【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。
【解決手段】作製装置１０の供給系１４は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管１４ａからは、金属Ａｌと第１ガスｇ１中のＨＣｌガスとの反応で生成するＡｌＣｌ_xガスを供給する。供給管１４ｂからはＮＨ₃ガス含む第２ガスｇ２を供給する。供給管１４ｃからは、第３ガスｇ３としてＡｌＣｌ_xとＮＨ₃との反応によるＡｌＮの生成を抑制するガス（例えばＮ₂ガス）を供給する。供給管１４ａの端部１４ｅ近傍の領域において、サセプタ１２側へと供給されるＡｌＣｌ_xガスを取り囲むように第３ガスｇ３の流れが形成されるので、当該領域においてＡｌＣｌ_xガスとＮＨ₃ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部１４ｅへのＡｌＮの析出が効果的に抑制される。 （もっと読む）

処理空間（５）内で大気圧グロー放電プラズマを使用して化合物又は化学元素を堆積させる方法及び装置であって、オン時間（ｔ_ｏｎ）中に電力を供給する電力供給装置（４）に接続された２つの５電極（２、３）を含み、処理空間が、堆積させるべき化合物又は化学元素の前駆物質を含む活性ガスと不活性ガスの混合物からなるガス組成物で満たされる。ガス組成物中に窒素を使用し、短いパルスを加え、処理空間内のガス組成物１０の所定の残留時間を用いることによって、粉塵の形成が防止される。安定化したプラズマを使用した場合に最良の結果が得られる。
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【課題】
検出した流動変動が、処理炉に供給された実際の処理ガスの変動によるものであるか、或は流量制御器の誤信号によるものかを判断可能とし、成膜品質の評価が迅速に行え、又成膜品質に異常があった場合の迅速な原因解明を可能とする。
【解決手段】
処理炉２８内の圧力を検知する圧力検知手段５３と、前記処理炉に供給するガス流量を検知し、ガス流量を制御するガス流量制御手段４８と、検知ガス流量と設定ガス流量との実偏差を算出し、該実偏差と設定偏差との比較、前記圧力検知手段が検出した圧力の変動の有無に基づき前記ガス流量制御手段が検出した流量検知信号が正常信号であるか、誤信号であるかを判断する主制御部６４を具備する。
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【課題】ＣＶＤ法によってTiＮを成膜する場合に、成膜速度を効果的に高めて生産性を向上させたTiＮの成膜方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により基板上にTiＮを成膜するに際し、原料ガスとして、Ｈ₂：10〜80mol％、Ｎ₂：10〜80mol％、TiCl₃：0.2〜60mol％およびTiCl₄：５mol％以下の組成になる混合ガスを用い、800℃以上 1300℃以下の温度で成膜する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アンチレフレクティブ層の堆積のための安定なプロセスを提供する。
【解決手段】 ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。また、ヘリウムはプロセスを安定化するためにも用いられ、別々の膜を堆積できるようにした。本発明はまた、プロセスパラメータを制御して、所望の光学挙動を得るための最適な屈折率、吸収率及び厚さを変化させたアンチレフレクティブ層を生成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎの偏析が少なく、且つ、Ｉｎの組成比を向上させつつＩｎＧａＮ層の結晶性が高いＩｎＧａＮの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００℃〜７９０℃の成長温度、３０Å／分〜９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０^−５モル／分〜３．５３×１０^−５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】低蒸気圧原料を使用したＣＶＤ法による成膜においても、キャリアガス中のソースガスの濃度を高精度且つ迅速に調整できる、ＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室に固体または液体原料から発生されたソースガスをキャリアガスにより搬送する原料供給装置を備えた成膜装置は、上記原料供給装置は、上記ソースガスの濃度を測定する濃度測定手段と、上記ソースガスの測定濃度に基づいて、上記ソースガスを搬送中の上記キャリアガスに付加する不活性ガスの流量を増減する不活性ガス質量流量制御手段と、を含み、前記不活性ガス質量流量制御手段は、前記測定濃度が成膜処理に適正な濃度範囲の上限値を上回った場合には前記不活性ガスの流量を増加し、前記測定濃度が前記適正な濃度範囲の下限値を下回った場合には、前記不活性ガスの流量を低減する制御を行い、前記ソースガス濃度の前記適正な濃度範囲からの逸脱を修正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のゲートスタックの稠密度とは関係なしに、均一な厚さのスペーサ酸化膜を一層迅速に形成できる半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に複数のゲートスタック１１０を形成する段階と;前記半導体基板１００上に気体状態のトリメチルアルミニウム及びトリス(ｔｅｒｔ-アルコキシ)シラノールを交互に供給することで、前記複数のゲートスタック１１０上にスペーサ酸化膜１１８を形成する段階と；を含んで半導体素子のトランジスタ形成方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内に、高融点金属有機原料ガスと窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか１つ、或いは複数よりなるガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の窒化、珪化、炭化のいずれか１つ、或いは複数よりなる膜である金属化合物膜の薄膜を形成する成膜方法において、前記高融点金属有機原料ガスを供給する工程と前記窒素含有ガス或いはシリコン含有ガス或いは炭素含有ガスのいずれか１つ、或いは複数よりなるガスを供給する工程とを交互に行うと共に、前記被処理体の温度を前記高融点金属有機原料の分解開始温度以上の温度に維持する。これにより、ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 カールフィッシャー法による水分含有量測定ができないプレカーサを含有し、高度な水分管理がなされた気化プロセス用薄膜原料を提供すること。
【解決手段】 分子構造中にＳｉ−Ｈを有するシラン化合物、亜燐酸エステル、銅(II)錯体、銅（I）錯体、金属アミド化合物、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合物及び金属ハイドライド化合物からなる群から選択される少なくとも１種のプレカーサを含有してなり、水分含有量が１ｐｐｍ以下である気化プロセス用薄膜原料。 （もっと読む）

【課題】所望の組成及びドーピング量の薄膜を再現性よく且つ効率的に形成できる薄膜堆積方法および薄膜堆積装置を提供する。
【解決手段】有機金属ガスを含む複数種の原料ガスをガス混合室２で混合した後に反応室１内に供給して、反応室１内に設置された基板Ｗ上に薄膜を堆積させる際に、反応室１の上流と下流とで赤外線ガス分析計17，18により原料ガスの濃度を測定し、測定結果から演算される反応室１内での各原料ガスの消費量が予め決めた設計値に一致するように、ガス混合室２に導入する原料ガスの流量を個々に調整する。成膜中にインラインでガス濃度測定してガス供給量をフィードバック制御するので、反応室１内での経時変化に即座に対応して常に安定した雰囲気にすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】薄膜中の元素の組成比を均一化させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、処理容器４と、被処理体を複数段に保持する保持手段１２と、処理容器の外周に設けられる加熱手段８６と、成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部５０と、混合ガスを処理容器内へ供給する混合ガスノズル部３０と、混合ガスと反応する反応性ガスを処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部２８と、混合ガスと反応性ガスとを交互に且つ間欠的に処理容器内へ供給するように前記混合ガスと反応性ガスの供給を制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＢＣＮ薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの３種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給システムの相違にかかわらず、全ての薄膜作製装置において薄膜堆積プロセス室内に適切な混合比のガスを供給することができるようにすると共に、他の計測方法における圧力依存性、消耗品の管理、波長選択性、爆発性、大量のサンプリングが必要となる問題、リアルタイムで測定できない問題等を生じることがないようにする。
【解決手段】粘性から組成が一意的に定義される組成変化を行う混合気体を用い、圧力だけでなく物性値にも敏感な圧力測定装置と前記物性値に影響を受けない圧力測定装置の両測定値から混合気体の圧力値を入力して物性値を求め、前記求めた物性値からあらかじめ取得している組成に対応した物性値のデータベースに基づき組成を求め、基板上に薄膜を堆積させる薄膜堆積プロセス室に供給する複数のガス供給装置の流量を、各々独立して前記組成により制御する。 （もっと読む）

【課題】 基体に対する密着性が良好であるばかりか、水分、特にアルカリ水溶液に対する耐性にも優れたプラズマＣＶＤ法による蒸着膜を提供する。
【解決手段】 有機金属化合物と酸化性ガスとを反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により基体表面に形成した蒸着膜において、前記有機金属化合物に由来する金属元素（Ｍ）、酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）の３元素基準で、前記蒸着膜は、炭素濃度が５元素％以上の基体側接着層領域と、炭素濃度が５元素％未満の中間層バリアー領域と、炭素濃度が５元素％以上の表面保護層領域とに区画され、表面保護層領域の外面では、炭素（Ｃ）濃度が酸素（Ｏ）濃度及び金属元素（Ｍ）濃度よりも高く、金属元素（Ｍ）の酸化度ｘが１．３以下であり、且つ金属元素（Ｍ）の結合エネルギーが、前記中間層バリアー領域での金属元素結合エネルギーの平均値よりも１．０ｅＶ以上小さく、中間層バリアー領域では、金属元素（Ｍ）の酸化度ｘが平均して１．８より高く且つ２．４以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空排気路に設けられた圧力調整バルブにより圧力制御を行う成膜装置において、圧力調整バルブの開度を予測することにより、正常な圧力制御ができない状態で成膜処理が行われることを未然に防止すること。
【解決手段】 今回実施しようとしている成膜処理の処理条件に対応する過去の処理データ（処理条件と、処理圧力に対応する圧力調整バルブの開度と、累積膜厚とからなる。）と、今回の成膜処理を終えた時の累積膜厚の値と、に基づいて今回の成膜処理における圧力調整バルブの開度を予測し、その予測値が閾値を越えているか否かを判断する。また過去の処理データに基づいて相関モデル線図を作成し、今回の成膜処理を終えた時の累積膜厚の値と、今回の処理条件と同じ相関モデル線図とに基づいて圧力調整バルブの開度の予測を行ってもよい。 （もっと読む）

被処理体（Ｗ）を収容する容器（１）と、この容器（１）内のラジカルを含む雰囲気（Ｐ）に向けて紫外光（ＵＶ）を出力する紫外光発生手段（４１）と、雰囲気（Ｐ）中を通過してきた紫外光（ＵＶ）を受光する紫外光受光手段（４２）と、この紫外光受光手段（４２）の出力信号に基づき雰囲気（Ｐ）中におけるラジカルの密度を求め、プロセスのパラメータを制御する解析制御手段（４３，４４）とを備えている。これにより、ラジカルの密度を一定に保持し、プロセスの再現性を向上させることができる。
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【課題】 流路調節部を備えた熱分解炉を提供する。
【解決手段】 熱分解炉本体（３１）と、熱分解炉本体の外周部に形成され、熱分解炉本体の温度を調節する加熱部（３３）と、熱分解炉本体内にソースガスを供給する少なくとも一つ以上のガス供給管（３２）と、熱分解炉本体内に装着されてソースガスのフローを調節する流路調節部（３４ａ）と、を備える。これにより、サイズが小さく、かつ優秀な特性を有するナノパーチクルの制御及び容易な製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

基板上に多層膜／コーティングを形成する改善された気相堆積方法及び装置を開示する。本方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるものであって、基板と直接的に接触する酸化物層の厚さが、基板の化学組成に相関するものとして制御される。これにより、後に堆積される層は、酸化物層により良好に結合される。改善された方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるが、この多層コーティングでは、酸化物層が基板上に直接的に堆積され、有機物層が酸化物層上に直接的に堆積される。典型的には、酸化物層及び有機物層が交互に配置される一連の層を形成する。 （もっと読む）