【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 （もっと読む）

【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた耐熱亀裂性、耐熱性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の縦長成長結晶組織を有するＴｉの炭窒化物（ｌ−ＴｉＣＮ）層を含むＴｉ化合物層からなる下部層と酸化アルミニウム層からなる上部層を被覆形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面に形成されたｌ−ＴｉＣＮ層のそれぞれについて、測定領域にある結晶粒の（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界とし、粒界として識別される部分のうち（００１）面の法線同士、（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の合計長さ（μｍ）を求めたとき、逃げ面の測定領域で求められた粒界の合計長さＧ_Ｆ（μｍ）とすくい面の測定領域で求められた粒界の合計長さＧ_Ｃ（μｍ）は、Ｇ_Ｆ／Ｇ_Ｃ＞１．５の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンの品質を保ちながら、転写プロセスを必要としない透明の絶縁体基板上にグラフェンを直接成膜する
【解決手段】MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材、高Ｓｉ含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金で構成された工具基体表面に、下部層として結晶性ダイヤモンド膜、上部層として微結晶ナノダイヤモンド膜を被覆し、刃先稜線部のみ、ウエットブラスト処理等により下部層を露出させたダイヤモンド被覆切削工具において、工具の刃先稜線部に形成されている下部層の圧縮残留応力分布を測定した場合、下部層の露出表面の残留応力値σｓは１．５〜３ＧＰａであって、しかも、刃先稜線部に形成されている下部層の膜厚の１／２の位置における残留応力値をσ_１／２とした場合、σｓ／σ_１／２の値は、０．８〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後や経時保存後も高いガスバリア性を維持し、生産性が高く安価に製造可能なガスバリア性フィルムとその製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供することである。
【解決手段】金属酸化物を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法において、該ガスバリア性フィルムを絶対湿度が０．００１〜３ｇ／ｍ^３の環境下において、水と反応する材料を該ガスバリア層表面に接触させることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１つのアンテナ電極から大きなプラズマを発生させることができるプラズマ用アンテナ電極及びプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、マイクロ波を受信してプラズマを発生させるプラズマ用アンテナ電極であって、マイクロ波を受信する主受信部２１と、主受信部２１の一端から延びる第一電極部２２と、主受信部２１の他端から延び、先端が第一電極部２２の先端と離間且つ近接している第二電極部２３と、を備える導体からなり、導体のうち主受信部がマイクロ波を受信して、定常波を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】格子定数や歪などの情報も共通化させ、より結晶性の優れたモザイク状の単結晶を提供する。
【解決手段】種基板上に気相合成法によって単結晶ダイヤモンドを合成した後、その成長界面付近で種基板と成長層とを分離し、分離面が上面になるように配置して並べ、該２枚の基板上にダイヤモンドをエピタキシャル成長させて１枚の接合したダイヤモンド基板を作製する。さらに、上記で得た接合したダイヤモンド基板を種基板として利用し、２回、３回と同じ操作を繰り返すことによって、単結晶基板を大きくしてゆける。これにより、種結晶基板の結晶学的特徴を有する単位Ａ（種結晶の表面に由来）と、種結晶基板の結晶学的特徴と鏡像関係を有する単位Ｂ（成長層の分離面に由来）とがモザイク状に並んだ単結晶ダイヤモンド基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、機械部品用コーティング（１）に関する。
【解決手段】本発明のコーティングは、機械部品（２）と接触するように意図された水素含有アモルファス炭化ケイ素の第一層（３）、積層構造（４）、および水素含有アモルファスカーボンの外側層（５）を含んでなる。上記の積重構造（４）は、水素含有アモルファスカーボンと水素含有アモルファス炭化ケイ素との交互層（４ａ、４ｂ）を含んでなる。被覆の総厚は、好ましくは１０〜２０マイクロメートルである。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１を加熱する加熱手段２０６と、第１の熱電対２６３により基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、第２の熱電対２６４により加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、第１の温度検出手段により検出された温度、及び第２の温度検出手段により検出された温度に基づき制御する第１の制御手段と、第２の熱電対により検出された温度に基づき制御する第２の制御手段と、検出された温度に従って、第１の制御手段と第２の制御手段による制御とを切り替える制御切り替え手段を有し、第１の熱電対２６３は第２の熱電対２６４に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の熱電対２６４は第１の熱電対２６３と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（酸化アルミニウム層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記酸化アルミニウム層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａは４＜ｂ／ａ＜２０であり、さらに、上記酸化アルミニウム層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径は０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（Ａｌ_２Ｏ_３層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記Ａｌ_２Ｏ_３層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａを切れ刃部においては０．８＜ｂ／ａ＜１．２を満足し、さら上記Ａｌ_２Ｏ_３層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径が０．１μｍ以下であり、逃げ面部およびすくい面部においては、４＜ｂ／ａ＜２０を満足し、さら上記Ａｌ_２Ｏ_３層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径が０．１〜０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】鋼や鋳鉄等の高速連続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層（但し、上部層と接する下部層は改質ｌ−ＴｉＣＮ層）と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記改質ｌ−ＴｉＣＮ層は、Ａｌ_２Ｏ_３層との界面から改質ｌ−ＴｉＣＮ層内部側に深さ０．５〜２．０μｍの範囲内の間隔をおいて、酸素含有量の複数のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である少なくとも３つの酸素濃化領域を備え、また、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、測定領域の粒界の全長ＧＢ_Ｌ（μｍ）と、測定領域の面積Ｇ_Ａ（μｍ^２）が、ＧＢ_Ｌ／Ｇ_Ａ＝２２〜４１の関係を満足する微細結晶Ａｌ_２Ｏ_３層である。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性の高い材料で作製され、真空容器内に配置されるインナーが真空容器内でずれたり破損したりするのを低減することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】容器内に配置され基板が載置される回転テーブルと、回転テーブルに対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、回転テーブルに対して第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部とを含む成膜空間を画成する、容器を構成する材料よりも耐食性に優れる材料で作製される区画部材が容器内に設けられる成膜装置が開示される。この成膜装置は、成膜空間の圧力を測定する圧力測定部と、成膜空間の外側の空間の圧力を測定する圧力測定部と、を備え、これらの測定を通して、成膜空間の外側の空間の圧力が成膜空間の圧力よりも僅かに高い圧力に維持される。 （もっと読む）

【課題】新規な中間層を基材とＤＬＣ膜との間に形成し、これにより、基材に対するＤＬＣ膜の密着力が高い被覆部材を提供すること。
【解決手段】ＤＬＣ被覆部材１００は、基材２００と、基材２００の表面を覆う中間層３００と、中間層３００の表面を覆うＤＬＣ膜４００とを含む。中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。５層の層３０１〜３０５は、いずれもＳｉが添加されたＤＬＣからなる。層３０１〜３０５の中では、第１中間層３０１のＳｉ濃度が最も高く、次いで第５中間層３０５のＳｉ濃度が高い。また、第２、第３および第４中間層３０２，３０３，３０４のＳｉ濃度は、第１および第５中間層３０１，３０５のＳｉ濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材１００の成膜面１００ａに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材１００の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第１の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第２の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第１の空間および第２の空間と重なるように基材１００を搬送し、第１の空間または第２の空間を通過した後に、表面が基材１００より柔らかい搬送ロール２２，２３で成膜面１００ａを保持しながら、基材１００を搬送する。 （もっと読む）