【課題】高温で処理を行う場合であっても、溶射皮膜に損傷が発生することを抑制することができ、絶縁不良による放電の発生等を防止することのできるプラズマ処理装置用構造体及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基材１００には、円孔１０１が形成されており、この円孔１０１内には、絶縁性のセラミック等から構成された円筒状のスリーブ１２０が設けられている。スリーブ１２０は、溶射皮膜１１０と接触しないように、その頂部１２１が、円孔１０１の上端部から所定距離下側に位置するように設けられている。また、頂部１２１より上側部分の円孔１０１の側壁部分には、絶縁体層１３０が形成されている。そして、溶射皮膜１１０と、スリーブ１２０と、絶縁体層１３０とによって、基材１００の上面（第１の面）と、円孔１０１内側面（第２の面）を覆う絶縁面が構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマシステムにおいて、電極のスパッタリングに起因する基板（ｄ）の汚染を減少させる。
【解決手段】プラズマシステムは、１以上の基板（ｄ）を保持する基板保持電極（ｂｂ）と、基板（ｄ）が保持される側と反対側に、基板保持電極（ｂｂ）と隣接した位置に基板保持電極（ｂｂ）から離れて配置された第２の電極（ａ）と、基板（ｄ）を一様に処理するために必要なガス混合物（ｆ）を供給するために、基板（ｄ）が保持される側に基板保持電極（ｂｂ）から離れて配置されるガス混合物（ｆ）分配用のシャワーヘッド（ｅ）とを備える。プラズマ（ｃ）は、基板（ｄ）を保持する基板保持電極（ｂｂ）と第２の電極（ａ）との間で生成が開始されて形成され、基板（ｄ）を保持する基板保持電極（ｂｂ）を包み、開口部（ｅｅ）を通してガス混合物（ｆ）を活性化して分配する前記シャワーヘッド（ｅ）から離れている。 （もっと読む）

【課題】膜特性が均一で、かつ、効率良く成膜及び装置のメンテナンスを行うことが可能なプラズマＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、真空中で原料ガス雰囲気下においてほぼ平行に対向離間配置された一対の放電電極間に交流電圧を印加し、一対の放電電極のうち基板配置電極９側に配置した基板１０上に原料ガスの薄膜をプラズマＣＶＤ法によって成膜するものである。原料ガスとしてシリコンを含有するガスを基板配置電極９と基板配置電極９に対向するシャワープレート４間において基板配置電極９上の基板１０に向って導き、基板配置電極９に対して１００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、基板配置電極９及びシャワープレート４間に生成されるグロー放電によって基板１０上にシリコン系薄膜を成膜する工程を有する。 （もっと読む）

水分又は酸素に弱い電子デバイスの保護のための非晶質ダイヤモンド状フィルム層を製作するプロセスについて記載する。プロセスは、シリコーン油からプラズマを形成する工程と、プラズマから非晶質ダイヤモンド状フィルム層を蒸着する工程と、非晶質ダイヤモンド状フィルム層と水分又は酸素に弱い電子デバイスとを組み合わせて、保護された電子デバイスを形成する工程とを包含する。また、有機電子デバイス上に非晶質ダイヤモンド状フィルム層を包含する物品についても開示する。
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【課題】少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。この方法は、ｆ１周波数でのＲＦパラメータ対ｆ２周波数でのＲＦパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、ＲＦパラメータが、ＲＦ電力、ＲＦ電圧又はＲＦ電流のうち１つである工程を含む。 （もっと読む）

装置は、間に空隙を形成するために下部電極と反対側に上部電極を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御するために提供される。下部電極は、基板を支持するために構成され、ＲＦ電源に結合されている。空隙に注入されたプロセスガスは、動作中にプラズマ状態に励起される。装置は、下部電極を同心円状に取り囲み、内部にスロットセットを有するグランドリングと、スロットを通してガスフローを制御するための機構を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理物の搬入出機構との干渉を回避しつつ、正規の放電処理開始地点での処理の良好性確保できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍの第１ステージ部３１の第１金属表面３１ａには固体誘電体層を設けず、第１ステージ部３１の第２方向の側部に第２ステージ部３２を設け、第２ステージ部３２の金属表面に固体誘電体層３４を設ける。誘電体を主成分とする被処理物Ｗを搬入出機構２０にて第１方向に沿って第１ステージ部３１上に搬入し、第１金属表面３１ａを覆う。電極１１は、第２ステージ部３２上で助走放電を形成したうえで、第１ステージ部３１上へ移動し、正規のプラズマ放電を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック容器内で液体の高い保管寿命を実現するために耐ｐＨ性の障壁被覆を提供すること。
【解決手段】 本発明は、基体（２）および基体（２）上の被覆（３）を備える複合材料（１）、それから作製される容器、および複合材料（１）を作製するための方法に関し、被覆（３）が、基体（２）に面する少なくとも１つの第１の領域（３１）および基体（２）に離れて面する少なくとも１つの第２の領域（３２）をもたらし、第１の領域（３１）が障壁層（４）を備え、第２の領域（３２）が不活性化層（５）を備える。
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【課題】基板に付着するパーティクルを低減する。
【解決手段】基板処理装置は、プラズマにより基板を処理する処理容器２０３と、前記処理容器２０３の中に設けられ、アース電極２２を有するサセプタ２１７と、少なくとも基板の周縁部を支持する支持部１１を有して前記サセプタ上に設けられる基板載置体１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】元素不純物で試料が汚染されず、パーティクル発生を防止するプラズマ処理装置及び方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム製の真空容器１０１の内側壁にアルミナ溶射膜１０４が１００μｍ〜１０００μの膜厚で形成されている。アルミナ溶射膜１０４はプラズマ溶射により内側壁を覆うようにアルミナを被着させている。アルミナ溶射膜１０４がほかの部材と接触する箇所にアルマイト処理２０１を形成し、貴金属膜ウエハＺを処理して真空容器１０１の内壁に被着することにより、パーティクル発生、コンタミを防止することとなる。 （もっと読む）

【課題】 常温以下の温度でのウエハの処理に適用することができ、特にＣＶＤ装置での使用に適したウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハを載置するためのウエハ載置面を有するウエハ保持体であって、ウエハ載置面側に設置されるセラミックス製のウエハ載置台と、そのウエハ載置台のウエハ載置面と反対側の面に設置された金属製の冷却モジュールとを具備している。冷却モジュールには、ウエハ保持体を冷却するための冷媒を流す流路が形成されている。また、セラミックス製ウエハ載置台には、高周波発生用電極が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ均一な膜を高い成膜速度にて形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜対象となる基材５を配置する真空槽１１内にプラズマを発生するプラズマ発生手段２と、プラズマ発生手段２によって発生させたプラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成するマルチカスプ磁界発生手段３と、基材５を保持すると共に閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転する保持回転手段４とを有することを特徴とする成膜装置１。真空槽１１内に、プラズマを発生させると共に、プラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成し、基材５を閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転させながら、基材５の表面に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。
【解決手段】 基板にプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜面積が大きい場合であっても、膜厚均一性が優れた膜を形成することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、第１原料ガスを放出するガス放射板と、ガス放射板に対向して配置された基板ステージと、ガス放射板と基板ステージとの間に設けられ、第１原料ガスのプラズマを生成するとともに第１原料ガスを励起して反応活性種を得るプラズマ生成部と、第１原料ガスに第２原料ガスを混合させる第２原料ガス放出配管と、第２原料ガス放出配管とともに、第１原料ガスの流れを整流する整流部材とが前記反応容器内にある。基板ステージの表面に垂直な方向から見た場合、第２原料ガス放出配管は整流部材とともに、基板ステージの表面の中心に対して点対称を有するとともに、中心を通る線に対して線対称を有し、第１原料ガスの流れを均一にする対称パターン形状をなす。 （もっと読む）

【課題】基本波または高調波の共振を利用してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において，共振のＱ値が過剰に大きくなることを防止する。
【解決手段】処理容器２内において上下に対向させて配置した一対の電極２０，１２の少なくとも一方に高周波電源２６より高周波電力を供給して，処理容器２内にプラズマＰを生成させ，基板を処理するプラズマ処理装置１であって，一対の電極２０，１２の少なくとも一方に，処理容器２内に生成されるプラズマＰから見た電極側のインピーダンスを変化させる可変インピーダンス部６０と抵抗体６１を直列に接続した可変インピーダンス回路４０を設けた。このプラズマ処理装置１によれば，可変インピーダンス回路４０に抵抗体６１を設けたことにより，共振のＱ値が過剰に大きくなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】シビアな精度を要求されることなく、処理ムラが出来るのを回避できるプラズマ処理装置の電極兼ステージ構造を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍの接地電極を兼ねる主ステージ部２１の平面視外側に近接するように昇降部材３０を配置する。この昇降部材３０を昇降機構５０によって主ステージ部２１から上に突出する上位置に位置させ、載置面３１ａに被処理物Ｗの外周部Ｗｂを載置し、次いで載置面３１ａが主ステージ部２１の上面２１ａから突出しない高さの下位置に位置させ、被処理物Ｗを主ステージ部２１上に外周部を突出させて設置する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高周波を印加される電極における放電電流分布の均一化あるいは任意の制御を可能とすること。
【解決手段】整合器３４とサセプタ（下部電極）１２との間の高周波給電ライン３６は、主給電棒３８、給電分配板４０、中心給電棒４２および周辺給電棒４４からなっている。高周波電源３２からの高周波は整合器３４より主給電棒３８を通って給電板４０に達し、ここから先は中心給電棒４２と周辺給電棒４４とに分流してサセプタ１２まで並列に流れる。サセプタ１２の主面（上面）の各位置における高周波電流ないし放電電流の分布は、中心給電棒４２からの中心分岐電流によって得られる電流分布と各周辺給電棒４４からの周辺分岐電流によって得られる電流分布とが重ね合わさったものとなる。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の高周波放電によって生成するプラズマの密度の空間的な分布を均一化ないし任意に制御してプロセスの面内均一性を向上させる。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極３４の中心部にはサセプタ１６に向って突出する凸面部３７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極（特に下部電極）に周波数の異なる２つの高周波を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化できるようにする。
【解決手段】下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ１４は、上下に２分割された上部サセプタ電極１６および下部サセプタ電極１８を有している。第１高周波電源２２より出力されるたとえば２ＭＨｚの第１高周波は、整合器２４、給電棒２６および円筒給電体２０を通って上部サセプタ電極１６に供給され、上部サセプタ電極１６の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。第２高周波電源３４より出力されるたとえば４０ＭＨｚの第２高周波は、整合器３６および給電棒３８を通って下部サセプタ電極１８に供給され、下部サセプタ電極１８の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。 （もっと読む）