【課題】
装置内での均一なプラズマ処理を行うことが可能なプレートの反りを抑制したプラズマ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
反応室内に互いに対向するように配置された一対の電極７と、電極７間に並設して配置され、被処理体１を載置し得る複数枚のプレート３a、３ｂ、３ｃと、電極７間でプラズマを発生させるための電力供給手段とを備えてプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】
内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。 （もっと読む）

本発明は、１成長サイクルで多数の単結晶を製造するための気相結晶成長装置に関する。気相結晶成長装置は、少なくとも１つの中央ソースチャンバと、複数の成長チャンバと、ソースチャンバから成長チャンバへの蒸気の移送に適用される複数の通路手段とを備え、少なくとも１つのソースチャンバが成長チャンバから熱的に分断される。 （もっと読む）

【課題】基板を反応室内に精度よくセットして成膜を行うことができる成膜装置及び複合成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓを装着した基板アダプタ２を反応室１に搬送する搬送手段と、搬送手段により搬送された基板アダプタ２を、位置決め機構２ｂ，２０ａにより位置決めして保持する保持手段２０と、保持手段２０により保持された基板アダプタ２を反応室１内に固定する固定手段１ａ，２０ｂと、固定手段１ａ，２０ｂにより基板アダプタ２を固定した状態で、基板２の被成膜面Ｐに成膜を行う成膜手段とを備える。 （もっと読む）

処理対象の表面に均一な薄膜層を形成でき、しかも、短時間に処理することができるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。プラズマ処理室１にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内１に配置した基体１３に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記基体１３をプラズマ処理室１の中心軸と同軸上に固定し、前記プラズマ処理室内のマイクロ波の定在波モードを、前記基体の口部１３１から胴部１３３までは、ＴＥモード又はＴＥＭモードとし、前記基体の底部１３２は、ＴＥモードとＴＭモードが共在するモードとしたマイクロ波プラズマ処理方法としてある。
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【課題】 プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してＣ4Ｆ6やＣ4Ｆ5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。
【解決手段】 気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板と第１のガス供給部との距離が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件で、例えば環状Ｃ5Ｆ8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、Ｃ4Ｆ6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体気相成長装置において均熱板と基板とが全面で接触する構成では、サセプタ回転中にトレイ内で均熱板が動き、トレイ部分に接触し温度伝達の不均一性を発生させる。
【解決手段】真空処理室内のトレイ２は、先端に規正ピン４と形状記憶合金からなるバネ５がトレイに２箇所以上埋め込まれており、常温時は元の状態で均熱板３と基板１をトレイ２に自動挿入することができる第一の手段と、高温時は伸びた記憶状態になり、均熱板３をセンタリングすることができる第二の手段を備える。 （もっと読む）

サセプタの裏側からの輻射をモニタするためにサセプタ内の１以上の光ファイバを用いる装置および対応する方法が開示される。光ファイバはフィルタされ、電気信号に変換される。堆積サイクルの間電気信号を一定に保つことによってウェハの温度を一定に保持するために制御システムが用いられる。これにより、低温および減圧下でパターンが形成されたウェハ上に非選択エピタキシャルポリシリコン成長を行う間にウェハの温度が変化することによる問題を克服することができる。
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【課題】 生産性を向上させるとともに、省スペース化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を真空処理する真空処理室１３０と、基板を載置して搬送する基板キャリア１２と、基板を大気側と真空側間とで搬入、搬出する予備室１２０Ａ、１２０Ｂとを具備した真空処理装置において、予備室１２０Ａ、１２０Ｂと真空処理室１３０間に、基板キャリア１２を搬出入させる基板キャリアスライド室３０を設けるとともに、この基板キャリアスライド室３０は、基板キャリア１２を滞在させる最小限の２対のレール３２Ａ、３２Ｂを有し、これらのレール３２Ａ、３２Ｂを予備室１２０Ａ、１２０Ｂ、又は、真空処理室１３０に基板キャリア１２を搬出入する位置に制御する位置制御機構を備える構成とした。
この場合位置制御機構は、ボールネジ３４Ａ、３４Ｂと直動ガイド４０とで構成すると良い。 （もっと読む）

本発明は、エピタキシャルリアクターの反応槽（３）内で回転するサセプタ（２）の位置制御するためのシステムに関する。その制御は、レーザー光線がサセプタ（２）に配されるピン（８）により反射されるとき、光源（１５）により伝播されるレーザービームの経路差に基づいて実行される。
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【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成において、異常成長の発生を低減すること。
【解決手段】堆積膜形成装置は、内部を減圧可能な反応容器１０１を有し、反応容器１０１内には、原料ガスを供給するガス供給手段１１０が設けられ、複数の円筒状基体１０５が同一円周上に等間隔に配置され、反応容器１０１の外に、高周波電力導入手段１０２が配置されており、原料ガスを高周波電力によって励起、解離させることによって、円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。この堆積膜形成装置には、同一円周上に配置された円筒状基体１０５に囲まれた領域の内部に、アースに落とされ冷却された導電性の円筒状部材１１１が設置されている。 （もっと読む）

【課題】従来の電子写真感光体における諸問題を克服して、低コスト且つ安定した製造が可能で、堆積膜特性の優れた、画像欠陥が少ない電子写真感光体の製造可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料により構成された減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を配置し、反応容器内へ原料ガス導入手段より供給された原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解して円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置において、円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、高周波電力導入手段は反応容器の外側に配置され、且つ、反応容器の外周を一周せしめて覆う形状であり、円筒状基体が配置される配置円内に設置されている接地された円筒状部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにＨ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇ／２のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有するようにする（ここで、λｇ：マイクロ波の管内波長）。また、プラズマヘッドにＥ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有する均一化線路を配置する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバに導入され熱分解反応を行う反応ガスを用いてプロセスチャンバ内の1または複数の結晶基板の上に結晶層を蒸着する装置を提供する。
【解決手段】片面から加熱可能な搭載プレート２を具備しかつ該搭載プレート上に少なくとも１つの基板ホルダ９と基板ホルダを取り囲む少なくとも１つの補償プレートとが載置されることにより水平ギャップ３を形成し、補償プレート４の局所的表面温度に影響を及ぼすために、ガス流の方向における前記基板ホルダの上流側において水平ギャップ３のギャップ高さを変化させるかまたは局所的に異なるようにする。 （もっと読む）