【課題】 基板のプラズマ式ＣＶＤ処理に用いる静電チャックのチャッキング力の再現性を向上するための方法と装置を提供すること。
【解決手段】 本発明は、各チャンバクリーニングプロセス後に、SiO₂等の誘電体層７６で静電チャック３２のプリコーティングを行うものである。静電チャック３２上に堆積される均一に固着した誘電体層７６は、チャンバクリーニング中のチャック表面を覆うカバーウェーハの必要性を排除し、より信頼できるウェーハの把持を提供する。 （もっと読む）

【課題】長時間成膜を行った場合でも高品質の薄膜を安定して形成することができるプラズマＣＶＤ成膜装置およびそれを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜を行うための成膜室２を備え、成膜室２内にカソード電極３と、カソード電極３に対向して配置されたアノード電極４とを設けているプラズマＣＶＤ成膜装置１において、カソード電極３とアノード電極４との間に配置されたメッシュ状電極７を備え、メッシュ状電極７にパルス状電圧を印加し、パルス状電圧の波形Ｐがアノード電極４の電圧に対して負の電位となる負電圧と、０Ｖまたは正電圧とを交互に印加するように形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置１およびそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は基材に非晶質炭素層を形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、プロセシングチャンバーに基材を配置する；プロセシングチャンバーにプロセスガスを導入する；プロセスガスのプラズマを発生させる；および基材に非晶質炭素層を堆積させる、工程を含み、ここでプロセスガスは単一の炭素−炭素二重結合を有するＣ_４〜Ｃ_１０の環状炭化水素を含む組成物を含み、ここでこの組成物は安定化剤を含まない。 （もっと読む）

【課題】マスクの品質を向上させ欠陥を防止するとともに、マスクの生産性を向上させることができるマスクの製造方法およびマスク製造装置を提供する。
【解決手段】原子層堆積法を用い、基板Ｓ上にマスク材料の原子を堆積させて原子層堆積膜Ａを形成する第一工程と、基板Ｓ上の原子層堆積膜Ａを選択的に酸化または窒化する第二工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。
【解決手段】内部を真空に排気する排気系２２、内部にガスを導入するガス導入系２１を有する処理室１と、処理室１の内部に配置され基板４が載置される載置手段と、処理室１の内部に配置された対向電極２及び基板載置電極３と、対向電極２及び基板載置電極３に電圧を印加してガスをプラズマ化する基板載置電極用電源１３及び静電チャック電極用電源１５と、媒体供給手段から供給されて循環される冷却水の流路を内部に有し、電極の近傍に配置されて電極の温度を調整するための水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８とを備える。そして、水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８は、誘電体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】 載置台上に薄膜を形成して載置台を熱的に安定化させることにより、成膜プロセスの再現性を良好にすることができる処理装置を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器４と、該処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台１６と、前記被処理体を加熱する加熱手段１８と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入するガス導入手段３０と、を有して前記被処理体に対して成膜処理を施すようにした処理装置において、前記載置台の温度を実質的に略一定とした時にその膜厚が変化しても前記載置台からの輻射熱量が略一定になるような範囲内の厚さで、前記載置台の表面にプリコート層２８を形成するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 各段の電極間で面内、面間とも均一な基板処理を可能とする。
【解決手段】 被処理基板をプラズマ処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内に間隔をおいて配置され、前記被処理基板を載置する多段の電極と、前記各段の電極に供給線３０７、３０８、３０９を介して高さ方向に交互に接続され、前記プラズマを生成するための電力を供給する複数の電源とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】第１下部電極１３と、第１下部電極１３を取り囲んで接触し、且つ上下に摺動可能に配置された第２下部電極１４と、第２下部電極１４を取り囲んで接触する第３下部電極１５と、第２下部電極１４を跨ぐように第１下部電極１３上と第３下部電極１５上とに載置され、第２下部電極１４に対向して第２下部電極１４より幅の広い凹部１６を有するフォーカスリング１７とが容器１１内に設けられる。第２下部電極１４を上下に駆動し、第２下部電極１４をフォーカスリング１７の凹部１６に挿抜する駆動部１８が、予め求めたエッチング処理特性に応じて第２下部電極１４の位置を変更した後に、半導体基板１２をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】マイクロクラックやピンホールが形成されることなく、樹脂含有物成形品にＤＬＣ膜を形成できる方法及び製膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ４を減圧して原料ガスを導入した後、電極２，３間に高周波電圧を印加して目標膜厚より薄い膜厚のＤＬＣ膜１０を形成する製膜工程と、高周波電圧の印加を停止して電極２，３に蓄積された熱を逃がす放熱工程を交互に行うことにより、目標膜厚に達するまで段階的にＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ法において、電極ドラムの露出箇所に無効蒸着物が堆積することを好適に防止するとともに、耐熱性に優れ、かつ低コスト、さらには、耐久性や電気的な特性の優れた遮蔽基材を用いたプラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置において、前記ドラム電極と前記被蒸着基材とが当接する箇所を除く、前記ドラム電極の露出箇所に、該露出箇所への成膜を防止するための遮蔽基材を形成したことを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】一つの処理単位の処理が終了していなくても、半導体基板の処理中に異常を検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１は、ガスを導入するガス導入ライン１２８と、ウエハＷが載置されるカソード電極１３０と、高周波電力を供給する高周波発振器１３２とを有し、高周波発振器１３２が供給する高周波電力で生成されたプラズマを利用して、ウエハＷに所定の処理を施し、ウエハＷを処理する際に、カソード電極１３０に発生する自己バイアス電圧のデータを所定時間蓄積して格納する記憶手段１４２と、記憶手段１４２に格納された自己バイアス電圧のデータから自己バイアス電圧の変化量を求め、算出された変化量があらかじめ設定された許容量より小さくなるかどうかにより自己バイアス電圧が安定しているか判定するコントローラ１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを生成するための電極間のギャップを安定した放電間隔としながら処理室に配置するウエハの枚数の減少を防止できるようにする。
【解決手段】基板を処理する反応室１と、前記反応室１内に多段に配置されたリング状の支持板２１８と、前記支持板２１８にそれぞれ支持された複数の電極板２２０と、プラズマを生成するための電力を隣接する電極板２２０に印加して各電極板２２０及び各基板２００に支持された基板間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを備えた縦型基板処理装置であって、前記各電極板２２０がそれぞれ前記基板２００と同材質の材料で構成されると共に、前記支持板が石英で構成され、前記各電極板２２０が前記各支持板２１８にそれぞれ固定される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ化学気相成長法及び中空陰極技術を用いて内面に堆積される高ｓｐ³含有非晶質炭素被膜の形成方法に関する。この方法により、硬度、ヤング率、耐摩耗性及び摩擦係数などのトライボロジー的性質、並びに屈折率などの光学的性質の調整が可能になる。更に、得られた被膜は均一かつ優れた耐食性を備えている。圧力、ダイアモンドイド前駆体の種類及びバイアス電圧を制御することにより、この新しい方法は、ダイアモンドイド前駆体が基材との衝突によって完全に分解することを防止する。ダイアモンドイドは、高圧下で高ｓｐ³含有膜を生じるｓｐ³結合を有する。これによりダイアモンドイド前駆体を用いない場合に比べて、堆積速度を速めることができる。
（もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な構成で、膜厚のバラツキを少なくしつつ基板上に成膜するようなプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板５の成膜面を下側に向けて膜堆積を行うフェイスダウン方式のプラズマＣＶＤ装置１０において、基板５の背面の全面に接するようになされた導電板６と、導電板６とサセプタ２とを電気的に接続するコンタクト部７と、を備え、サセプタ２の支持部２３と導電板６を通じて基板５を等電位にするプラズマＣＶＤ装置１０とした。 （もっと読む）

【課題】プレコート膜を蒸着することなく、基板上への金属汚染を防止する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、基板を載置しかつ電極として機能する冷却サセプタと、内部に形成された複数の貫通孔を通じて冷却サセプタの方向へガスを導入するためのシャワープレートを含む。該シャワープレートは、もう一方の電極として機能し、冷却サセプタと平行に配置される。冷却サセプタは、冷媒を流通するための冷媒流路を具備するセラミック材料から成る。 （もっと読む）

【課題】 圧縮機摺動部材の大気圧近傍での非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその方法で成膜された圧縮機摺動部材及びその非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】 保持電極に圧縮機の摺動部材を圧縮機の摺動部材の摺動面と保持電極の電極面とが略同一面状に収容させ、大気圧近傍で交流電圧を印可して保持電極とガス供給電極体との間にグロー放電プラズマを発生させ、摺動面に非晶質硬質炭素皮膜を成膜する。その際保持電極とガス供給電極体とを相対移動させ、原料ガスの混合比を不活性ガス／炭化水素系ガス＝０／１００〜９９／１とし、放電ギャップ距離を０．５ｍｍ〜１０ｍｍとし、原料ガス流速を１ｍｍ／ｓｅｃ〜１０００ｍｍ／ｓｅｃとする。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセスのスループットを向上させることができるように、電極の接続構造を大幅に改善した半導体製造装置用のセラミックス基板、特にシャワー基板を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置のチャンバー内に設置され、内部に導電体２を埋設したセラミックス基板１であって、導電体２に接続された外部端子接続用の電極部材３と、電極部材３に接続され且つ電極部材３を被覆する導電性のカバー部材４と、カバー部材４で被覆されている電極部材３をチャンバー内雰囲気から遮断するＯ−リング５とを有し、電極部材３とセラミックス基板１及び電極部材３とカバー部材４とがネジなどにより機械的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着用プラズマ処理チャンバ（４０）に用いる非対称に接地されたサセプタ（７２）であって、サセプタによりサポートされ、接地された大きな矩形パネル（７４）が上にあるものを提供する。
【解決手段】複数の接地ストラップ（８６）が、サセプタ周囲間で、接地された真空チャンバに接続されており、ＲＦ電子のための接地パスを短くしている。可撓性のストラップだと、サセプタを垂直に動かすことができる。ストラップは、周囲で非対称な接地にコンダクタンスを与える。ストラップは、均一な間隔であるが、異なる厚さ又は異なる形状を有している、或いは、利用可能な接地点から外して、異なるＲＦコンダクタンスを与えるようにしてもよい。非対称性を選択して、ＰＥＣＶＤ堆積フィルムの堆積均一性及びその他品質を改善する。 （もっと読む）

【課題】大型基板に対し、大型特殊設備を用いて製造される大型のヒーターを使用する必要がなく製造コスト削減が可能な真空処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内で基板に対して真空処理を行う真空処理装置であって、真空槽２内において上に基板１０を配置するサセプタ５と、サセプタ５に配置された基板１０全体を加熱ブロック９を介して加熱する基板加熱手段７０とを備える。基板加熱手段７０は、サセプタ５の基板配置領域より大きさの小さい複数のブロック状の分割ヒーター７が隣接するように配置構成されている。 （もっと読む）

【課題】高温で処理を行う場合であっても、溶射皮膜に損傷が発生することを抑制することができ、絶縁不良による放電の発生等を防止することのできるプラズマ処理装置用構造体及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基材１００には、円孔１０１が形成されており、この円孔１０１内には、絶縁性のセラミック等から構成された円筒状のスリーブ１２０が設けられている。スリーブ１２０は、溶射皮膜１１０と接触しないように、その頂部１２１が、円孔１０１の上端部から所定距離下側に位置するように設けられている。また、頂部１２１より上側部分の円孔１０１の側壁部分には、絶縁体層１３０が形成されている。そして、溶射皮膜１１０と、スリーブ１２０と、絶縁体層１３０とによって、基材１００の上面（第１の面）と、円孔１０１内側面（第２の面）を覆う絶縁面が構成されている。 （もっと読む）