【課題】容量結合型の片側電極（特に下部電極）に周波数の異なる２つの高周波を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化できるようにする。
【解決手段】下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ１４は、上下に２分割された上部サセプタ電極１６および下部サセプタ電極１８を有している。第１高周波電源２２より出力されるたとえば２ＭＨｚの第１高周波は、整合器２４、給電棒２６および円筒給電体２０を通って上部サセプタ電極１６に供給され、上部サセプタ電極１６の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。第２高周波電源３４より出力されるたとえば４０ＭＨｚの第２高周波は、整合器３６および給電棒３８を通って下部サセプタ電極１８に供給され、下部サセプタ電極１８の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の端子部近傍にクラックが生じることを有利に抑制して、信頼性が高く、寿命が長い加熱装置を提供する。
【解決手段】セラミックス基体１１の加熱面１１ａの近傍で加熱面１１ａにほぼ平行に埋設された高周波電極１２を備える。この高周波電極１２に向かう導通孔１１ｃがセラミックス基体１１の裏面に形成されている。この高周波電極１１は、導通孔１１ｃと対向する領域にて導通孔１１に向かう円錐台形状の凹部１２ａを有している。 （もっと読む）

【課題】
薄膜太陽電池等の製造に用いられる両面放電型のプラズマＣＶＤ装置において、同時に搬入搬出される２枚の基板に、安定して均一な堆積膜を形成することが可能、即ち、両側のプラズマをアンバランス無く、均一に生成することが可能な高周波プラズマ発生用電源、該電源を用いたプラズマＣＶＤ装置及び方法を提供すること。
【解決手段】
両面放電型のプラズマ源に、互いに独立の関係にある２つの高周波電源の出力を供給することにより、両側のプラズマをアンバランス無く、均一に生成することを可能とする。該２つの高周波電源として、パルス変調型電源及びそれぞれに中心周波数の異なるバンドパスフイルターを有する２周波数型電源を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異常放電により半導体素子に不良品が発生することを抑制する。
【解決手段】第１の電極２と第２の電極５を互いに向き合うように離間して配置し、前記第１の電極２、又は前記第２の電極５のうち少なくとも一方を接地し、かつ他方にプラズマ発生用の電力を印加することによりプラズマを発生させ、前記第１の電極２、又は前記第２の電極５のうち一方に載置された半導体ウェハＷａｆを前記プラズマを用いて処理しつつ、接地電位に対するプラズマ電位Ｖｐと、接地電位に対す前記半導体基板表面上の電位の差Ｖｄｃの変動を測定し、該測定した値の変動に基づいて異常放電の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、パーティクルの発生の少ない半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上とすれば、厚み分布の均一な成膜ができるウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。あるいは、前記高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離を、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長くすれば、パーティクルの発生の少ないウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ワークの形態、形状、数等に係わらず、プラズマ処理によるワークの表面改質を均一かつ安定的に行う。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、電極２と、電極２の下面に形成された誘電体層３と、ワーク１００を載置すると共に電極２の対向電極としての機能を併有する金属パレット４と、金属パレット４を支持する非金属製のテーブル６と、電極２に対しワーク１００をテーブル６ごとＸ方向に移動する移動手段と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１とを備える。金属パレット４は、ワーク１００を挿入する複数の凹部４１を有し、金属パレット４の上面４２の凹部４１以外の箇所には、誘電体材料で構成された被覆層５が形成されている。電極２、金属パレット４間に高周波電圧を印加しつつ、ワーク１００と電極２との間にガスを供給してプラズマを発生させ、ワーク１００の被処理面１０１をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】均一なＣＶＤ処理をおこなうプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極板２０の、サセプタ１０に対向する面を凸型の形状とする。電極板２０は、凸部２０ａにおいてシールドリング２６の開口２６ａと嵌合する。このとき、凸部２０ａの厚さは、シールドリング２６の厚さとほぼ同一である。これにより、電極板２０と、シールドリング２６とは、実質的に同一の平面を形成する。また、凸部２０ａの主面は、ウェハＷの径の１．２〜１．５倍の径を有する。また、電極板２０は、例えば、ＳｉＣから構成される。 （もっと読む）

【課題】ワークのプラズマにより処理する領域を容易かつ自在に設定し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、複数の単位電極４２を有するヘッド４と、ワークを介し、単位電極４２に対向して配置される共通電極２と、共通電極２とワークとの間に所定のガスを供給するガス供給手段と、共通電極４２とワークとの間に供給されたガスを活性化させてプラズマが発生するように、共通電極２と単位電極４２との間に電圧を印加する電源部と、ヘッド４とワークとを相対的に移動させる移動手段とを備え、複数の単位電極４２は、ワークに対するヘッド４の移動方向と異なる方向に沿って並設されており、移動手段によりヘッド４とワークとを相対的に移動させつつ、ワークの単位電極４２に対応した位置を発生したプラズマにより処理するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。
【解決手段】プラズマCVD装置を使って、半導体基板上に多孔質膜を形成する方法は、Si-O結合を有するシリコン化合物を気化させて、反応室内に供給する工程と、プラズマ反応により、シロキサンオリゴマーを生成する工程と、反応室内に有機アミンを供給し、シロキサンオリゴマーと反応させて、半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】作業性を向上させることができ、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給されるＣＶＣチャンバ内には、ウエハを搭載する電極板が配置されている。ウエハの少なくとも一部の周囲には、電極板のウエハ側の表面に係止するウエハガイド治具１０１が配置されている。ウエハガイド治具１０１は平面視で略直線形状の部分を有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の陽極１１ａの載置面に基板１が載置される。陽極に対向する陰極１３には流路１３ａが形成され、冷却水が通される。陽極１１ａと陰極１３とに電圧を印加して、プラズマにより基板１上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極１１ａを冷却部材１２で冷却して基板１を所定の温度に急冷する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に、膜質及び膜厚が均質な膜を生成する。
【解決手段】 チャンバー１０内の陽極１１ａに対向する陰極１４を、陽極１１ａの中央部に対向する中央電極１４ａと、陽極１１ａの周辺部に対向するリング状の周辺電極１４ｂとで構成している。また、陽極１１ａの外周を囲むように、絶縁体１２を配置している。成膜の開始時には、アークの発生を予防するために、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧よりも高くし、陽柱光が発生した後、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧未満にする。これにより、プラズマの中央部の温度が周辺部に対して高くなることが防止される。絶縁体１２は、アークに起因する電流が基板１の側面に流れることを防止する。 （もっと読む）

開放性火炎に基づく噴射のための本発明の装置および方法は、機械的に圧送された反応性かつ可燃の液体溶液をノズルを用いて小さいオリフィスまたはノズルを経て予熱、与圧および霧化し、それから一組の点火炎により該噴射を燃焼させるものである。液体原料はノズルに達する前に超臨界温度に予熱され、入口に関する原料流経路の出口ポートの大きさの削減によって噴射の前に加圧される。補足のコリメーションまたは被覆ガスが原料の流経路に供給され、原料および補給ガスの両方が噴射の前に均一に加熱される。この配置によりノズルの目詰まりが避けられ、噴射手法の粒子生産物の特性が充分に制御される。 （もっと読む）

【課題】 フッ素元素を含有するガスにより、チャンバクリーニングが実施される場合であっても、基板支持部と加熱部の密着性が損なわれることがなく、かつ、容易にメンテナンスを行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板処理装置１０は、一方の面に被処理基板９が設置される板状の基板支持部２３と、基板支持部２３の他方の面に接触して設けられ、基板支持部２３に設置された被処理基板９を、基板支持部２３を介して加熱する加熱部２２とを備えている。さらに、基板支持部２３と加熱部２２との接触面の周縁を被覆するセラミックスからなるカバー部材２６を備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマＣＶＤにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。
【解決手段】テープ状基板１上に形成された磁性膜１ａ上にプラズマ反応によって保護膜１ｂを成膜する成膜装置１０は、磁性膜１ａに保護膜１ｂを形成するためのプラズマ反応空間を形成する反応室１１と、反応室１１内に保護膜１ｂを形成するための反応ガスを供給する反応ガス導入部１２と、反応室１１内に設けられており磁性膜１ａとの間にプラズマを発生させる陽極電極３１と、反応室１１の外部に設けられ、磁性膜１ａに対して非接触で電子流を供給する電子供給源３４，３５と、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を制御する制御部３６とを備える。制御部３６は、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を、陽極電極３１に対して供給される電流量以上に制御する。 （もっと読む）

本発明は、製品の裏面にプラズマ処理またはプラズマコーティングする方法に関する。処理する製品の運動方向と直交する方向に設け少なくとも製品の表面の幅以上の大きさの少なくとも一つの高圧電極の下に、高圧電極から間隔を介して製品を設置する。高圧電極および製品の相対的な運動方向が異なるように配置する。交流電圧による高電圧を高圧電極に印加する。高圧電極と製品との間の第１の空間に第１の大気を充填する。高圧電極とは反対側の製品の裏側の第２の空間に第１の空間とは異なる第２の大気を充填する。高電圧、第１の大気および第２の大気を、第２の大気内でプラズマ放電が発生するように調節する。 （もっと読む）

【課題】リフトピン機構１０における電圧降下を抑制して、処理ムラの低減を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｓは、被処理基板４を吸着面６で吸着保持する電極ステージ２と、ピン１２が吸着面６から突出することによって被処理基板４を吸着面６から離脱させるリフトピン機構１０と、電極ステージ２との間で放電可能な対向電極３とを備え、大気圧の雰囲気で電極ステージ２及び対向電極３の間にプラズマを生じさせる。そして、リフトピン機構１０は、ピン１２が電極ステージ２に没入した状態でピン１２と吸着面６に吸着された被処理基板４との間に形成される空隙部１３と、被処理基板４のプラズマ処理時に空隙部１３における電圧降下を抑制する電圧降下抑制手段２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】給電部材が発熱した場合に周辺部材の損傷を軽減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、電圧が印加される抵抗発熱体２２及び高周波電極２１と、これらの抵抗発熱体２２及び高周波電極２１に電力を供給する抵抗発熱体用給電部材１６及び高周波電極用給電部材１１と、これらの給電部材１１，１６の周囲に近接して配置された周辺部材１４と、給電部材１１，１６と周辺部材１４との間に配置され、少なくとも２５０℃よりも高い温度に対する耐熱性を有する断熱材１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ソースガスとしてSi含有ガスを使ってプラズマCVDにより絶縁性微粒子を気相中で形成し、凝集を抑制しながら、形成された微粒子を基板表面まで有効に移送することにより、基板上に低誘電率膜を形成する。
【解決手段】低誘電率膜を形成するための方法は、有機シリコンガス及び不活性ガスから成る反応ガスを容量結合型ＣＶＤ装置のリアクタ内に導入する工程と、リアクタ内のプラズマ放電周期の関数として気相中で生成される微小粒子のサイズをナノメートルのオーダーのサイズに調節する工程と、基板と上部電極との間の温度勾配を約１００℃/cmに制御しながらリアクタ内の上部電極と下部電極との間に配置された基板上に生成微小粒子を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
被処理体裏面外周に付着した堆積膜を他に悪影響を与えることなく効果的に除去することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理容器１と、該真空処理容器１に処理ガスを導入する手段と、導入した処理ガスに高周波電力を印加してプラズマを生成するアンテナ電極３と、前記真空処理容器１内に配置されその上面に被処理体を載置する載置電極４と、該載置電極４上に載置した被処理体２を押し上げて前記載置電極上に保持するプッシャーピン８とを備え、前記載置電極４は、被処理体２を載置する内周側載置電極４−１およびフォーカスリング１２を載置する外周側載置電極４−２、並びに前記内周側載置電極および外周側載置電極に電力を供給する高周波電源５−３を備え、該高周波電源５−３により前記外周側載置電極４−２に高周波電力を印加して、被処理体裏面の外周にプラズマを生成する。 （もっと読む）