【課題】高速で再現性のある、均一性が高く、かつ高速な半導体又は液晶ディスプレイの製造を可能とする装置を提供する。
【解決手段】設定流量より任意の過剰のガスを任意の時間供給することが可能である装置内の圧力及び複数のガス分圧の制御システムを装置の上流に備え、制御システムと装置の下流に備えられた開度可変型流体制御バルブもしくは排気速度可変型真空排気装置とを連動させる事により装置内の圧力及び複数のガス分圧を一定に保つ事が可能なフィードフォワード方式の製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】有機チタン化合物を気化させた原料ガスと、これに反応する添加ガスとを反応容器内に供給し、化学蒸着法により、加熱した基体の表面上に窒化チタン薄膜を作製する薄膜形成方法において、基体（例えば、ＣＭＯＳ基板などの半導体基板）の温度を各種機能性材料の耐熱温度である１５０℃乃至２３０℃の低温領域にした場合において、実用的な成膜速度が得られ、被覆性も良好な化学蒸着法による薄膜形成方法に用いる薄膜形成装置を提案する。
【解決手段】基体を１５０℃乃至２３０℃の温度範囲に加熱し、添加ガスの分圧Ｐ_{added gas}を、有機チタン化合物を気化させた原料ガスの分圧Ｐ_{organometallic gas}に対し、１０≦Ｐ_{added gas}／Ｐ_{organometallic gas}の範囲に設定する薄膜形成装置とする。 （もっと読む）

チャンバと、電磁放射線源とを含む半導体成長システム。反応チャンバの塩化物系化学物質による放射線源からの放射線の吸収を検出するように検出器が配置される。制御システムが、塩化物系化学物質による放射線の吸収に応答して、チャンバの動作を制御する。制御システムは、反応チャンバのパラメータを調節することによって、チャンバの動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】クラック及びピットの発生が少なく、結晶性に優れた窒化物半導体層を有する半導体材料及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】Si基板１０上又はこの上に形成した中間層２０上に、Al_XGa_1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層３０を形成し、該組成傾斜層３０の上に、Al_YGa_1-YNの組成からなるからなる高Al含有層４１とAl_ZGa_1-ZNの組成からなる低Al含有層４２とを交互に積層してなる超格子複合層４０を形成し、該超格子複合層４０の上に、窒化物半導体層５０を形成してなる半導体材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下凸の上壁を有する反応室内に単結晶基板を配置し、反応室内にガス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入して、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層する枚葉式のエピタキシャル成長方法であって、ガス導入口から反応室内に導入するキャリアガスの流量に応じて、反応室の上壁の曲率半径および／またはガス導入口の上端と反応室の上壁の下端との高さ方向における差を調整してから、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長方法。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、成膜速度は低いが品質のよい成膜条件で下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜を形成し、その後、連続的もしくは段階的に高く変えた成膜速度にて微結晶半導体膜を堆積する。また、前記微結晶半導体膜は、成膜室の内側に空間をもって設けられた反応室内にて化学気相成長法にて形成され、さらに前記空間に水素、あるいは希ガスからなる封止ガスを導入し、反応室の内部を超高真空にすることを助け、下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜中の不純物を低いものとする。また、前記微結晶半導体膜をゲート絶縁膜上に形成し、ボトムゲートＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】酸化プロセス系の安定性を監視しながら基板の酸化膜を形成させる。
【解決手段】オゾン供給装置１１からオゾンを含んだガスを酸化処理チャンバ１２内の基板に供給して前記基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり真空ポンプ１４はオゾン濃度計１３によって測定された前記基板に供された後のガスのオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記オゾンを含んだガスの供給流量を制御する。前記基板の加熱温度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面には紫外光領域の光が照射される。前記基板に照射する光の強度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射する場合、オゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記パスル照射の繰り返し周波数が制御される。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン膜を成膜する工程だけでシリサイド化反応が起こり易くすることで，スループットを飛躍的に向上させる。
【解決手段】ウエハ上にチタン化合物ガスと還元ガスと窒素ガスとを供給しつつプラズマを生成することによってウエハ上に窒化チタン膜を成膜する工程を有し，この工程において窒素ガスはその供給開始から所定の設定流量に達するまで（時間Ｔｓ），その供給流量を徐々に増加させるように供給することによって，シリコン含有表面にチタンシリサイド膜を形成しながらウエハ上に窒化チタン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスを原料とするプラズマプロセスにおいて、運転状況を常時自動監視して高安定な運転を行うとともに、従来よりも高度なプラズマ運転条件制御を行い製造物及び被処理物の製造・処理速度の均一化、均質化、高性能化、高度処理化を行うためのプラズマ成分変化計測方法及び装置を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマ発生前後の気体の物性値を測定し、プラズマ装置内の気体の物性値と気体成分との相関関係から、プラズマ発生前後の気体成分の変化を検出する成分変化計測方法であって、前記物性値は粘性とし、前記物性値を測定する測定装置として、水晶振動子センサー１、水晶摩擦真空計またはスピニングロータゲージを用いた （もっと読む）

【課題】ガス処理装置のガスラインに設けられたバルブの開閉状態を簡易にかつ正確に確認することができる方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内のベース圧を形成し、バルブを閉じた状態で、複数のガスラインにラインフィルモードでガスを流し、チャンバ内圧力がトレランスを超えたか否かを判断し、トレランスを超えた際に、実際には閉じていないバルブが存在すると判断してアラームを発生し、 トレランスを超えていない場合に、複数のバルブを開いた状態で複数のガスラインに流量を制御しつつガスを流し、ガス流量がトレランスを下回ったか否かを判断し、トレランスを下回った際に、そのガスラインのバルブが実際には開いていないと判断し、アラームを発生し、ガス流量がトレランスを下回ったラインが存在しない場合に異常なしとする。 （もっと読む）

【課題】固体原料を気化させた原料ガスを消費区域に供給するにあたり、原料容器内の圧力を低くして、簡便に原料ガスの流量を演算し、しかも原料ガスを大きな流量で供給すること。
【解決手段】原料ガスを供給する前に、キャリアガスだけを処理ガス供給路内に通流させ、この時のキャリアガスの流量と圧力とからなる基準データを取得し、次いで、キャリアガスの流量を変えずに、このキャリアガスと原料ガスとを処理ガス供給路内に通流させて、この時の圧力値を比較データとして計測し、この比較データと基準データとに基づいて原料ガスの流量を演算する。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚均一性が高い成膜が行なえる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】薄膜を形成すべき基板を設置し、該基板に対向する対向壁を有する反応室を備えたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置内に原料ガスを導入し、基板上に薄膜を形成する方法であって、前記原料ガスから化学反応により生成する気相中間体の基板上の濃度を、前記対向壁の温度を前記基板の温度とは独立に冷却して前記ＣＶＤ装置の原料ガス上流側から下流側に前記対向壁の温度が順次高くなるように制御し、前記原料ガスの上流の前記対向壁の温度が前記中間体の生成温度よりも低くなるように保持する成膜方法及びその方法を実施するための成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 シャワーヘッドを短時間で所望の温度にすることができ、かつシャワーヘッドの温度安定性が高い成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜装置１は、チャンバー２と、シャワーヘッド１０と、シャワーヘッド１０を介してチャンバー２内に処理ガスを供給するガス供給機構３０と、シャワーヘッド１０の温度を制御するシャワーヘッド温度制御手段６０と、断熱材２０とを具備し、シャワーヘッド温度制御手段６０は、シャワーヘッド１０を加熱するヒーター１７，１８と、シャワーヘッド１０を冷却する冷却機構６１ａ，６１ｂと、シャワーヘッドの温度を検出する熱電対６５ａ等と、温度検出機構の検出結果に基づいて少なくともヒーター１７，１８を制御するコントローラ６２とを有し、シャワーヘッド１０と断熱材２０との間には冷却機構６１ａ，６１ｂからの冷却ガスが供給される空間１９を有する。 （もっと読む）

【課題】反応室内で基板に成膜を行っている最中に生成物による異常が発生しても、簡単な除去処理のみで短時間に生成物除去を行うことができる方法を提供する。
【解決手段】成膜工程中の異常が発生した場合に、原料ガス供給装置１３ａから反応室１１への原料ガスの供給を停止し、高圧不活性ガス導入部１５ｂから反応室１１に対して不活性ガスＮ₂を供給し、さらに、不活性ガスＮ₂の供給圧力を上昇させる。これにより、異常の原因となった生成物を除去できる場合がある。生成物が除去された場合、不活性ガスが反応室１１に供給されるために、反応室１１内の気圧が上昇する。したがって、生成物が除去されたか否かは、反応室１１内の気圧が上昇したか否かによって検出される。気圧が上昇しなかった場合は、洗浄液収容部１５ａの洗浄液を用いて、反応室１１内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱温度が比較的低い樹脂製基板に微細かつ膜厚が均一な薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 加熱手段２によって密閉容器１の内部を反応温度まで上昇させる。次に、薄膜の原料となる金属錯体または酸化物の錯体と、２００℃以下の沸点を有する溶媒と、を混合した反応液４を加熱雰囲気によって加熱して前記錯体を含む原料ガス発生させて飛散させる。原料ガス中に基板５を供給し、錯体を分解させて金属または酸化物を基板上に析出させ、薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】噴射弁３の異常を容易に把握するとともに、噴射弁３のメンテナンス時期を容易に把握することである。
【解決手段】液体原料を気化し、基板Ｗ上に堆積させて成膜するものであって、前記基板Ｗを内部に保持する成膜室２と、当該成膜室２内に前記液体原料又は気体を噴射する噴射弁３と、当該噴射弁３に液体原料又は気体を供給する供給路と、当該供給路上に設けられ、前記噴射弁３に供給される液体原料又は気体の流量を検出する流量計５とを備えた成膜装置１における前記噴射弁３の異常判断方法であって、前記噴射弁３を用いたときの前記供給路における前記液体原料又は気体の流量を測定する測定ステップと、前記測定ステップの測定流量と、正常な噴射弁３を用いたときの前記供給路における前記液体原料又は気体の基準流量とを比較して、その比較結果をパラメータとして、前記噴射弁３の異常を判断する異常判断ステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜質の均一性が高く、成膜速度も速い、特にＣＶＤ法による半導体薄膜の製造方法と装置を提供すること。
【解決手段】反応炉のチャネルおよびこのチャネルに配置した基板を加熱しながら、チャネルの入り口から反応ガスをキャリアガスとともにチャネル内に導入し，基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、反応ガス、または反応ガスとキャリアガスの各一部を、チャネルの入り口から分岐した補助ガス流路に案内し、前記基板の上方部からチャネル内に導入する方法、かつこの方法を実施するよう構成した装置。 （もっと読む）

【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。
【解決手段】作製装置１０の供給系１４は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管１４ａからは、金属Ａｌと第１ガスｇ１中のＨＣｌガスとの反応で生成するＡｌＣｌ_xガスを供給する。供給管１４ｂからはＮＨ₃ガス含む第２ガスｇ２を供給する。供給管１４ｃからは、第３ガスｇ３としてＡｌＣｌ_xとＮＨ₃との反応によるＡｌＮの生成を抑制するガス（例えばＮ₂ガス）を供給する。供給管１４ａの端部１４ｅ近傍の領域において、サセプタ１２側へと供給されるＡｌＣｌ_xガスを取り囲むように第３ガスｇ３の流れが形成されるので、当該領域においてＡｌＣｌ_xガスとＮＨ₃ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部１４ｅへのＡｌＮの析出が効果的に抑制される。 （もっと読む）