上記素焼きの皿の表面に釉薬をコーティングして再度焼成することにより電子レンジ用耐熱皿を形成する。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体１の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜（水酸化アルミニウム膜２）が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜２は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜２から窒化アルミニウム質基体１への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜２と窒化アルミニウム質基体１との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＮ製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面２がＰＢＮからなる本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面をＰＢＮオーバーコート３で被覆して、ＰＢＮオーバーコート製品４が製造される。ＰＢＮオーバーコートの膜厚を７００μｍ以下とすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。黒鉛はＰＢＮの物性に悪影響を与えないので、これを用いて形成されるトレーサビリティ表示が本体ＰＢＮ表面とＰＢＮオーバーコートとの間に介在しても、ＰＢＮ製品本来の機能や耐久性を損なわない。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工ですぐれた耐剥離性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素の含有量が５０〜８５容量％のｃＢＮ基超高圧焼結体の表面に硬質被覆層を形成してなる切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、０．５〜５μｍの平均層厚を有する下部層と上部層とからなり、（ｂ）下部層は、ＴｉＮ膜からなり、上部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．１５〜０．６５）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなり、（ｃ）逃げ面、すくい面、ホーニング部のナノインデンテーション硬さ、残留応力、表面粗さを所定の値とする。 （もっと読む）

【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。
【解決手段】ハニカム構造体２０は、流体の流路となる複数のセル２３を形成する隔壁部２２を備えている。このハニカム構造体２０は、隔壁部２２の一部に形成されＳｉＣ相とＳｉ酸化物とＡｌ酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Ｓｉと金属Ａｌとを含み金属Ｓｉと該金属Ａｌとの総量に対する金属Ａｌの割合が０．００１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下である金属相とを有する電極部３２と、隔壁部２２の一部であり電極部３２より体積抵抗率が高い発熱部３４とを備えている。このハニカム構造体は、ＳｉＣ相とＳｉ酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Ｓｉと金属Ａｌとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Ｓｉ及び金属Ａｌをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 （もっと読む）

【課題】押出成形など、低コストの成形法に対して、同じく低コストでかつ環境負荷が少ない酸による洗浄法による半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法を提供する。
【解決手段】水系押出成形において、成形体を乾燥後、不活性ガス雰囲気中で３５０〜４５０℃の温度で熱処理する脱脂工程と、酸で洗浄する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて容易に電気抵抗率の温度変化依存性を抑制することが可能なハニカム構造体を提供する。
【解決手段】本発明では、セル壁によって区画された柱状のハニカムユニットを含んで構成されたハニカム構造体であって、前記ハニカムユニットのセル壁および／または外周壁に一対の電極が配置されており、前記ハニカムユニットのセル壁は、セラミック製の骨材および該骨材によって構成された気孔からなるとともに、前記セル壁には、前記骨材を構成するセラミックよりも電気抵抗率が低い物質が含まれていることを特徴とするハニカム構造体が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基材に対する密着性に優れ、より高い酸化防止効果を付与することができる被膜を備え、かつ、優れた耐熱衝撃性を有するＳｉＣ焼成用道具材を提供する。
【解決手段】多孔質ＳｉＣ基材と、前記基材のＳｉＣ結晶表面に形成される酸化物膜とからなるＳｉＣ焼成用道具材において、前記酸化物膜の組成を、ＳｉＯ₂が６５重量％以上９０重量％以下、残部がＡｌ₂Ｏ₃及びＹ₂Ｏ₃とし、かつ、前記Ａｌ₂Ｏ₃及びＹ₂Ｏ₃の重量組成比を２０：８０〜６０：４０とする。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘って、すぐれた仕上げ面精度を維持しつつ、同時にすぐれた耐摩耗性を発揮し得るＣＢＮインサートを提供する。
【解決手段】逃げ面に溝と被膜が形成されたＣＢＮインサートにおいて、
（ａ）その被膜後の溝形状が溝の凹凸を含む断面を見た時、溝幅Ｗ１とテラス幅Ｗ２はＷ１が１〜２５μｍ、Ｗ２が３〜２５μｍ、表面から溝の最も低い位置までの高さＨが１．５〜１５μｍであり、１つのテラスと溝の組み合わせを１周期とした時、２周期以上で構成される形状であり、
（ｂ）溝が形成される逃げ面内の領域が、チャンファーホーニング面と逃げ面の交線から逃げ面側に５〜３００μｍの範囲であり、
（ｃ）溝を形成する方向が、刃先稜線と平行な線と溝形成方向の成す角θ（刃先先端と反対方向）が
−１０°≦θ≦１０°の範囲であることを特徴とするＣＢＮインサート。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性と靭性とを備えたセラミックス焼結体を実現する。
【解決手段】セラミックス焼結体を、β型窒化ケイ素および／またはβ型サイアロンを主体とし、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含む基材と、物理蒸着法により、前記基材の少なくとも一部を被覆する硬質セラミックス皮膜とから形成する。基材に、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含むため、この基材上に形成される硬質セラミックス皮膜の結晶構造が適切なものとなる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体のポアを無くし、高い耐プラズマ性を有する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法によって製造された炭化ケイ素焼結体と同レベルの耐食性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 （もっと読む）

【課題】流体の温度を安定的にかつ短時間に上昇させることができる流体昇温用フィルターおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンおよび炭化ケイ素を含有しており、マイクロ波によって加熱されて用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット１１が接着層１２を介して４個接着されており、ハニカムユニット１１の外周面には、一対の帯状電極１３が形成されており、４個の一対の帯状電極１３と電気的に接続されている一対の導電部材１４が設置されている。 （もっと読む）

【課題】隔壁の細孔内に多量の触媒を担持することが可能なハニカム構造体、および、多量の触媒を担持しかつ圧力損失が低い隔壁を有するハニカム触媒体を提供する。
【解決手段】多孔質の隔壁３によって区画形成された流体の流路となる複数のセル５を有し、隔壁３は、気孔率６０〜７５％、平均細孔径１５〜６０μｍ、および厚さ０．０５〜０．５１μｍであり、セル５の密度が１５〜３１（セル／ｃｍ^２）であるハニカム構造体１、および、前記ハニカム構造体１の隔壁３の細孔１１内に触媒２１ｂを担持させたハニカム触媒体３０。 （もっと読む）

【課題】クレータ摩耗の発生を低減し、耐チッピング性の向上を図った立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料を工具基体とする立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具、表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体を超硬合金母材にろう付け接合した立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具、あるいは、さらに、工具基体と超硬合金母材の表面に硬質膜を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分である立方晶窒化ほう素粒子の表面を、該粒子の平均直径の１／２以下の平均被覆厚さの酸化アルミニウムによって均一に切れ間なく被覆しておくことにより、クレータ摩耗発生の低減、耐チッピング性の向上を図り、また、蒸着時の高温によるろう付け部からの刃先の脱落防止を図る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、上記SiCを70体積％超含有し、熱膨張係数が4ppm/K以上8ppm/K以下であり、熱伝導率が180W/m・K以上である。この複合部材は、半導体素子との熱膨張係数の整合性に優れる上に、放熱性にも優れるため、半導体素子の放熱部材に好適に利用できる。上記非金属無機材料は、上記非金属無機材料同士を結合するネットワーク部を有する焼結体などの成形体を利用することで、複合部材中の非金属無機材料の含有量を容易に高められる上に、複合部材中に上記ネットワーク部が存在することで熱特性に優れる。 （もっと読む）