放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
【課題】輝尽性蛍光体層の膜厚と鮮鋭性の分布が均一な放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】シート状の支持体１１に輝尽性蛍光体層を成膜する、放射線画像変換パネルの製造方法において、真空容器２内で、支持体１１を保持し、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜することにより放射線画像変換パネルを製造する。
【解決手段】シート状の支持体１１に輝尽性蛍光体層を成膜する、放射線画像変換パネルの製造方法において、真空容器２内で、支持体１１を保持し、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜することにより放射線画像変換パネルを製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に係り、特に、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。このような放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案され、実用化されている。この方式においては、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。
【０００３】
このような放射線画像読取方法に用いられる放射線画像変換パネルは、基本構造として、基板となる支持体と、この支持体上に成膜された輝尽性蛍光体を分散含有する輝尽性蛍光体層と、からなる。
【０００４】
前記放射線画像読取方法は種々の利点を有する方法であるが、より高画質の放射線画像を得るためには、この方法に用いられる放射線画像変換パネルにおいても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭性や輝度）が良好でムラのないものであることが望ましい。
【０００５】
放射線画像の感度及び画質を高めることを目的として、輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる放射線画像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には真空蒸着法（以下、「蒸着法」という）やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体又はその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、支持体を高速回転させながらその表面に蒸発物を堆積させることにより、輝尽性蛍光体層を成膜するものである。
【０００６】
特許文献１に記載の製造方法では、前記の蒸着法において、所定の回転速度（毎分５００回転）以上で支持体を超高速回転させて輝尽性蛍光体層を成膜させるため、輝尽性蛍光体層の膜厚分布が均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【特許文献１】特開２００３−３４４５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記特許文献１に記載の製造方法で放射線画像変換パネルを製造する場合、得られる放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の膜厚分布は均一化されるものの、鮮鋭性の分布にムラが生じてしまうという問題があった。
【０００８】
ここで、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の鮮鋭性の分布は、提供する放射線画像の鮮鋭性の分布と密接に関係するものであり、放射線画像は鮮鋭性が均一であるものほど病変等のより正確な診断が可能である。
【０００９】
本発明の課題は、輝尽性蛍光体層の膜厚と鮮鋭性の分布がともに均一であり、より高画質な放射線画像を提供する放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
支持体を回転させながら、気相堆積法により前記支持体上に輝尽性蛍光体層を成膜させる放射線画像変換パネル製造方法において、
毎分１〜１００回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、支持体を毎分１〜１００回転で回転させながら気相堆積法により輝尽性蛍光体層を成膜させるので、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネル製造方法であって、
毎分１〜５０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、支持体を毎分１〜５０回転で回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜させるので、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがより均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル製造方法であって、
毎分１〜２０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、支持体を毎分１〜２０回転で回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜させるので、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがさらに均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、放射線画像変換パネルであって、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル製造方法により製造され、
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
一般式；Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｚＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層は、前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有する。前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、輝尽性蛍光体層の感度をより向上させることができる。よって、製造される放射線画像変換パネルをより高感度なものとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがより均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質がより均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００２０】
請求項３に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがさらに均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質がさらに均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明と同様の効果が得られるとともに、輝尽性蛍光体層は、ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有するので、高感度の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルとすることができる。よって、より高画質な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本実施形態について、図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲を以下の例に限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加え得ることは勿論である。
【００２３】
本発明に係る放射線画像変換パネル１０は気相堆積法により製造される。ここで、気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等、如何なる方法を用いてもよいが、特に蒸着法が好ましい。よって、本実施形態における放射線画像変換パネル１０は、蒸着法により製造されるものとし、以下、本発明に係る放射線画像変換パネル１０の製造に用いられる製造装置である蒸着装置１について説明する。
【００２４】
図１に示すように、蒸着装置１は、真空ポンプ６により容器内を真空排気させ、所望の真空度に調節させる真空容器２を備えている。
【００２５】
真空容器２には、輝尽性蛍光体を内部に収容しており、その輝尽制蛍光体を加熱により蒸発又は昇華させるようになっている蒸発源３が備えられている。蒸発源３は抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いた石英ルツボ又はアルミナルツボ等から構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。
【００２６】
蒸発源３より上方の真空容器２の内面には、蒸発源３からの蒸気が蒸着されるように支持体１１を保持する支持体ホルダ４が回転自在に備えられている。支持体ホルダ４には、保持される支持体１１を加熱する加熱ヒータ（図示略）が備えられている。また、支持体ホルダ４には、支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる支持体ホルダ回転機構５が備えられており、支持体ホルダ回転機構５は、支持体ホルダ４を真空容器２に連結するとともに支持体ホルダ４の回転の軸となる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示略）と、から構成されている。
【００２７】
以上のように構成された蒸着装置１を使用して、本実施形態の放射線画像変換パネル１０を製造する方法について、以下に詳しく述べる。
【００２８】
まず、蒸着装置１の蒸発源３に設置する輝尽性蛍光体を製造する。
【００２９】
ここで、輝尽性蛍光体について述べると、輝尽性蛍光体は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする。
一般式；Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｚＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］
【００３０】
前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表すが、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００３１】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００３２】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００３３】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。中でも好ましくはＥｕ原子である。
【００３４】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。
【００３５】
また、前記一般式において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０-2である。
【００３６】
本発明においては、前記一般式で表される輝尽性蛍光体のいずれを用いてもよいが、高感度性、高鮮鋭性の観点から、特に、ＣｓＢｒ：ｚＥｕを用いることが好ましい。このとき、前記一般式において、Ｍ1＝Ｃｓ、Ｘ＝Ｂｒ、ａ＝０、ｂ＝０、０＜ｚ≦０．２である。
【００３７】
前記の輝尽性蛍光体は、例えば、蛍光体原料として（ａ）〜（ｃ）に示されるような化合物を用いて、以下に述べる方法により製造される。
【００３８】
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００３９】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣＩ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００４０】
（ｃ）前記一般式において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００４１】
製造する輝尽性蛍光体の組成式に応じて、前記（ａ）〜（ｃ）の中から用いる蛍光体原料を適宜選択し、各原料を前記一般式のａ，ｂ，ｚの範囲を満たすように秤量し、純水にて溶解する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００４２】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００４３】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００４４】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００４５】
以上のようにして製造した輝尽性蛍光体を、蒸着装置１の蒸発源３に設置させた後に、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２を形成させる蒸着工程を開始する。
【００４６】
まず、支持体ホルダ４に支持体１１をその輝尽性蛍光体層１２の形成面が蒸発源３に対向されるように取り付ける。
【００４７】
次いで、真空容器２内を真空排気させ、所望の真空度に調節しながら、支持体ホルダ回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる。この場合において、支持体１１と、蒸発源３との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。また、支持体１１の回転速度は、本発明の効果を得る観点から毎分１〜１００回転であることが好ましく、毎分１〜５０回転であるとより好ましく、毎分１〜２０回転であるとさらに好ましい。
【００４８】
この際、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１を冷却あるいは加熱させる。気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の形成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。このように、蒸着時に支持体１１を加熱させることによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生するのを防止し、密着性の強化や輝尽性蛍光体層１２の膜質調整を行うことができる。
【００４９】
支持体１１の温度が調節されて、支持体１１と支持体ホルダ４との毎分辺りの回転数が所定の値に達して安定されると、蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１の表面に柱状結晶状の輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに成長させる。
【００５０】
ここで、輝尽性蛍光体層１２を形成させた後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２の支持体１１とは反対の側に、物理的にあるいは化学的に輝尽性蛍光体層１２を保護するための保護層１３を設けてもよい。
【００５１】
以上のようにして製造された放射線画像変換パネル１０は、図２に示すように、基板となる支持体１１を備えており、この支持体１１上に、輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層１２を備えており、輝尽性蛍光体層１２上には必要に応じて輝尽性蛍光体層１２を保護する保護層１３が設けられている。
【００５２】
以下、各層毎に説明する。
【００５３】
支持体１１は、支持体として従来の公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により本発明の輝尽性蛍光体層１２を形成する観点から石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化樹脂シートが好ましい。
【００５４】
支持体１１には、その表面を平滑な面とするために樹脂層を有することが好ましい。樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、支持体１１の表面に設けても裏面に設けても両面に設けてもよい。
【００５５】
支持体１１上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。
貼合法による場合、加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては約８０〜１５０℃が好ましく、加圧条件としては４．９０×１０〜２．９４×１０2Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／秒が好ましい
【００５６】
輝尽性蛍光体層１２は、真空容器２内における気相堆積法により成膜されたものであって、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら支持体１１上に成膜されたものであり、より好ましくは毎分１〜５０回転で支持体１１を回転させながら支持体１１上に成膜されたものであり、さらに好ましくは、毎分１〜２０回転で支持体１１を回転させながら支持体１１上に成膜されたものである。この輝尽性蛍光体層１２は、前記条件で成膜されることにより、膜厚分布を１０％以下に抑えつつ、鮮鋭性分布を１５％以下に低減させることができるので、膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネル１０を製造させることができ、本実施形態における放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。
【００５７】
ここで、膜厚分布（％）とは、輝尽性蛍光体層１２の膜厚の最大値、最小値をそれぞれＩmax、Ｉminとしたときに、下記式で示される値とした。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【００５８】
輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、膜厚計（例えば、（株）東京精密製、ＭＩＮＩＡＸ ＤＨ−１２０）を用いて測定した。
【００５９】
なお、鮮鋭性分布（％）も膜厚分布と同様に、輝尽性蛍光体層１２の鮮鋭性の最大値、最小値をそれぞれＩmax、Ｉminとしたときに、下記式で示される値とした。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【００６０】
輝尽性蛍光体層１２の鮮鋭性は、放射線画像変換パネル１０にＣＴＦチャートを貼着させた後に、Ｘ線を照射し、ＣＴＦチャート像を輝尽発光として読取り、光検出器で光電変換して画像信号を得た。この信号値より画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ、放射線画像の鮮鋭性を比較例との相対値で求めた。このようにして得られた放射線画像の鮮鋭性をもって輝尽性蛍光体層１２の鮮鋭性とした。
【００６１】
以上より、本実施形態の放射線画像変換パネル１０の製造方法によれば、輝尽性蛍光体層１２における膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネル１０を製造することができるので、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネル１０を得ることができる。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【００６３】
（放射線画像変換パネルの作製）
（１）実施例１の作製
アルミニウムを素材とする金属シートからなる支持体１１の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を、図１に示す蒸着装置１を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層１２を形成した。
【００６４】
まず、前記輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間隔を７００ｍｍに調節させた。続いて蒸着装置１内を真空排気した後、９５ｒｐｍの速度で支持体１１を回転させながら、支持体１１の温度を１００℃に保持させた
【００６５】
次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸発、飛散させ、所定回転数で回転される支持体１１の表面に蒸着させて、輝尽性蛍光体層１２を成膜させた。
さらに、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層１２を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層１２が密封された構造の本発明に係る実施例１としての放射線画像変換パネル１０を得た。
【００６６】
（２）実施例２〜実施例５の作製
次に、表１に示すように、支持体１１の回転速度を４０ｒｐｍ、１９ｒｐｍ、８ｒｐｍ、２ｒｐｍとした以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネルを製造し、本発明に係る実施例２〜実施例５とした。
【００６７】
（３）比較例１の作製
次に、表１に示すように、支持体１１の回転速度を５００ｒｐｍとした以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネルを製造し、本発明に係る比較例１とした。
【００６８】
〔評価〕
以上の様にして得られた実施例１〜５および比較例１のそれぞれについて、輝尽性蛍光体層１２の膜厚と鮮鋭性を測定し、それぞれの分布について評価した。
【００６９】
（１）膜厚分布
実施例１〜５および比較例１において得られた放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層１２の膜厚を、膜厚計（（株）東京精密製、ＭＩＮＩＡＸ ＤＨ−１２０）を用いて測定し、最大値をＩmax、最小値をＩminとし、下記式により膜厚分布（％）を求めた。結果を表に示す。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【００７０】
（２）鮮鋭性分布
実施例１〜５および比較例１において得られた放射線画像変換パネルにそれぞれＣＴＦチャートを貼付けた後、管電圧８０ｋＶＰ‐ＰのＸ線を１０ｍＲ（管球からパネルまでの距離：１．５ｍ）照射し、半導体レーザ光（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光として読取り、光検出器 (光電子増倍管) で光電変換して画像信号を得た。この信号値により、画像の変調伝達関数 (ＭＴＦ)を調べ、放射線画像の鮮鋭性を、比較例１で得られた放射線画像変換パネルの平均値を１００とした場合の相対値で求めた。なお、ＭＴＦは、空間周波数が１サイクル／mmの時の値である。得られた鮮鋭性の最大値をＩmax、最小値をＩminとし、下記式により鮮鋭性分布（％）を求めた。結果を表に示す。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【表１】
【００７１】
表に示すように、実施例１〜５の放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体を蒸着させる際の支持体１１の回転速度を９５ｒｐｍにすることで、膜厚分布を４％に、鮮鋭性分布を１５％に抑えることができる。よって、支持体１１の回転速度を１００ｒｐｍ以下にすることで膜厚分布と鮮鋭性分布の均一性が高くなることが分かる。また、４０ｒｐｍにすることで、膜厚分布を６％に、鮮鋭性分布を１０％に抑えることができる。よって、支持体１１の回転速度を５０ｒｐｍ以下にすることで膜厚分布と鮮鋭性分布の均一性がより高くなることが分かる。さらに、支持体１１の回転速度を１９ｒｐｍにすることで、膜厚分布を６％に、鮮鋭性分布を７％に抑えることができる。よって、支持体１１の回転速度を２０ｒｐｍ以下にすることで膜厚分布と鮮鋭性分布の均一性がさらに高くなることが分かる。
以上のことから、支持体１１の回転速度を小さくするほど、輝尽性蛍光体層１２における鮮鋭性分布の値が小さくなり、膜厚分布の均一性を保持したまま鮮鋭性の均一性が高くなることが分かる。よって、比較例１に対して実施例１〜５の放射線画像変換パネル１０の膜厚分布と鮮鋭性分布はともに均一であり、本発明に係る放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。
【００７２】
以上より、シート状の支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２を成膜させる、放射線画像変換パネル１０の製造方法において、真空容器２内で、支持体１１を保持し、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら輝尽性蛍光体層１２を成膜させることにより、輝尽性蛍光体層１２の膜厚と鮮鋭性の分布が均一な放射線画像変換パネル１０を製造させることができ、本発明に係る放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７４】
１ 蒸着装置
２ 真空容器
４ 支持体ホルダ
５ 支持体ホルダ回転機構
１０ 放射線画像変換パネル
１１ 支持体
１２ 輝尽性蛍光体層
１３ 保護層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に係り、特に、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。このような放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案され、実用化されている。この方式においては、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。
【０００３】
このような放射線画像読取方法に用いられる放射線画像変換パネルは、基本構造として、基板となる支持体と、この支持体上に成膜された輝尽性蛍光体を分散含有する輝尽性蛍光体層と、からなる。
【０００４】
前記放射線画像読取方法は種々の利点を有する方法であるが、より高画質の放射線画像を得るためには、この方法に用いられる放射線画像変換パネルにおいても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭性や輝度）が良好でムラのないものであることが望ましい。
【０００５】
放射線画像の感度及び画質を高めることを目的として、輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる放射線画像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には真空蒸着法（以下、「蒸着法」という）やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体又はその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、支持体を高速回転させながらその表面に蒸発物を堆積させることにより、輝尽性蛍光体層を成膜するものである。
【０００６】
特許文献１に記載の製造方法では、前記の蒸着法において、所定の回転速度（毎分５００回転）以上で支持体を超高速回転させて輝尽性蛍光体層を成膜させるため、輝尽性蛍光体層の膜厚分布が均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【特許文献１】特開２００３−３４４５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記特許文献１に記載の製造方法で放射線画像変換パネルを製造する場合、得られる放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の膜厚分布は均一化されるものの、鮮鋭性の分布にムラが生じてしまうという問題があった。
【０００８】
ここで、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の鮮鋭性の分布は、提供する放射線画像の鮮鋭性の分布と密接に関係するものであり、放射線画像は鮮鋭性が均一であるものほど病変等のより正確な診断が可能である。
【０００９】
本発明の課題は、輝尽性蛍光体層の膜厚と鮮鋭性の分布がともに均一であり、より高画質な放射線画像を提供する放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
支持体を回転させながら、気相堆積法により前記支持体上に輝尽性蛍光体層を成膜させる放射線画像変換パネル製造方法において、
毎分１〜１００回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、支持体を毎分１〜１００回転で回転させながら気相堆積法により輝尽性蛍光体層を成膜させるので、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネル製造方法であって、
毎分１〜５０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、支持体を毎分１〜５０回転で回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜させるので、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがより均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル製造方法であって、
毎分１〜２０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、支持体を毎分１〜２０回転で回転させながら輝尽性蛍光体層を成膜させるので、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがさらに均一な放射線画像変換パネルを製造することができる。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、放射線画像変換パネルであって、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル製造方法により製造され、
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
一般式；Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｚＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層は、前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有する。前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、輝尽性蛍光体層の感度をより向上させることができる。よって、製造される放射線画像変換パネルをより高感度なものとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがより均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質がより均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００２０】
請求項３に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における膜厚分布と鮮鋭性分布とがさらに均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質がさらに均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明と同様の効果が得られるとともに、輝尽性蛍光体層は、ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有するので、高感度の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルとすることができる。よって、より高画質な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本実施形態について、図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲を以下の例に限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加え得ることは勿論である。
【００２３】
本発明に係る放射線画像変換パネル１０は気相堆積法により製造される。ここで、気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等、如何なる方法を用いてもよいが、特に蒸着法が好ましい。よって、本実施形態における放射線画像変換パネル１０は、蒸着法により製造されるものとし、以下、本発明に係る放射線画像変換パネル１０の製造に用いられる製造装置である蒸着装置１について説明する。
【００２４】
図１に示すように、蒸着装置１は、真空ポンプ６により容器内を真空排気させ、所望の真空度に調節させる真空容器２を備えている。
【００２５】
真空容器２には、輝尽性蛍光体を内部に収容しており、その輝尽制蛍光体を加熱により蒸発又は昇華させるようになっている蒸発源３が備えられている。蒸発源３は抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いた石英ルツボ又はアルミナルツボ等から構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。
【００２６】
蒸発源３より上方の真空容器２の内面には、蒸発源３からの蒸気が蒸着されるように支持体１１を保持する支持体ホルダ４が回転自在に備えられている。支持体ホルダ４には、保持される支持体１１を加熱する加熱ヒータ（図示略）が備えられている。また、支持体ホルダ４には、支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる支持体ホルダ回転機構５が備えられており、支持体ホルダ回転機構５は、支持体ホルダ４を真空容器２に連結するとともに支持体ホルダ４の回転の軸となる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示略）と、から構成されている。
【００２７】
以上のように構成された蒸着装置１を使用して、本実施形態の放射線画像変換パネル１０を製造する方法について、以下に詳しく述べる。
【００２８】
まず、蒸着装置１の蒸発源３に設置する輝尽性蛍光体を製造する。
【００２９】
ここで、輝尽性蛍光体について述べると、輝尽性蛍光体は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする。
一般式；Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｚＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］
【００３０】
前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表すが、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００３１】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００３２】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００３３】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。中でも好ましくはＥｕ原子である。
【００３４】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。
【００３５】
また、前記一般式において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０-2である。
【００３６】
本発明においては、前記一般式で表される輝尽性蛍光体のいずれを用いてもよいが、高感度性、高鮮鋭性の観点から、特に、ＣｓＢｒ：ｚＥｕを用いることが好ましい。このとき、前記一般式において、Ｍ1＝Ｃｓ、Ｘ＝Ｂｒ、ａ＝０、ｂ＝０、０＜ｚ≦０．２である。
【００３７】
前記の輝尽性蛍光体は、例えば、蛍光体原料として（ａ）〜（ｃ）に示されるような化合物を用いて、以下に述べる方法により製造される。
【００３８】
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００３９】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣＩ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００４０】
（ｃ）前記一般式において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００４１】
製造する輝尽性蛍光体の組成式に応じて、前記（ａ）〜（ｃ）の中から用いる蛍光体原料を適宜選択し、各原料を前記一般式のａ，ｂ，ｚの範囲を満たすように秤量し、純水にて溶解する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００４２】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００４３】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００４４】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００４５】
以上のようにして製造した輝尽性蛍光体を、蒸着装置１の蒸発源３に設置させた後に、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２を形成させる蒸着工程を開始する。
【００４６】
まず、支持体ホルダ４に支持体１１をその輝尽性蛍光体層１２の形成面が蒸発源３に対向されるように取り付ける。
【００４７】
次いで、真空容器２内を真空排気させ、所望の真空度に調節しながら、支持体ホルダ回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる。この場合において、支持体１１と、蒸発源３との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。また、支持体１１の回転速度は、本発明の効果を得る観点から毎分１〜１００回転であることが好ましく、毎分１〜５０回転であるとより好ましく、毎分１〜２０回転であるとさらに好ましい。
【００４８】
この際、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１を冷却あるいは加熱させる。気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の形成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。このように、蒸着時に支持体１１を加熱させることによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生するのを防止し、密着性の強化や輝尽性蛍光体層１２の膜質調整を行うことができる。
【００４９】
支持体１１の温度が調節されて、支持体１１と支持体ホルダ４との毎分辺りの回転数が所定の値に達して安定されると、蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１の表面に柱状結晶状の輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに成長させる。
【００５０】
ここで、輝尽性蛍光体層１２を形成させた後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２の支持体１１とは反対の側に、物理的にあるいは化学的に輝尽性蛍光体層１２を保護するための保護層１３を設けてもよい。
【００５１】
以上のようにして製造された放射線画像変換パネル１０は、図２に示すように、基板となる支持体１１を備えており、この支持体１１上に、輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層１２を備えており、輝尽性蛍光体層１２上には必要に応じて輝尽性蛍光体層１２を保護する保護層１３が設けられている。
【００５２】
以下、各層毎に説明する。
【００５３】
支持体１１は、支持体として従来の公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により本発明の輝尽性蛍光体層１２を形成する観点から石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化樹脂シートが好ましい。
【００５４】
支持体１１には、その表面を平滑な面とするために樹脂層を有することが好ましい。樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、支持体１１の表面に設けても裏面に設けても両面に設けてもよい。
【００５５】
支持体１１上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。
貼合法による場合、加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては約８０〜１５０℃が好ましく、加圧条件としては４．９０×１０〜２．９４×１０2Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／秒が好ましい
【００５６】
輝尽性蛍光体層１２は、真空容器２内における気相堆積法により成膜されたものであって、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら支持体１１上に成膜されたものであり、より好ましくは毎分１〜５０回転で支持体１１を回転させながら支持体１１上に成膜されたものであり、さらに好ましくは、毎分１〜２０回転で支持体１１を回転させながら支持体１１上に成膜されたものである。この輝尽性蛍光体層１２は、前記条件で成膜されることにより、膜厚分布を１０％以下に抑えつつ、鮮鋭性分布を１５％以下に低減させることができるので、膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネル１０を製造させることができ、本実施形態における放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。
【００５７】
ここで、膜厚分布（％）とは、輝尽性蛍光体層１２の膜厚の最大値、最小値をそれぞれＩmax、Ｉminとしたときに、下記式で示される値とした。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【００５８】
輝尽性蛍光体層１２の膜厚は、膜厚計（例えば、（株）東京精密製、ＭＩＮＩＡＸ ＤＨ−１２０）を用いて測定した。
【００５９】
なお、鮮鋭性分布（％）も膜厚分布と同様に、輝尽性蛍光体層１２の鮮鋭性の最大値、最小値をそれぞれＩmax、Ｉminとしたときに、下記式で示される値とした。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【００６０】
輝尽性蛍光体層１２の鮮鋭性は、放射線画像変換パネル１０にＣＴＦチャートを貼着させた後に、Ｘ線を照射し、ＣＴＦチャート像を輝尽発光として読取り、光検出器で光電変換して画像信号を得た。この信号値より画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ、放射線画像の鮮鋭性を比較例との相対値で求めた。このようにして得られた放射線画像の鮮鋭性をもって輝尽性蛍光体層１２の鮮鋭性とした。
【００６１】
以上より、本実施形態の放射線画像変換パネル１０の製造方法によれば、輝尽性蛍光体層１２における膜厚分布と鮮鋭性分布とが均一な放射線画像変換パネル１０を製造することができるので、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネル１０を得ることができる。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【００６３】
（放射線画像変換パネルの作製）
（１）実施例１の作製
アルミニウムを素材とする金属シートからなる支持体１１の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を、図１に示す蒸着装置１を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層１２を形成した。
【００６４】
まず、前記輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間隔を７００ｍｍに調節させた。続いて蒸着装置１内を真空排気した後、９５ｒｐｍの速度で支持体１１を回転させながら、支持体１１の温度を１００℃に保持させた
【００６５】
次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸発、飛散させ、所定回転数で回転される支持体１１の表面に蒸着させて、輝尽性蛍光体層１２を成膜させた。
さらに、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層１２を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層１２が密封された構造の本発明に係る実施例１としての放射線画像変換パネル１０を得た。
【００６６】
（２）実施例２〜実施例５の作製
次に、表１に示すように、支持体１１の回転速度を４０ｒｐｍ、１９ｒｐｍ、８ｒｐｍ、２ｒｐｍとした以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネルを製造し、本発明に係る実施例２〜実施例５とした。
【００６７】
（３）比較例１の作製
次に、表１に示すように、支持体１１の回転速度を５００ｒｐｍとした以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネルを製造し、本発明に係る比較例１とした。
【００６８】
〔評価〕
以上の様にして得られた実施例１〜５および比較例１のそれぞれについて、輝尽性蛍光体層１２の膜厚と鮮鋭性を測定し、それぞれの分布について評価した。
【００６９】
（１）膜厚分布
実施例１〜５および比較例１において得られた放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層１２の膜厚を、膜厚計（（株）東京精密製、ＭＩＮＩＡＸ ＤＨ−１２０）を用いて測定し、最大値をＩmax、最小値をＩminとし、下記式により膜厚分布（％）を求めた。結果を表に示す。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【００７０】
（２）鮮鋭性分布
実施例１〜５および比較例１において得られた放射線画像変換パネルにそれぞれＣＴＦチャートを貼付けた後、管電圧８０ｋＶＰ‐ＰのＸ線を１０ｍＲ（管球からパネルまでの距離：１．５ｍ）照射し、半導体レーザ光（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光として読取り、光検出器 (光電子増倍管) で光電変換して画像信号を得た。この信号値により、画像の変調伝達関数 (ＭＴＦ)を調べ、放射線画像の鮮鋭性を、比較例１で得られた放射線画像変換パネルの平均値を１００とした場合の相対値で求めた。なお、ＭＴＦは、空間周波数が１サイクル／mmの時の値である。得られた鮮鋭性の最大値をＩmax、最小値をＩminとし、下記式により鮮鋭性分布（％）を求めた。結果を表に示す。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００
【表１】
【００７１】
表に示すように、実施例１〜５の放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体を蒸着させる際の支持体１１の回転速度を９５ｒｐｍにすることで、膜厚分布を４％に、鮮鋭性分布を１５％に抑えることができる。よって、支持体１１の回転速度を１００ｒｐｍ以下にすることで膜厚分布と鮮鋭性分布の均一性が高くなることが分かる。また、４０ｒｐｍにすることで、膜厚分布を６％に、鮮鋭性分布を１０％に抑えることができる。よって、支持体１１の回転速度を５０ｒｐｍ以下にすることで膜厚分布と鮮鋭性分布の均一性がより高くなることが分かる。さらに、支持体１１の回転速度を１９ｒｐｍにすることで、膜厚分布を６％に、鮮鋭性分布を７％に抑えることができる。よって、支持体１１の回転速度を２０ｒｐｍ以下にすることで膜厚分布と鮮鋭性分布の均一性がさらに高くなることが分かる。
以上のことから、支持体１１の回転速度を小さくするほど、輝尽性蛍光体層１２における鮮鋭性分布の値が小さくなり、膜厚分布の均一性を保持したまま鮮鋭性の均一性が高くなることが分かる。よって、比較例１に対して実施例１〜５の放射線画像変換パネル１０の膜厚分布と鮮鋭性分布はともに均一であり、本発明に係る放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。
【００７２】
以上より、シート状の支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２を成膜させる、放射線画像変換パネル１０の製造方法において、真空容器２内で、支持体１１を保持し、毎分１〜１００回転で支持体１１を回転させながら輝尽性蛍光体層１２を成膜させることにより、輝尽性蛍光体層１２の膜厚と鮮鋭性の分布が均一な放射線画像変換パネル１０を製造させることができ、本発明に係る放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７４】
１ 蒸着装置
２ 真空容器
４ 支持体ホルダ
５ 支持体ホルダ回転機構
１０ 放射線画像変換パネル
１１ 支持体
１２ 輝尽性蛍光体層
１３ 保護層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体を回転させながら、気相堆積法により前記支持体上に輝尽性蛍光体層を成膜させる放射線画像変換パネル製造方法において、
毎分１〜１００回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
毎分１〜５０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする、請求項１に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項３】
毎分１〜２０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル製造方法により製造され、
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
一般式；Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｚＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］
【請求項１】
支持体を回転させながら、気相堆積法により前記支持体上に輝尽性蛍光体層を成膜させる放射線画像変換パネル製造方法において、
毎分１〜１００回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
毎分１〜５０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする、請求項１に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項３】
毎分１〜２０回転で前記支持体を回転させながら前記輝尽性蛍光体層を成膜させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル製造方法により製造され、
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
一般式；Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｚＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００６−９０８８５（Ｐ２００６−９０８８５Ａ）
【公開日】平成１８年４月６日（２００６．４．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２７７６０８（Ｐ２００４−２７７６０８）
【出願日】平成１６年９月２４日（２００４．９．２４）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月６日（２００６．４．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月２４日（２００４．９．２４）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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