以下の操作を含む無機支持体の両側上に同時蒸着するための方法：支持体を反応室（１０６，２０６）内に導入するか、又は支持体を反応室（１０６，２０６）内で走行させる；ＨＦ変圧器を含み、その二次側の端子に少なくとも二つの電極が接続される安定電力供給源を使用する；安定高周波電圧をこの変圧器の二次回路に発生する；少なくとも二つの電極を含む回路の固有インダクタと並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）を使用して、変圧器の二次側に発生される電圧と電流の間の位相シフトを減らす；混合物（１０８，２０８）を反応室（１０６，２０６）内に支持体の各側上に導入する；安定電力供給源によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又は少なくとも二つの電極を含む回路と並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、最適な反応特性を得るように方法の開始時又は方法の間に適合する；発電機回路によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又はインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、電極間に電流が流れる時間を延ばす高調波の生成を促進するように適合する；及び支持体を、前記支持体の各側上に所望の厚さの膜を得るのに十分な時間の間、室内に保持する。 （もっと読む）

基板の周縁部全域に亘って及び周縁部を超えて均一なプラズマを生成するための装置は、そこに埋設された上部電極及び環状電極をもつ誘電体を有する。上部電極の外周部は、環状電極の内周部と重なっている。一実施形態において、上部電極及び環状電極はモリブデンビアによって電気的に結合される。一実施形態において、上部電極は基板をチャッキングするための静電気力を提供するためにＤＣ電源に結合される。一実施形態において、上部電極は１以上の処理ガスを基板処理のためのプラズマに励起させるためにＲＦ電源に結合される。
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【課題】安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の電極１、１間に形成される対向領域２にプラズマ生成ガスＧを供給する。大気圧又はその近傍の圧力下で上記電極１、１間に電圧を印加することにより対向領域２にストリーマ放電Ｓを形成すると共にこのストリーマ放電Ｓにより対向領域２でプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｈに供給するプラズマ処理装置に関する。不均一な電界強度分布を対向領域２に発生させることにより上記ストリーマ放電Ｓを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Ｓを対向領域２で分散させるためのストリーマ放電分散手段と、被処理物Ｈを上記対向領域２で搬送するための搬送手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャック電極に直流電圧を印加する際及び遮断する際のチャック等価回路の時定数を小さくして、電荷の貯留及び電荷の放出をそれぞれ迅速に行うようにした載置台機構を提供する。
【解決手段】処理容器５２内でプラズマ処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台機構において、載置台８４と、内部にチャック電極１１４が設けられた静電チャック８６と、給電ライン１１６を介して接続された直流高圧電源１２０と、給電ラインに介設したチャック用スイッチ部１２４と、載置台の直流成分を検出する直流成分検出回路９６と、直流成分検出回路をバイパスするバイパスライン１０８と、バイパスラインの途中に介設して直流成分検出回路をバイパスさせて載置台を接地させるバイパス用スイッチ部１１０と、スイッチ部を制御するスイッチ制御部１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えるための装置を提供する。
【解決手段】高周波接地され、基板移送ポートの上方に置かれた高周波接地装置２８０が、堆積などの基板処理中のみ、基板支持体２２４と電気的接触を確立し、高周波電流に電流リターンパスを与える。高周波接地装置２８０の一実施形態は、処理中、基板支持体２２４は上向きに移動し、接地されたチャンバ壁２０６に固定された１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える被ピックアップブロック２８２と接触させる。 （もっと読む）

【課題】小型の装置で複数枚の板状基材に同時に良好な特性を持つＤＬＣ膜を生成する。
【解決手段】ＤＬＣ膜量産装置１０は、チャンバ１２がアースに接地されている。このチャンバ１２内に各板状基材６０に対向する対向電極を配置することなく、複数枚の板状基材６０を平行に等間隔に並べて配置する。そして、プラズマ放電によるスパッタリングクリーニングや下地密着層を各板状基材６０に形成したあと、チャンバ１２の内圧が０．１〜１０Ｐａになるようにチャンバ１２内に炭素源ガスを導入すると共に各板状基材６０に一斉にパルス半値幅が０．１〜３μｓｅｃの直流パルスの負電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各板状基材６０上にＤＬＣ膜を生成させる。 （もっと読む）

本発明は、担体における材料の蒸着に対する製造装置、及び該製造装置に使用される電極に係る。典型的には担体は、互いから離間された第１の端部及び第２の端部を備える。ソケットは、担体の端部の各々において配置される。製造装置は、チャンバを画定するハウジングを有する。少なくとも１つの電極は、ハウジングを通って配置され、該電極はソケットに結合するよう少なくとも部分的にチャンバ内において配置される。電極は、ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を備える。接触領域コーティングは、電極の外部表面の接触領域において配置される。接触領域コーティングは、少なくとも９×１０^６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に用いる高周波のパワーを周期的に変調する方式において、プラズマインピーダンスの変動や高周波電源への反射を可及的に少なくして、プロセスの安定性・再現性および高周波電源の安全保護を保証する。
【解決手段】このプラズマ処理装置では、バイアス制御用高周波（ＬＦ）のパワーをプロセスに応じた特性てパルス変調するだけでなく、ＬＦパワーのパルス変調に同期してその周波数（ＬＦ周波数）もパルス変調する。すなわち、ＬＦパワーとＬＦ周波数との間に、１サイクル内で、ＬＦパワーがＨレベルの設定値Ｐ_Aを維持する期間Ｔ_Aの間はＬＦ周波数もＨレベルの設定値Ｆ_Aを維持し、ＬＦパワーがレベルの設定値Ｐ_Bを維持する期間Ｔ_Bの間はＬＦ周波数もＬレベルの設定値Ｆ_Bを維持するような同期関係を持たせる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制して均一なプラズマを生成することが可能なプラズマ電極を提供する。
【解決手段】プラズマ反応により薄膜が堆積される基板を載置する基板電極と、プラズマを生成するプラズマ空間を挟んで基板電極と対向し、プラズマ空間に面する第１主面６及び第１主面６の反対側の第２主面８で両面を定義し、第１主面から第２主面に貫通する複数のガス吹き出し部を有する高周波電極１０とを備える。高周波電極１０の複数のガス吹き出し部のうち、少なくとも外周部に設けられたガス吹き出し部が、第１開口部２及び第１開口部２に接続された第２開口部４を有し、第１開口部２の開口幅が第２開口部４よりも小さく、貫通する方向に測った第１開口部２の長さが１ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板に対して均一にプラズマ処理を施すことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るプラズマ処理装置１００は、下部電極１０の側方において、下部電極１０の外周に沿って環状に設けられる補助電極３０を備える。基板Ｓに対してプラズマ処理を施す場合、下部電極１０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とし、補助電極３０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とする。 （もっと読む）

【課題】基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー２１内に配置された基板保持電極２２及び対向電極２３と、基板保持電極２２に対して５０ＭＨｚ以上の高周波を印加する高周波発生装置２７と、この高周波と重畳するようにＤＣ負パルス電圧を印加するＤＣ負パルス発生装置２９と、高周波の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、高周波のオン・オフのタイミングに応じてＤＣ負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御器３０を備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、膜欠陥や特性ムラの少ない良好な堆積膜を高速で成膜できるようにし、電子写真感光体を用いた画像形成における黒点の発生などの画像欠陥の発生を抑制して画像特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、互いに離間して配置された第１導体２０Ａおよび第２導体２０Ｂのそれぞれに堆積膜形成対象物１０を支持させた状態で、堆積膜形成対象物１０を反応室３に収容する第１ステップと、反応室３を反応ガス雰囲気とする第２ステップと、第１導体２０Ａと第２導体２０Ｂとの間に、第１導２０Ａ体が第２導体２０Ｂよりも高電位となる状態と、第２導体２０Ｂが第１導体２０Ａよりも高電位となる状態とを交互に繰り返すようにパルス状の直流電圧を印加する第３ステップと、を含む、堆積膜形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を載置する下部電極の温度を速やかに変更可能にする。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、チャンバー２内に配設され、半導体基板９を載置するものであって内部に流体が流通する流体流路１０が設けられた下部電極４を備え、それぞれ異なる設定温度の流体を供給する複数の温度調節機１８、１９を備え、複数の温度調節機１８、１９から供給される複数の設定温度の流体の中からいずれか１つの流体を選択して下部電極４の流体流路１０に流すように切り替える切り替え手段１１、１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体膜５７は、膜材料として、Ｓｒ、Ｔａ、及びＮｂを主成分とする強誘電体材料が用いられ、１０日以上のデータ保持時間を有する。強誘電体膜を製造する方法は、強誘電体膜５７を形成する膜形成工程と、前記強誘電体膜５７を酸素ラジカル５８によって酸化する酸素導入工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板に対してより均一にガスを供給する供給口を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室５と、処理室内で基板を支持する支持具４１と、処理室内にガスを供給する供給口１４ａ，１５ａと、を有し、供給口には積層焼結金網８ａが設けられ、ガスは積層焼結金網を介して処理室内に供給される。または供給口には複数の貫通孔を有する多孔板が設けられ、それぞれの貫通孔内には金属多孔質材が着脱可能に設けられ、ガスは金属多孔質材を介して処理室内に供給される。 （もっと読む）

基板支持装置は、基板を支持する上部プレートと、上部プレートの下部に位置する下部プレートと、上部プレートと下部プレートとの間に介在される絶縁部材と、上部プレートと絶縁部材との間に介在され前記上部プレートに置かれる基板にプラズマを集中させるための電極と、絶縁部材と下部プレートとの間に介在され前記上部プレートによって支持された基板を加熱するヒッターと、を含む。ここで、絶縁部材は、ヒッターと電極との間の漏洩電流が減少するように約４００℃〜８００℃の温度で、約１０^６Ωｃｍ以上の体積抵抗を有する物質を含む。
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【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率がシリコンよりも小さい金属材料からなる被処理物をプラズマ中のイオンの移動を伴って生成される膜で被覆して得られる製品を歩留まりよく量産する。
【解決手段】２つの電極を含みこの２つの電極間にプラズマを発生させて基板９０をＤＬＣ膜で被覆する成膜部５４と、この成膜部５４が複数設置されたチャンバ１２と、これら複数の成膜部５４にそれぞれ一つずつ設けられ成膜部５４の支持電極５１と対向電極５２との間に直流パルス電圧を印加する電気回路６２を有するパルス電源部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】容量結合型のプラズマ処理装置においてプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。
【解決手段】サセプタ１２の主面つまり上面は絶縁板３６で覆われ、この絶縁板３６の下（裏側）に絶縁壁３８で画成された気密な空洞４０を有する空洞プラズマ形成部４２が設けられる。空洞４０の中には不活性ガスが封入されており、高周波電源４５からの高周波がヘリカルアンテナ４４に印加されると、空洞４０内で不活性ガスが放電してプラズマが生成される。空洞４０内のプラズマを誘電体として作用させることにより、処理空間ＰＳにおけるプラズマ密度の分布特性を簡単かつ自在に制御できる。 （もっと読む）