【課題】キャリアガス中の液体原料の蒸気の飽和度を向上可能な気化原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクを第１の温度に制御する第１の温度制御部と、前記貯留タンク内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入管と、前記貯留タンクに接続され、前記キャリアガス導入管から前記貯留タンク内に導入された前記キャリアガスに前記液体原料の蒸気が含まれることにより生成される処理ガスを前記貯留タンクから流出させる処理ガス導出管と、前記処理ガス導出管が接続される流入口、前記流入口から流入する前記処理ガスを流出させる流出口を備える容器と、前記容器内の前記流入口と前記流出口の間に設けられ、前記処理ガスの流れを妨げる障害部材と、前記容器を前記第１の温度よりも低い第２の温度に制御する第２の温度制御部とを備える気化原料供給装置により上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層が柱状結晶組織のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着した表面被覆切削工具であって、下部層の最表面層が、５００ｎｍ以上の層厚を有するＴｉＣＮ層からなり、該ＴｉＣＮ層の層厚方向５００ｎｍまでの深さ領域にのみ平均含有量０．５〜３原子％の酸素が含有され、また、下部層直上におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．１〜０．３μｍであり、上部層の上方におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．５〜１．０μｍであって、しかも、上部層全体のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒について、工具基体表面の法線に対する（０００１）面の法線がなす傾斜角が０〜１０度であるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、全体で４５面積％以上、界面から上部層の膜厚１μｍ未満では（０００１）配向が１０%未満、（０２−２１）配向が３０%以上である。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上部層のＡｌ_２Ｏ_３粒について、（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、隣接する測定点からの測定傾斜角の角度差が５度以上である場合に異なる結晶粒であるとして結晶粒を特定し、個々の結晶粒のアスペクト比を求めた場合、アスペクト比が５未満である結晶粒が面積比で１０〜５０％、アスペクト比が５以上である結晶粒が面積比で５０〜９０％を占め、また、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、アスペクト比が５未満の結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度未満、一方、上記アスペクト比が５以上である結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度以上を示す。 （もっと読む）

【課題】 堆積膜の軸方向の特性のムラが抑制された電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ｉ）円筒状基体を含む柱状電極が内部に設置され、柱状電極に離間して対向する対向電極を内部に含む減圧可能な反応容器の内部に、堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、（ｉｉ）電源から柱状電極に電力を供給することで、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を対向電極と柱状電極の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、工程（ｉｉ）において、柱状電極の一方の端部領域を経由する電力の供給と他方の端部領域を経由する電力の供給との切り替えを少なくとも１回行う。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極１０は炭素基材２０と、ダイヤモンド層３０とを含んでいる。ダイヤモンド層３０は、ダイヤモンド種結晶３１と、このダイヤモンド種結晶３１から成長するとともに炭素基材２０表面を被覆する成長層３２とを含んで構成される。成長層３２は、ダイヤモンド種結晶３１の下方に、ダイヤモンド種結晶３１から成長し、炭素基材２０と接する成長領域３２１を含む。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の均一性と特性の向上及び画像欠陥の抑制を同時に達成可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】減圧可能な反応容器の内部への円筒状基体設置工程と、反応容器の内部への堆積膜形成用原料ガス導入工程と、反応容器の内部にあって円筒状基体とは離間して配置された電極、および円筒状基体の、一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、正弦波の交番電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成工程と、を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、交番電圧の周波数が１０ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下で、電極と円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が、正であるときの電位差の絶対値の最大値、および負であるときの電位差の絶対値の最大値は、一方が放電維持電圧未満の値であって、他方が放電開始電圧以上の値である。 （もっと読む）

【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板２に堆積させることにより膜を成長させる光ＣＶＤ装置（成膜装置）１であって、光源１３と基板２を保持する試料台（基板保持部）１４の間に遮光板（遮光部材）２０を配置する。遮光板２０は、基板２の成膜面２ａと対向する裏面２０ａ、裏面２０ａの反対側に位置する表面２０ｂ、裏面２０ａおよび表面２０ｂのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔２１を有している。また、遮光板２０の裏面２０ａと基板２の成膜面２ａの距離Ｃ１は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程（ステップ１１）と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程（ステップ１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】放電の均一性を上げて軸方向の電位ムラを改善し、濃度ムラのない高品位な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状の中心電極の少なくとも一部を兼ねる円筒状基体１０２を、減圧かつ電気的に接地された反応容器１０１の内部に設置し、電源１０７から前記中心電極の一方の端部領域を経由して電力を供給することで前記中心電極と反応容器１０１との間に交番電圧を印加し、前記円筒状基体１０２の上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記中心電極の端部領域であって前記電源に接続されている端部領域とは反対側の端部領域の内側に、電気的に接地された円筒状可動部材１０８を誘電体を介して挿入することでコンデンサーを形成し、前記円筒状可動部材の侵入部分１１３の長さを変化させることによって前記コンデンサーの容量を堆積膜形成処理中に変化させる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を向上させた、信頼性の高いアルミニウム素線およびこれを備えた被覆電線を提供することにある。
【解決手段】複数本撚り合わせることにより、アルミニウム撚り線１５として用いるアルミニウム素線１０である。アルミニウム素線１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム線材１１の表面に、非晶質炭素被膜１２が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層が化学蒸着された下部層と上部層とからなり、（ａ）前記下部層は、少なくとも１層のＴｉの炭窒化物層を含み、かつ、３〜２０μｍの合計平均層厚を有する１層または２層以上からなるＴｉ化合物層、（ｂ）前記上部層は、１〜２５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層、であり、前記下部層を構成する少なくとも１層のＴｉの炭窒化物層は、柱状縦長成長ＴｉＣＮ結晶組織を有しており、その組織内に微粒ＴｉＣＮが分散分布している構成とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削、高速断続切削ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層がα型Ａｌ_２Ｏ_３層からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる表面被覆切削工具であって、下部層直上のＡｌ_２Ｏ_３結晶粒の３０から７０％は（１１−２０）配向Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒からなり、上部層の全Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の４５％以上は、（０００１）配向Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒からなり、さらに好ましくは、下部層の最表面層は、５００ｎｍまでの深さ領域にわたってのみ０．５から３原子％の酸素を含有する酸素含有ＴｉＣＮ層からなり、また、下部層最表面層の酸素含有ＴｉＣＮ結晶粒数と、下部層と上部層の界面におけるＡｌ_２Ｏ_３結晶粒数との比の値が０．０１から０．５である表面被覆切削工具。 （もっと読む）