【課題】
被処理体裏面外周に付着した堆積膜を他に悪影響を与えることなく効果的に除去することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理容器１と、該真空処理容器１に処理ガスを導入する手段と、導入した処理ガスに高周波電力を印加してプラズマを生成するアンテナ電極３と、前記真空処理容器１内に配置されその上面に被処理体を載置する載置電極４と、該載置電極４上に載置した被処理体２を押し上げて前記載置電極上に保持するプッシャーピン８とを備え、前記載置電極４は、被処理体２を載置する内周側載置電極４−１およびフォーカスリング１２を載置する外周側載置電極４−２、並びに前記内周側載置電極および外周側載置電極に電力を供給する高周波電源５−３を備え、該高周波電源５−３により前記外周側載置電極４−２に高周波電力を印加して、被処理体裏面の外周にプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】
装置内での均一なプラズマ処理を行うことが可能なプレートの反りを抑制したプラズマ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
反応室内に互いに対向するように配置された一対の電極７と、電極７間に並設して配置され、被処理体１を載置し得る複数枚のプレート３a、３ｂ、３ｃと、電極７間でプラズマを発生させるための電力供給手段とを備えてプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】
内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。 （もっと読む）

【課題】構造が複雑でなく、被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板２００を処理する処理ガスをプラズマ励起するため処理室２０１内に設けられた一対の電極３２３、３２４であって、少なくとも一方に基板が載置される一対の電極と、一対の電極へ高周波電力を供給する高周波電力供給手段３０８と、一対の電極を回転させる回転手段３３１と、回転手段により一対の電極が回転している間は一対の電極への高周波電力の供給を停止し、一対の電極の回転が停止している間に一対の電極に高周波電力を供給するように、少なくとも回転手段と高周波電力供給手段とを制御する制御部３３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、容器と完全に相似形状の電極を使用する場合と同等の成膜条件を実現して均一なプラズマを発生させ、均一な膜を形成すること、並びに容器形状ごとに外部電極を準備することを不要とし、作業性、ハンドリング性、手間等の効率低下の要因を除くこと、である。
【解決手段】
本発明に係るガスバリア薄膜が成膜されたプラスチック容器の製造方法は、プラスチック容器自体に導電性薄膜を成膜し、この導電性薄膜を外部電極の代替電極として機能させる。これにより、容器の内表面又は外表面の少なくとも一方の表面にガスバリア薄膜が成膜されたプラスチック容器において、ガスバリア薄膜とプラスチック容器との間に導電性薄膜が成膜されているか、或いは、ガスバリア薄膜が成膜されている面の裏面側に導電性薄膜が成膜されている容器を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層（１７）と絶縁膜（１８）との間の界面特性(界面準位、固定電荷)に優れた絶縁膜を効率よく形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成される被処理基板（９）の半導体表面を、所定の周波数の高周波電源（６）によって励振される平行平板型のプラズマ生成装置によって発生させた酸素原子活性種によって酸化することにより、被処理基板（９）に第１の絶縁膜（１８）を形成する工程を有する。
さらに、より厚い絶縁膜を形成する必要がある場合には、上記第１の絶縁膜（１８）上に、成膜速度の大きい化学的気相堆積法によって第２の絶縁膜（２０）を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】効率的に均一なプラズマを形成することができ、プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】容量結合型のプラズマ処理装置１００は、真空雰囲気に保持されるチャンバー１と、チャンバー１内に互いに対向して配置され、一方が被処理基板Ｗを支持する第１および第２の電極２，１８と、第１および第２の電極２，１８の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構１０と、チャンバー１内のプラズマ生成領域Ｒにおける被処理基板Ｗの外側位置に設けられ、直流的に接地された部材２５とを具備する。 （もっと読む）

半導体ウエハの注入時にウエハに電気的に接触するためのシステムは、半導体ウエハに隣接した一対又は複数対の近接して離間した接点と、接点に接続した駆動回路であって、それぞれの接点対の１つの接点から半導体ウエハへ、半導体ウエハから他方の接点へ放電を行う駆動回路とを含む。これら接点はウエハから離間させることもでき、又、低い駆動電圧においてコロナを発生する助けとなるように、ウエハに最も近接した接点の先端は尖ったポイントを備えることができる。或いは、接点は曲線的として、ウエハに接触させてもよい。駆動回路は、ケタリング点火回路、コンデンサ放電点火回路、又はブロッキング発振器回路などのパルス放電回路を応用したものでよい。或いは、駆動回路は、テスラコイル回路などの連続放電回路を応用したものでもよい。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基板を吸着できる吸着装置を提供する。
【解決手段】表面が絶縁されている基体１０上に第１、第２の電極１１、１２を露出して設け、絶縁性の基板が第１、第２の電極表面に接触するか、非常に近接して配置されるようにする。第１、第２の電極間には、空間変化率の大きな電場が形成されるので、グラディエント力により、基板７は吸着装置１表面に吸着される。グラディエント力の大きさは電場の変化率の大きさに依存しているので、第１、第２の電極１１、１２間に電圧を印加し、１．０×１０⁶Ｖ／ｍ以上の電場を形成するとよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】真空雰囲気に保持されるチャンバー１と、チャンバー１内に互いに平行に配置された第１および第２の電極２，１８と、第１および第２の電極２，１８の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構１０とを有する容量結合型のプラズマ処理装置１００において、第１の電極２は、ウエハＷを支持するとともに、高周波電力が印加されるカソード電極として機能し、第２の電極１８は、接地されたアノード電極として機能し、第２の電極１８の第１の電極２と対向する表面は導電体１８ｃからなる。 （もっと読む）

【課題】成膜パラメータを均一に維持して膜質を高めると共に、装置の設置面積を低減する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置Ｓは、反応室１と、反応室１の内部に反応ガスを導入するガス導入口２と、反応室１の内部に設けられ、互いの間でプラズマ放電を発生させるアノード電極６及びカソード電極３と、アノード電極６とカソード電極３との間でフレキシブル基板１４を搬送する搬送機構１９とを備え、フレキシブル基板１４にプラズマＣＶＤ処理を施すように構成されている。そして、アノード電極６は湾曲した第１放電面２４を有する一方、カソード電極３は第１放電面２４に沿って湾曲した第２放電面２５を有している。 （もっと読む）

【課題】 異常放電の発生を防止して、被処理基板上の堆積膜の膜厚分布を均一化することができ、また被処理基板上の堆積膜の膜厚分布の再現性を向上させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 第２電極部５の外周部６１の周囲には、電気絶縁性材料から成る絶縁部を設けているので、装置を繰り返し使用しても、異常放電が発生してしまうことがない。したがって長期にわたって、被処理基板２上に堆積される堆積膜の膜厚分布を均一化することができ、また前記堆積膜にパーティクルが発生してしまうことを防止することができるので、被処理基板２上の堆積膜の膜厚分布の再現性を向上させることができる。 （もっと読む）

【発明の課題】 電子陰影効果を制限することができ、高エネルギのイオンまたは電子を生じることなくダメージのないウェハー処理として構成されるプラズマ処理装置および方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成部１００と、処理されるべきウェハー１５が配置されているウェハー処理部２００と、プラズマ生成部およびウェハー処理部を分離する金属グリッド２２と、プラズマ生成部に配置され、電子を放出するためのポーラスシリコン層２７を有する上部電極２１と、ガスを導入するガス導入ユニットと、プロセスガスを導入するためのガス導入口とから構成される。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えるための装置が提供される。
【解決手段】高周波接地され、基板移送ポートの上方に置かれた高周波接地装置が、堆積などの基板処理中のみ、基板支持体と電気的接触を確立し、高周波電流に電流リターンパスを与える。高周波接地装置の一実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える。高周波接地装置の別の実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する複数の低インピーダンス可撓性ストラップを備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの基板電極からの離脱時に、信頼性が高くさらにスループットを高めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、ガス供給装置と、被処理材１１６を載置可能な基板電極１１５と、静電吸着用直流電源１２３と、アンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源１１９と、アンテナ電極へ接続された高周波電源と、処理材を静電吸着膜から脱離する方向に力を印加するプッシャーピン１３１と、装置全体を制御する制御部１３３からなるプラズマ処理装置であって、プッシャーピン１３１の圧力変化またはプッシャーピンの変位を検出する手段１３２と、プッシャーピンの圧力または変位を検出する手段がプッシャーピンの圧力変化または変位を検出したときにプッシャーピンに印加する力を制御する手段１３４と、プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段１３３を設けた。 （もっと読む）

【課題】比較的大面積の基板上に形成対象物（例えばカーボンナノチューブ）を該基板面に対する垂直配向性良好に立ち上がるように堆積成長させることができるプラズマ化学気相堆積装置及びプラズマ化学気相堆積方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内に配置された三つの電極のうち電極２１上に基板Ｓを設置し、容器１内へ形成対象物（例えばカーボンナノチューブ）の堆積成長のためのガスを導入するとともに容器１内を排気して所定のガス圧に設定しつつ電極２１、２２間に直流電圧を印加して直流放電プラズマＰ１を形成する一方、電極２３に高周波電圧を印加して高周波放電プラズマＰ２を発生させ、プラズマＰ２をＤＣ放電プラズマＰ１へ拡散させつつ基板Ｓ上に形成対象物を堆積成長させるプラズマ化学気相堆積装置Ａ及び装置Ａによるプラズマ化学気相堆積方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板等の基板上に効率よく硬質炭素膜を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明によって提供される硬質炭素膜の製造方法は、反応容器２内に被処理材３を配置する工程と、前記反応容器内に配置された被処理材３の裏面に磁石１５ａ１５ｂを配置し、該被処理材３の表面側とその近傍に局部的に磁場を形成する工程と、前記反応容器２内に原料ガスを導入するとともに、該反応容器２内においてプラズマを発生させる工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】 活性化前の原料が基材に付着することを防止して、良質な薄膜形成を可能とする。
【解決手段】この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内で少なくとも一方の電極に沿うように、基材を電極に密着させて保持する保持機構とが設けられている。また、薄膜形成装置には、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように放電空間にガスを供給し、活性化されたガスで基材を晒すことで、基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部が設けられている。ガス供給部は、活性化以前のガスが基材に接しないように、ガスを放電空間まで案内する案内手段を有している。 （もっと読む）

【課題】 薄手の基材に対するヤラレを防止して、薄手の基材であっても安定した薄膜形成を可能とする。
【解決手段】 この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置された一対の電極と、基材を支持する支持体とが備えられている。また、薄膜形成装置には、基材が放電空間内で一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に沿うように、支持体を電極に密着させて保持する保持機構と、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように前記放電空間に前記ガスを供給し、活性化された前記ガスで前記基材を晒すことで基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部とが備えられている。そして、基材及び支持体は、再剥離性を有する粘着剤によって密着している。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れるとともに、押圧抵抗を軽減して高度な成形性を実現することが可能なハニカム構造体成形用口金を提供する。
【解決手段】本発明のハニカム構造体成形用口金１は、少なくとも二つの面８，９を有し、一方の面８に成形原料を導入する裏孔３が形成されるとともに、他方の面９に裏孔３と連通するスリット４が形成された板状の口金基体２を備えたハニカム構造体成形用口金１であって、口金基体２上の、裏孔３及びスリット４を構成する部位の少なくとも一部を覆うように配設された下地層５と、下地層５の少なくとも一部を覆うように配設された、Ｗ₃Ｃを主成分とする平均粒径５μｍ以下のタングステンカーバイド粒子から構成された中間層６と、中間層６の少なくとも一部を覆うように配設されたダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状炭素から構成された表面層７とをさらに備えたものである。 （もっと読む）