【課題】 反応ガスの使用量を低減して、半導体ウェーハの表面に均一に薄膜を形成し、サセプタの回転機構の損耗を低減して、装置のメンテナンス性を向上させる。
【解決手段】 化学気相成長装置１は、反応ガスを導入可能な反応室２と、半導体ウェーハ３を下面側に支持具１２で装着可能であり、前記反応室２内に支持脚１３に固定して配置されたサセプタ４と、支持脚１３を介してサセプタ４をその軸回りに回転させる回転機構５と、サセプタ４に装着された半導体ウェーハ３を加熱するヒータ６と、半導体ウェーハ３の表面３ａに反応ガスをノズル管７ａで吹き付けるノズル７とを備え、ノズル管７ａは、先端部側が反応室２内に突き出して設けられ、先端開口部７ｄが半導体ウェーハ３の下方を向く表面３ａに対向され、かつ半導体ウェーハ３の直径方向における中心Ｃからの位置Ｅを該中心Ｃと外周縁との中間部に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 原料ガス、キャリアガスの冷却能力、原料ガスの利用効率及び成長膜の品質を向上させる。
【解決手段】 成長室１に、基板保持台２と、加熱手段３と、基板Ｓに原料ガス及びキャリアガスを供給するガス供給部５とを備えた気相成長装置において、ガス供給部５が成長室１の天板をなす円盤体であり、その上部にガス導入口１１〜１５とガス分配空間を設け、下面に全域に亙って複数のガス噴出口を設け、ガス分配空間とガス噴出口を連通するガス通路を基板保持台２の軸線Ｙと平行に設け、円盤体の外周に冷媒ジャケット２０を形成し、円盤体の中心部から半径方向に延びる冷媒集合通路を３箇所以上設けて冷媒排出口２３を接続し、冷媒ジャケット２０から冷媒集合通路へ連通する冷媒通路を、上下段に、且つガス通路を四囲から冷却するよう配設する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体製造装置を使用し続ける中で、エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動を低減することのできる化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス流路４を形成する上壁の一部として板状のサセプタ１を設ける一方、このサセプタ１に対向してガス流路４の下面側に対向板７を設けると共に、対向板７の下側に冷却ジャケット８を設け、対向板７の温度を対向板表面に堆積物が生じにくいように制御する為、冷却ジャケット８に、ヒータ９と温調器を設け、板状のサセプタ１に、複数の基板３をサセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し且つその成長面をガス流路４側に向けて支持し、その基板３の裏面側からサセプタ１をヒータ５で加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガス６を流し、加熱された基板３上で半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、サセプタとこれを嵌め込んだフローチャネル開口部との擦れを検知する方法を提供することにある。
【解決手段】 サセプタ１を導電性材料で構成すると共に、このサセプタ１との嵌め合わせ部分であるフローチャネル開口部５における内周縁部２ｂを導電性材料で構成し、この内周縁部２ｂとサセプタ１間の導通の有無により、回転時にサセプタ１がフローチャネル開口部５に擦れたかどうかを検知する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の導入口に近い位置での強いプラズマと、マイクロ波導入口から遠い位置での弱いプラズマとによる被処理物に対する成膜処理の不均一を解消する。
【解決手段】円筒型空洞共振器１内のほぼ中心に被処理物３を装填する円筒型真空チャンバー２と、該円筒型空洞共振器１の側壁部に前記チャンバー２の外側から該チャンバー２内に装填された被処理物３に対してマイクロ波エネルギーｗを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管７及びマイクロ波導入口８と、該チャンバー２内に装填された被処理物３の内面又は／及び外面とに成膜用原料ガスｇを導入する原料ガス導入管６を備え、該真空チャンバー２内にて前記被処理物３を該真空チャンバー２の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段４を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成において、異常成長の発生を低減すること。
【解決手段】堆積膜形成装置は、内部を減圧可能な反応容器１０１を有し、反応容器１０１内には、原料ガスを供給するガス供給手段１１０が設けられ、複数の円筒状基体１０５が同一円周上に等間隔に配置され、反応容器１０１の外に、高周波電力導入手段１０２が配置されており、原料ガスを高周波電力によって励起、解離させることによって、円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。この堆積膜形成装置には、同一円周上に配置された円筒状基体１０５に囲まれた領域の内部に、円筒状部材１１１が設置され、回転手段により回転することができる。 （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、成長させる結晶により形成される膜質が優れるとともに、更に成長速度が速く生産性が高い気相成膜装置を提供する。
【解決手段】気相成膜装置は、成膜用の原料ガスを供給し、成膜用の基板に薄膜を形成するものであり、少なくとも１枚の基板が表面に載置されるサセプタと、前記サセプタに載置された前記基板に向けて前記原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記サセプタを回転させる回転手段とを有し、前記サセプタは、その外縁部に所定の間隔をあけて羽根体が前記サセプタの表面に複数立設されており、前記サセプタの回転に伴い、前記サセプタに供給された前記原料ガスの供給流れを前記サセプタの外縁部に向けて変更させる。 （もっと読む）

【課題】 ワークに対するＣＶＤコーティングの生産性を向上させると共に、ワークの特定な箇所に支持部材の支持に伴う痕跡を残すという問題を解消することができるＣＶＤコーティング方法およびＣＶＤコーティング装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ炉４内には、ＣＶＤコーティングを施すワークＷの一部に係止して、ワークをＣＶＤ炉内において吊り下げる形態で支持するワーク支持部材１１が配置されている。このワーク支持部材１１は連結部材１２および回転軸１３によって、水平方向に回転可能となるように保持されて、回転駆動機構１６により間欠的に回転駆動動作が付与されるように構成されている。ＣＶＤ処理中において、前記回転軸１３には回転駆動機構１６により間欠的に回転駆動動作が付与され、ワーク支持部材１１を介してワークＷにも回転動作が伝達される。これにより、前記ワークＷに作用する遠心力の働きが変化し、前記ワークＷは揺動動作を受けてワークＷに対するワーク支持部材１１の接触位置が変更されるようになされる。 （もっと読む）

【課題】輝尽性蛍光体層の膜厚と鮮鋭性の分布が均一な放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】シート状の支持体１１に輝尽性蛍光体層を成膜する、放射線画像変換パネルの製造方法において、真空容器２内で、支持体１１を保持し、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜することにより放射線画像変換パネルを製造する。 （もっと読む）

基盤及び／又はウエーハを処理するよう適合された種類の装置用のシステムが説明されており、該システムは静止ベース要素（６００）と、少なくとも１つの基盤又は少なくとも１つのウエーハ用の可動支持部（６１０）と、を具備しており、該支持部は該要素（６００）上で静止軸線の周りに回転可能であるが、室（６０４）と、少なくとも１つのダクト（６０８）とは、該支持部（６１０）を揚げるために該室（６０４）への少なくとも１つのガス流れの受け入れ用に提供されており、該システムは又該室（６０４）内へのガスの流れを該支持部（６１０）の回転に変換するための手段（６０５）を具備する。
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サセプタの裏側からの輻射をモニタするためにサセプタ内の１以上の光ファイバを用いる装置および対応する方法が開示される。光ファイバはフィルタされ、電気信号に変換される。堆積サイクルの間電気信号を一定に保つことによってウェハの温度を一定に保持するために制御システムが用いられる。これにより、低温および減圧下でパターンが形成されたウェハ上に非選択エピタキシャルポリシリコン成長を行う間にウェハの温度が変化することによる問題を克服することができる。
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本発明は、ＣＶＤ反応炉の反応チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスに関し、適切な温度までチャンバ壁を加熱するステップと、チャンバ中にガス流を流入させるステップとを含む。この洗浄プロセスは、チャンバ内の基板上に半導体材料を堆積するためのＣＶＤ反応炉の操作プロセス中で、有利に使用することができる。この操作プロセスでは、チャンバ（１２）中に基板を順次的、循環的に取り付けるステップと、基板上に半導体材料を堆積するステップと、チャンバ（１２）から基板を取り外すステップとを含んだ成長プロセスが設けられる。取り外しステップの後に、チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスが実施される。本発明は、ＣＶＤ反応炉全体を洗浄するためのプロセスにも関し、それには、加熱するステップとともに、ガス流中に化学エッチングする構成要素が設けられる。
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【課題】従来のＣＶＤ装置又は方法を基板のより高いスループットの観点で改良すること。
【解決手段】反応チャンバー内に配置され、少なくとも基板を載せる可動のサセプタを有するプロセス室を備え、膜を構成する成分を基板上に堆積するため、プロセス室内に、膜を構成する成分を含有すると共に順次行われるプロセス工程において導入可能な相互に異なるプロセスガス、を導入するための複数のガス導入管が開口するＣＶＤ装置に関する。スループットを高くするために、そこで相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、プロセス室が、内部に個々のガス混合比を実現する相互に異なるガス導入管（３４、３４’）が開口すると共にサセプタ（２０）の移動を介して基板（９）がそれに順次供給可能となっている複数の相互に分離された堆積室（１１、１１’）、を有する。 （もっと読む）

本発明は、エピタキシャルリアクターの反応槽（３）内で回転するサセプタ（２）の位置制御するためのシステムに関する。その制御は、レーザー光線がサセプタ（２）に配されるピン（８）により反射されるとき、光源（１５）により伝播されるレーザービームの経路差に基づいて実行される。
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本発明は、クリーン・ルーム対応の、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法用のコーティング・システムに関する。前記システムは、ガラス様の層、ガラス・セラミック層および／またはセラミック層が堆積される、少なくとも１つの真空コーティング・チャンバを備える。真空コーティング・チャンバの第１の開口部が、真空排気可能な別個の真空ロック・チャンバ（ロード・ロック）を介してクリーン・ルームに接続される。この真空ロック・チャンバは、基板を真空コーティング・チャンバ内に供給し、基板を真空コーティング・チャンバから取り出すために使用される輸送手段を備える。真空コーティング・チャンバの第２の開口部が、真空コーティング・チャンバをクリーン・ルームから切り離されたグレイ・ルーム領域に接続する。
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【課題】ＳｉＧｅ膜を堆積させる効率的な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プロセス室（２）内において少なくとも１つの半導体膜を少なくとも１つの基板上に堆積し、半導体膜が複数の成分からなり、成分が、個々のインジェクションユニット（５）を介して液体の又は液体に溶解した原料（３）が不連続に吐出されることによって、温度制御された蒸発室（４）内で蒸発され、この蒸気がキャリアガス（７）によってプロセス室に導入される、膜の堆積方法に関する。Ｓｉを含有する第１の原料とＧｅを含有する第２の原料（３）の流量の時間経過が、インジェクション圧、インジェクション周波数、及び、１つ以上の他のインジェクションユニットのデューティ比に対するデューティ比の位相関係等のデューティ比パラメータ等の、割り当てられたインジェクションユニット（５）が決定する流量パラメータを介して、個々に制御又は変化される。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の少ない高性能の発熱体ＣＶＤ装置及び発熱体ＣＶＤ法を提供すること。
【解決手段】基体２を収容する真空容器１と、該真空容器１内に原料ガスを供給するガス供給手段７と、該ガス供給手段７より供給される原料ガスに接触するように配置された発熱体４と、ガス供給手段７と基体２との間に配置され、且つガス供給手段７からの原料ガスを通過させるための穴部９ａを有する遮蔽部材９と、を備えた発熱体ＣＶＤ装置を構成する。 （もっと読む）

基盤及び／又はウェーハを処理することが出来る種類の装置用の支持システム（１）が説明され、前記システムは、実質的に平坦な底部を有する実質的に円柱形の座（１１）が中に形成される実質的に平坦な面を有する固定ベース要素（１０）と、そして実質的にデイスク形の形を有し、該座（１１）内部に収容され、該座（１１）の軸線の周りに回転出来て、そして基盤又はウェーハ用の少なくとも１つのキャビテイ（２１）を有した実質的に平坦な上側部と実質的に平坦な基底側部とを備えた可動支持要素（２０）とを具備しており、１つ以上のガス流れ用に１つ以上の通路（１２）が提供され、該通路（１２）は、該支持要素（２０）をリフトし回転させる様な仕方で、その軸線に対し傾斜し、好ましくはスキューするのがよい方向で該座（１１）内部に現れる。

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