説明

Fターム[4K030HA15]の内容

CVD (106,390) | 被覆処理 (2,086) | 検出、測定、制御を行うもの (535) | 検出、測定、制御の対象 (383) | 原料ガスが対象となるもの (64)

Fターム[4K030HA15]に分類される特許

61 - 64 / 64


単一のフローを所望の比率の2以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも2つの二次フロー・ラインと、少なくとも1つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも1つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
(もっと読む)


原料ガスを扱うガス製造設備、並びに、ガス供給容器に起因する原料ガスの汚染を防止する。 反応性の高い原料ガス、特に、フッ素化炭化水素によるガス製造設備及び供給容器における接ガス表面の表面粗さを中心平均粗さRaで1μm以下にする。表面粗さを制御された接ガス表面には、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム等の酸化性不働態膜が形成されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】処理チャンバから排出される種についての交差反応を著しく低減できるような装置を提供する。
【解決手段】装置が、チャンバ入口とチャンバ出口とを有するチャンバと、第1のガス流を受け入れるための第1の入口と、第2のガス流を受け入れるための第2の入口と、第1のガス流を第1の真空ポンプへと出力する第1の出口と、第2のガス流を第2の真空ポンプへと出力する第2の出口と、導管ネットワークであって、第1の入口を第1の出口に結合し、第2の入口を第2の出口に結合し、それぞれのガス流について、第1の流路と第2の流路とをそれぞれの入口と出口との間に形成し、第1の流路はチャンバ入口とチャンバ出口とを通り抜け、第2の流路はチャンバを迂回するような上記導管ネットワークと、ネットワークを通り抜けるガス流の経路を割り当てて、あるガス流が第1の流路に沿って流れるとき、他方のガス流を第2の流路に沿って流れさせる経路割当手段と、を備えている。 (もっと読む)


実質的に純粋な、同形の金属層を1以上の基体上に金属含有前駆体の分解によって堆積する方法。この堆積プロセスの間、基体(一または複数の基体)は前駆体の分解温度より高い温度に維持され、一方、周囲の環境は前駆体の分解温度より低い温度に維持される。前駆体は輸送媒体、たとえば蒸気相の中に分散される。蒸気相はその中に液体も含有し、該蒸気相中の金属含有前駆体(一または複数の金属含有前駆体)の濃度は、金属前駆体(一または複数の金属前駆体)について飽和またはそれに近い状態を与えるレベルにあることができる。輸送媒体と基体との間の上述の温度の制御を確保することによって、かつ輸送媒体について飽和状態を維持することによって、堆積された金属薄膜の品質は顕著に改善され、かつ副生金属粉塵の生成は大きく低減されまたは実質的になくされる。 (もっと読む)


61 - 64 / 64