【課題】可撓性基板の巻きズレを確実に修正することによって基板のシワの発生を防止可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】フィルム形状の表面を垂直方向に沿わせた状態で搬送される可撓性基板（以下、「基板」という）２を成膜する薄膜形成装置１，４１であって、垂直方向に沿った回転軸１１ａ中心に回転することによって基板２を巻取り可能に構成される巻取りコア１１と、垂直方向に沿った回転軸１２ａ中心に回転可能に構成され、かつ基板２を巻取りコア１１に向けてガイドするように巻取りコア１１より基板２の搬送方向上流側に配置されるガイドロール１２と、基板２の縁部分を検出し、かつガイドロール１２より基板２の搬送方向上流側に配置されるセンサ１３とを備え、巻取りコア１１、ガイドロール１２およびセンサ１３が、共に、センサ１３により検出された基板２の縁部分の位置変化に対応して基板２に相対して垂直方向に移動可能に構成される、薄膜形成装置１，４１。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と証フットプリント化の相反する条件の両立を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送室１２を中心としてロードロック室１４ａと少なくとも二つの処理室１６ａが配置されている基板処理装置であって、搬送室はロードロック室と処理室間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられた第一のアームを有し、それぞれのフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸されるよう構成され、処理室は、第一の処理部３６と第二の処理部３８とを有し、第二の処理部は、搬送室から第一の処理部を挟んで遠方に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板に対して正確にマスクの位置合わせを行え、基板ホルダや周辺部への膜の付着を確実に防止することが可能なマスク位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】支柱軸方向の各回転軸を中心に回転する複数の支柱１０３と、複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させる手段と、マスク７０１と基板Ｗの位置ずれ量を検出する手段とを具備する。また、複数の支柱１０３の上面部にそれぞれの支柱の回転軸から所定距離だけずらしてマスク７０１を支持する支持ピン１０１を配置する。そして、マスク７０１と基板Ｗとの位置ずれ量に基づき複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させることによりマスク７０１を基板Ｗに対して位置合わせを行う。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、プラズマを使用して基板を処理するための方法および装置に関する。より詳しくは、本発明の実施形態は、複数のＲＦ帰還用ストラップに連結された電極を有するプラズマ処理用チャンバを提供し、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、処理中にプラズマ分布を調整するように設定されるおよび／または調節される。一実施形態では、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、ＲＦ帰還用ストラップの長さを変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの幅を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの間隔を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの場所を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップにコンデンサを付加することによってか、またはこれらの組み合わせによって変わる。
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基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】ＳＰ２結合とＳＰ３結合との比率を制御することが可能であり、構造が異なる炭素質膜の形成が容易な成膜装置を実現できるようにする。
【解決手段】成膜装置は、成膜室１１と、成膜室１１内に設けられた第１の電極２１と第２の電極２２とを有するプラズマ発生部と、成膜室１１の中に設けられ、成膜室１１内を運動する中性粒子が感ずる電子エネルギー分布関数を変化させるエネルギー分布関数可変部とを備えている。エネルギー分布関数可変部は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に配置され、グリッド電極２３と、成膜室１１内においてグリッド電極２３を移動させる移動機構３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板等の表面に炭素膜を効率的に成膜可能とし、炭素膜付き基板の量産性を上げる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空槽４内に対向配置した一対の電極１８ｃと、導電性ワイヤ２０を両電極の対向間のワイヤ搬送路上を搬送させる搬送手段と、を備え、上記真空槽内部に炭素膜成膜用ガスを導入すると共に上記両電極に直流負電圧を印加して上記両電極の対向間にプラズマを閉じ込めた状態で発生させ、かつ、上記両電極の対向間を通過するワイヤに対して上記電極対をワイヤ長手方向に移動させることを可能とした成膜装置２。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム処理用保護層を提供すること。
【解決手段】表面の方に流体を導くことによって、荷電粒子ビーム処理の間表面を保護する保護層が加工物に塗布される。アプリケータは表面に接触しないことが好ましい。インク・ジェット・プリント型プリント・ヘッドは適切なアプリケータである。インク・ジェット型プリント・ヘッドにより種々さまざまな流体を使用して保護層を形成することができる。保護層を形成する有用な流体は、小さい銀の粒子を有するコロイダル・シリカ、炭化水素ベースのインク、および染料を含む。 （もっと読む）

【課題】基板搬送等の際にチャンバー蓋を開閉しても、ガス導入管の位置を変動させることなく、原料ガスの反応室への導入状態を適正に保つ。
【解決手段】気相成長装置は、上部中央にガス導入管１１を配設した偏平円筒状のチャンバー１２内に、円盤状のサセプタ１３と、サセプタの外周部分に配置された複数の基板ホルダー１４と、サセプタの上方に対向配置されてチャンバー内を上下に区画し、サセプタ側に反応室１５を形成する隔壁である天井板１６とを備えている。チャンバーは、チャンバー本体１７とチャンバー蓋１９とで形成され、チャンバー蓋の中央部には、ガス導入管が挿通されるガイド筒２７を有し、ガイド筒とガス導入管の上部との間に円筒状のベローズ３３が設けられる。チャンバー蓋は、ベローズを伸縮させて上下動可能に形成され、チャンバー蓋を開閉する際にガス導入管やチャンバー本体は移動しない。 （もっと読む）

【課題】ワークをエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御可能とし、エネルギ線によりワークに高精度な処理を行えるようにした自律型のエネルギ線照射による処理装置および方法を提供する。
【解決手段】位置決めカメラによって保持装置に保持されたワークの保持装置に対する位置ずれ量を検出し、制御装置は処理データを位置ずれ量だけ補正してステージ装置を作動させ、保持装置をエネルギ線照射装置に対して移動させるので、保持装置に保持されたワークがエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御され、ワークの正確な位置および範囲にエネルギ線を照射して高精度な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ガスの流速を抑えるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、スロットアンテナ３０を介してマイクロ波を透過する複数の誘電体パーツ３１０から構成された誘電体窓と、梁２６の下面に固定された複数のガスノズル２７と、所定のガスを供給するガス供給部と、誘電体窓を透過したマイクロ波により所定のガスをプラズマ化して被処理体を処理する処理室Ｕとを備えている。各誘電体パーツ３１は、第１の気孔率を有する第１のポーラス材３１Ｐｈと第１のポーラス材３１Ｐｈに連結し、第１の気孔率より低い第２の気孔率を有する第２のポーラス材３１Ｐｌと、を含んで構成される。ガス供給部は、第１のポーラス材３１Ｐｈを介して第２のポーラス材３１Ｐｌからアルゴンガスを処理室内Ｕに導入し、ガスノズル２７からシランガスを処理室内Ｕに導入する。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスの利用効率の向上が図られた気相成長装置、欠陥の少ない化合物半導体膜及びその成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る気相成長装置１０においては、供給管２４の供給口２８に設けられた絞り部２６ａにより、供給口２８と基板Ｗとの間に乱流が生じやすくなっている。そして、この乱流により、原料ガスＧ１と原料ガスＧ２とが効果的に混合されて基板Ｗ上において反応するため、気相成長装置１０は気相成長装置１０Ａに比べて原料ガスＧ１，Ｇ２の利用効率が向上している。 （もっと読む）

【課題】線条体に周方向に均一に半導体膜を形成することのできる半導体膜成装置、半導体膜形成方法、及び半導体膜付き線条体を提供する。
【解決手段】半導体膜形成装置１は、内部に空洞３ａを有し、外部から供給される励起用高周波が空洞３ａ内で共振する反応容器３と、空洞３ａ内部を貫通し両端部４ａ、４ｂが反応容器３から突出するように反応容器３に取り付けられた石英管４と、石英管４内に導入されるガスが空洞３ａ内に供給される励起用高周波により励起されてプラズマＰが発生する石英管４内のプラズマ反応部５とを備える。プラズマが発生するプラズマ反応部５のある石英管４内に線条体２を配置するので、線条体２に周方向に均一に半導体膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ノッチを有する半導体基板に、プロセスガスが用いられて成膜が行われるに際し、膜厚異常部の発生を抑制することができ、半導体基板における有効チップ領域を広範囲に亘って確保することができて良品率を向上することができる半導体基板及び半導体素子製造方法を提供すること。
【解決手段】基板周縁部にノッチ２を有し、基板厚さ方向一側の面を、プロセスガスが用いられて成膜される成膜面（表面３）とする半導体基板（ウェーハ１）であって、成膜面と反対側の面（裏面４）におけるノッチ２の周囲近傍に、裏面４側から表面３側へと流れるプロセスガスを、基板外周方向へと導くガイド凹部３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、
ＣＶＤ装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成され、凹部の深さがダイヤモンド基板の厚さと同一又はダイヤモンド基板の厚さ以下である支持体を用い、
該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法、並びに、
使用するダイヤモンド基板の形状に応じて形成された基板載置部を有する基板支持体。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、プラズマの発生が反応室の内部、すなわちプラスチック容器の内部のみで起こるように、排気室又はそれ以降の排気経路でのプラズマの発生を抑制し、同時にプラズマを安定して着火させることである。さらに、装置寿命の短縮の防止、インピーダンスの急激な変化に起因する不良ボトルの偶発の防止及び容器主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図ることである。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、反応室３に周波数１００ｋＨｚ〜３ＭＨｚの低周波電力を供給し、且つ、プラスチック容器８の内部にスパーク発生部４０を有するプラズマ着火手段と配置する。このとき、プラスチック容器８と反応室３の内部空間３０との合成静電容量をＣ_１とし、絶縁体スペーサー４と排気室５の内部空間３１との合成静電容量をＣ_２としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２の関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】
ボート交換式の基板処理装置に於いて、ボートと、ボートを載置する側との間でボートの受渡しが行われる過程で生ずる位置ずれを修正する。
【解決手段】
底面部６４に凹部７２が形成された基板保持具１３と、該基板保持具に基板を載置した状態で基板を処理する処理室と、前記基板保持具を前記処理室に装入する為に前記基板保持具が載置される第１の載置部と、前記基板保持具に基板が挿入出される為に該基板保持具が載置される第２の載置部１９と、前記第１の載置部及び前記第２の載置部とは異なる位置で前記基板保持具を待機させる為に、該基板保持具が載置される第３の載置部と、前記第１の載置部と前記第２の載置部及び前記第３の載置部との間で前記基板保持具を移動させる手段とを有し、前記第１の載置部若しくは前記第２の載置部又は前記第３の載置部には、前記基板保持具が前記載置部に載置される際に凹部７２に嵌合させる為の凸部７１が設けられている。
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【課題】容器内の圧力に拘わらずに容器内のパーティクルの状況を検出することができるプラズマ処理室を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室１０は、チャンバ１１と、ガス導入シャワーヘッド３４と、処理空間Ｓに高周波電力を印加するサセプタ１２と、チャンバ１１内のガスを排気する排気装置と、パーティクルカウンタ４５と、チャンバ１１を反応室１７及びマニホールド１８に仕切るバッフル板１４とを備え、排気装置は粗引き排気管５４と本排気管５５とを有し、粗引き排気管５４及び本排気管５５はそれぞれマニホールド１８内に開口する粗引き排気口５６及び本排気口５７を有し、粗引き排気口５６及び本排気口５７は互いに隣接して配列され、それぞれパーティクルが自由落下する経路に向けて開口し、パーティクルカウンタ４５はマニホールド１８に配置され、該パーティクルカウンタ４５のレーザ投光部４７は粗引き排気口５６及び本排気口５７の配列方向に沿って検査用レーザ光を投光する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマの空間分布を制御して、広い面積で成膜またはエッチング速度を均一にする誘導結合型プラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１内に供給されるガスをプラズマ化し、このプラズマを利用して基板３に対する成膜やエッチングの処理を行う誘導結合型プラズマ生成装置において、
独立した複数の誘導コイル４Ａ，４Ｂを同心状に内外に配設するとともに、各誘導コイル４Ａ，４Ｂに供給する高周波電流の位相を独立に制御し得るように構成した。 （もっと読む）