【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気回路を電気的に安定して取付可能とする。
【解決手段】インピーダンス整合器の出力部分に設けられたソケット４０は、円筒形状に成形された金属体４０ａの中心部に、給電棒３２を嵌め込んで保持するための嵌込孔４１を備えている。嵌込孔４１の内壁には、絶縁物からなる被膜層４２が設けられており、給電棒３２との間が電気的に絶縁されている。第２の高周波電源５１にて生成された高周波電力は、誘導結合により給電棒３２に伝達される。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室αを有するように、絶縁フランジ８１を挟んでチャンバ２と電極フランジ４から構成される処理室内に、被処理体１０を載置する支持手段１５と、これを上下移動する昇降機構と、被処理体に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート５を収容する。チャンバの側壁に、反応室に被処理体の搬出入口１２を設けると共に、支持手段に一端が接続され、チャンバに他端が接続されるプレート部材４０を設ける。該プレート部材は、支持手段の外周縁部に設けた第一部位と、チャンバの側壁部に設けた第二部位、及び支持手段の移動に伴い、第一部位と第二部位とに電気的に接続する導電性の弾性部材からなる第三部位から構成されている。シャワープレートに配置されたガス噴出口６を通して導出されたプロセスガスがプラズマ化するように印加する電圧印加手段３３を備える。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の処理に伴う被処理基板中の素子の不良率を低減するためにダメージの発生しないプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】
処理室と、処理室内に設けられた第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極または第２の電極にプラズマ生成用の電力を印加するソース電源と、第１の電極または第２の電極にバイアス用の電力を印加するバイアス電源と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、ソース電源，バイアス電源及びガス供給手段を制御する制御手段を有し、被処理基板の表面処理を行うプラズマ処理装置において、制御手段は、プラズマ処理を行う定常プラズマからプラズマを消火する過程において、ソース電源の出力≦バイアス電源の出力の関係を保つように制御する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の温度を正確に調節できる電極部材及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための電極部材において、電極板と、前記電極板と熱接触する複数の熱電モジュール（１０）を備える冷却ユニットとを含んで電極部材を構成する。また、電極板は、プラズマが生成される生成空間と対向する前面及び前面と対向する後面を有し、各熱電モジュール（１０）は電極板の後面に配置される。電極板の後面には後面から陥没された設置ホールが形成され、各熱電モジュール（１０）は設置ホールに実装される （もっと読む）

【課題】大気圧雰囲気下での炭化水素系ガスを原料とした、従来より高硬度の非晶質硬質炭素皮膜が得られる非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその成膜装置を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】保持電極に基材を保持する基材保持工程と、大気圧雰囲気下において、印加電極を有する電極体を保持電極に対向させ、電極体と保持電極との間に炭化水素系ガスを含む原料ガスを供給し、電極体と保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極に交流電圧を印加して電極体と基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させ、排ガスを排気して、基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜の成膜を行う成膜工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極２に設置した基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｊを備え、前記放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、前記対向電極２で保持し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】製膜されたシリコン膜に発生する膜質分布を抑制し、製品の性能向上をはかり得るとともに放電電極の構造を簡素化しコストを低減し得る真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板側面３３に原料ガスを放出する複数のガス供給孔３５を有するとともに接地されている接地電極５と、それぞれ高周波電力が供給される複数の分割電極３ａ〜３ｈが接地電極５の基板側面３３に対向するように並列されて形成され、接地電極５に対向する表面に基板８を保持する放電電極３と、分割電極３ａ〜３ｈの裏面側に取り付けられ、分割電極３ａ〜３ｈをインダクタンス成分を介して接地させるアースバー６と、が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の可能性を極限まで低減できるとともに、配置の自由度を確保することができる可動ガス導入構造物を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、上下方向のみに移動可能なシャワーヘッド２２は、ウエハＷにドライエッチング処理が施されるチャンバ１１内部に処理ガスを導入する処理ガス導入系（処理ガス受入部２７を含む）と、処理ガス受入部２７及び該処理ガス受入部２７との相対位置が変化する外部の処理ガス供給元３４を接続して処理ガス供給元３４から処理ガス導入系へ処理ガスを供給する処理ガス供給管３５とを備え、処理ガス供給管３５は、処理ガス供給元３４に接続された第１のベローズ３５ａと、処理ガス受入部２７に接続された第２のベローズ３５ｃと、第１のベローズ３５ａ及び第２のベローズ３５ｃの間に介在する金属管３５ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して単一装置で複数のプラズマ処理を連続で行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワークＷをプラズマ処理する処理部に臨み、ワークＷがセットされるアース電極部６と、放電パターンの異なる複数の印加電極部３と、複数の印加電極部３を、処理部２に選択的に臨ませる電極搬送テーブル５と、処理部２にプロセスガスを供給するガス供給部１１と、印加電極部３に電力を供給する電源部９と、処理部２に臨んだ各印加電極部３に電源部９を断続させる断続手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法によって、電荷蓄積層として利用可能な、トラップが多数存在する窒化珪素膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、処理容器１内の圧力を１０Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源９から、ウエハＷを載置する載置台２の電極７にウエハＷの面積当り０．００９Ｗ／ｃｍ^２以上０．６４Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力密度で高周波電力を供給して、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用いてプラズマＣＶＤを行う。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の処理結果に面内分布が生じることを抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、処理室１００、第１電極１１０及び第２電極１２０からなる電極対、及び押付部材（第１開閉部材１４２と第２開閉部材１４４）を備える。電極対は処理室１００内に設けられている。そして第１電極１１０及び第２電極１２０は、互いに対向している。処理室１００内には、処理室１００の幅より長い長尺状の可撓性基板２００が搬送される。押付部材は、第１電極１１０及び第２電極１２０より外側に設けられており、可撓性基板２００を第１電極１１０に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】原料ガスとしてシランガス、アンモニアガス、水素ガスおよび／または窒素ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤによって、良好なガスバリア性を長期に渡って発現するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０〜３０［Ｗ／ｓｃｃｍ］、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】各電極体への電力供給を安定化させ、プラズマ密度の均一性を基板間で向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数枚の基板２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持する基板保持具２１７と、各基板２００の表面から所定の距離にそれぞれ配置される電極体３０１ａ，ｂが多段に積層してなり、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ電力が供給されることで隣接する基板２００間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ接続される導電性部材３０２ａ，ｂが基板２００の積層方向に沿って多段に連結してなる電力供給機構と、処理室の壁面を貫通するように電力供給機構に接続され、電力供給機構を介して各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部４１０ａ，ｂと、を備え、隣接する導電性部材３０２ａ，ｂは、基板の積層方向に沿って直線上に並ばないように連結されている。 （もっと読む）

【課題】連続して広幅基材の表面の均質な改質処理が出来るプラズマ放電処理装置の提供。
【解決手段】対向して設けられた第１の電極と第２の電極を有し、前記第１の電極と第２の電極の間に形成される放電部に、基材を通過させて、前記基材表面を処理するプラズマ放電処理装置において、前記第１の電極に対して非接触で設けられた給電部材と、前記第２の電極に対して非接触で設けられたアース部材とを有し、前記第１の電極は前記給電部材に対して、且つ、前記第２の電極は前記アース部材に対して移動可能に構成されていることを特徴とするプラズマ放電処理装置。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマにより結晶配向性（２２０）の比率が高い良質な微結晶シリコン薄膜を形成可能な表面波プラズマを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、被処理体１００を保持する基板保持部１０６と、チャンバ１０１内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入管１１０ａ，１１０ｂと、チャンバ１０１内にシリコン元素を含む材料ガスを導入する材料ガス導入管１１１ａ，１１１ｂと、マイクロ波を導入するマイクロ波導波管１０２と、基板保持部１０６と対向して設けられ、マイクロ波により基板保持部１０６と対向する面に生成された表面波により、チャンバ１０１内にプロセスガスの表面波プラズマを生成する誘電体板と、基板保持部１０６にＤＣパルスを印加するＤＣパルス電源１０９とを備え、基板保持部１０６にＤＣパルスを印加しながら、表面波プラズマ及び材料ガスを用いて被処理体１００上に微結晶シリコン薄膜を成膜する。 （もっと読む）