基板上に材料層を低温で堆積するための方法及び装置を記載する。材料層は、その下の材料の熱安定性の悪さから様々なディスプレイ応用例で必要とされる低温処理用のカプセル化層として使用することができる。カプセル化層は、多くのタイプやサイズの基板について表面粗さを低下させ、遮水性を改善し、熱応力を低下させ、高いステップカバレージを付与するために、１つ以上のバリア層材料と１つ以上の低誘電率材料を有する１つ以上の材料層（多層）を含む。従って、このようにして堆積されたカプセル化層は、ＯＬＥＤデバイス等の様々なディスプレイ装置に関して、優れたデバイス寿命を付与する。加えて、基板上に非晶質炭素材料を低温で堆積するための方法を提供する。非晶質炭素材料を用いて熱応力を低減し、堆積された薄膜が基板から剥落するのを防ぐことができる。

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誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０^−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。
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【課題】 原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第１のガスおよび第２のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第１のガス流れを流し、第１の時間に処理チャンバに第２のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第２の時間に基板ホルダにＲＦ電力をパルス化する。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、半導体被加工物（８８２）の傾斜上の材料の堆積を低減する、またはなくすために単独または組み合わせて用いることができる種々の技術に関連する。一アプローチでは、傾斜領域へのガスの流れを妨げるためにシャドーリング（８８０）が基板（８８２）のエッジを覆っている。エッジをシャドーする間にウエハー全域で厚さの均一性を維持するために、シャドーリングのエッジ（８８０ａ）での形体がガスの流れをウエハーに向けて方向付ける。別のアプローチでは、基板ヒータ／支持部がパージガスを支持されている基板のエッジに流すように構成されている。これらのパージガスは、プロセスガスが基板エッジに達して傾斜領域上に材料が堆積するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）