本発明は、排気することができ、かつ基板を受容するために設けられる少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つのガス前駆体を受容器内に導入することができる少なくとも１つのガス供給デバイスと、その端部が支持要素上の固定点に固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含む少なくとも１つの活性化デバイスとを含むコーティング装置に関する。ガス前駆体の影響から少なくとも部分的に少なくとも固定点を保護することができる遮蔽要素が設けられる。前記遮蔽要素は第１の側および第２の側を有する長手方向の延長部を有し、前記第１の側は支持要素上に配置され、閉止要素は遮蔽要素の第２の側に配置され、前記閉止要素は少なくとも１つの出口を有する。本発明は、少なくとも１つの分離壁が遮蔽要素の内部に配置されることを特徴とし、前記壁は遮蔽要素の内部容積を第１の部分容積と第２の部分容積とに分離する。
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【課題】原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、原料容器の交換による当該ガス処理装置の処理効率の低下を防ぐこと。
【解決手段】クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えている。従って、このアラームに基づいて原料容器が空になるタイミングを知ることができる。 （もっと読む）

【課題】フィルム基板上を通過し基板搬送方向に流れる電流を小さくして、複数電極配置時の相互干渉の抑制、及び搬送ロールから反応容器へ流れる電流を小さくし、フィルムの局所に発生する電流集中部の電流密度を小さな値に抑えることでフィルム焼損や膜質の変化を抑制することにより、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【解決手段】原料ガスが導入される反応容器１内に２つの電極５，６を対向して配置し、２つの電極５，６の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ８を生成し、原料ガスを分解して２つの電極５，６の間に搬送されてくるフィルム基板７の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、２つの電極５，６の外側に位置する基板搬送方向の両側に、フィルム基板７の周りを取り囲む構造の導電リング２１を配置している。 （もっと読む）

【課題】チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることなく、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスが、例え流れ出しても、全方位ではなく一方向のみから流れ出すように抑えることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９の密着部周縁に沿って形成される開口１２ａを、外側から覆うガード７を有している。ガード７の上下方向の長さは、基板２１を搬送する搬送経路の部分が、それ以外の部分よりも短い。 （もっと読む）

処理チャンバに送達される電力を管理するためのシステムおよび方法を記載する。一実施形態において、初期期間中に、プラズマ処理チャンバへの電力の印加を開始する間に、電流が、プラズマ処理チャンバから引き出され、引き出される電流の量は、初期期間中に、初期期間中にプラズマ処理チャンバに印加される電力の量が増加するように、減少する。
一実施形態において、方法は、プラズマチャンバ内のアークを検出するステップと、該検出されたアークに応答して、アークを消弧するように、プラズマ処理チャンバから遠のくように電流を分流するステップとを含み、プラズマ処理チャンバへの電流の印加を開始するステップは、アークが消弧された後に生じる。
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【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】排気口の近傍に付着している反応副生成物が燃焼することを防止することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してシリコン含有ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理と酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置２において、被処理体を複数枚収容できる処理容器４と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段２６と、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段２８と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段３２と、処理容器に設けられた第１の排気口５４と、第１の排気口とは異なる位置に設けられた第２の排気口８８と、第１の排気口に接続されて成膜処理時に用いる第１の排気系５６と、第２の排気口に接続されて酸化処理時に用いる第２の排気系９０と、酸化処理時に第１の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段６６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】装置アボート後にポンプが再起動不能状態になるのを回避することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、液体原料が気化したガスを処理室２０１に供給する第１液体原料供給管２３２ａおよび第２液体原料供給管２３２ｄと、処理室２０１を排気する排気管２３１と、排気管２３１に接続され処理室２０１を排気する真空ポンプ２４６とを有する処理炉において、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも上流側にストップバルブ２４５を設ける。メインコントローラ２５６はストップバルブ２４５と真空ポンプ２４６とを、リセット時にストップバルブ２４５を閉じ、リセット中に真空ポンプ２４６の稼働を継続させるように制御する。液体原料が真空ポンプ内で固化するのを防止できるので、真空ポンプが再起動が不能となるのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 電極部間の短絡の発生を抑制するとともに、クリーニングガスの作用による構成部品の劣化を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を加熱するヒータと、処理室内にガスを供給するガス供給口と、ヒータを覆うように設けられ絶縁体で構成され基板を支持する支持板と、支持板の裏面よりも下方に設けられヒータに電源を投入する電極部と、電極部に接続され電源を供給する電源線と、支持板の裏面に着脱可能かつ気密に接続され、電極部と電源線を覆うことで、電極部及び電源線を処理室内の雰囲気から隔離する隔離部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】地震または火災等の非常事態における被害の拡大の防止を、低コストで実現することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１００は、ヒータ１４、ソフトシェル部１６１、および壁部１６２を少なくとも備える。ヒータ１４は、プロセスチューブ１２の周囲に配置され、プロセスチューブ１２を加熱するように構成される。ソフトシェル部１６１および壁部１６２は、少なくともヒータ１４を気密的に包囲する気密空間を形成するように構成される。ソフトシェル部１６１は、気密空間の内圧に応じて気密空間の容積を変更させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システムを提供する。
【解決手段】ガス使用系４に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システム２において、処理ガスタンク１０と、希釈ガスタンク１２と、処理ガスタンクとガス使用系とを接続する主ガス通路１４と、主ガス通路に介設した複数の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５と、希釈ガスタンクから延びると共に、複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路１６と、希釈ガス通路に介設される流量制御器ＦＣ２と、複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】生成物付着用部材から生成物の剥離を抑制することにより部品交換作業の頻度を低減し、生産性を向上することができる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】ガス供給口４１およびガス排出口４２を有する成長室１０と、表面に所望の膜を成長させるための基板Ｓを設置する成長室１０内に設けられた基板設置部１３と、基板設置部１３に設置した基板Ｓを加熱する成長室１０内に設けられたヒータ１２と、成長室１０内にガス供給口４１から原料ガスを供給するガス供給部と、成長室１０内のガスをガス排出口４２から外部に排出するガス排出部と、基板設置部１３に設置した基板Ｓと対向するように成長室１０内に着脱可能に設置される生成物付着用プレート５０とを備え、プレート５０は、基板Ｓの表面と対向する対向面５１に、基板成膜時に対向面５１に付着した生成物の剥離を抑制するための複数の溝状またはドット状凹部を有することを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内における異常放電の発生を予知し、処理対象物の損傷などを未然に防止する。
【解決手段】真空チャンバー１０と、真空チャンバー１０内にて連続的又は断続的に発生する低エネルギー放電を検出する第１の検出回路３０と、第１の検出回路３０が一定時間に亘り連続的又は断続的に発生する低エネルギー放電を検出したことに応答して、予知信号４０ａ，４０ｂを発生する第２の検出回路と、予知信号４０ａ，４０ｂに応じて真空チャンバー１０内に配置された電極１１，１４への交流電圧の印加パターンを変化させる交流電源２０とを備える。このように、異常放電自体を検出するのではなく、異常放電の予兆現象を検出していることから、異常放電の発生を未然に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ入射窓が破損した場合、その破損による被害を低減するラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１の上部開口部を閉鎖する絶縁性のＲＦ入射窓３を介して、ＲＦ入射窓３の上方に配置した高周波アンテナ７からの電磁波を真空チャンバ１に入射して、真空チャンバ１のガスをプラズマ化するプラズマ処理装置において、ＲＦ入射窓３の外径より小さい内径を有するリング部材２２を、ＲＦ入射窓３の周縁部の上面に近接して真空チャンバ１（保持部材２１）側に取り付け、真空チャンバ１の上端面とリング部材２２との間にＲＦ入射窓３の周縁部を配置した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ点灯に伴いプラズマ発生ノズルで発生された熱の伝搬によって導波管が高温になり、プラズマ消灯によって放熱してゆく際に、導波管内が多湿になり結露生じ、導波管内が腐食されることを抑えるプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置を提供する。
【解決手段】導波管１０内を換気する通風ファン４５，６５を設けるとともに、導波管１０の温度を検出する温度センサ９８１を設け、プラズマ発生によって所定温度以上になると、プラズマ消灯から所定時間、通風ファン４５，６５をＯＮして、導波管１０を風洞として、その内部を換気する。 （もっと読む）

【課題】黄燐を含む付着物が付着した成膜構成部材を分解して安全にかつ容易に運搬することができ、成膜構成部材の清掃を安全な場所で行うことが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板面に半導体薄膜を成膜する際に、成膜構成部材の少なくとも一つに発火性を有する反応生成物が付着する気相成長装置において、反応炉１１を収納するグローブボックス１２と、反応生成物が付着した成膜構成部材を収容可能で、溶媒を貯留させる部材容器１３とを設け、部材容器１３とグローブボックス１２とを、成膜構成部材が通過可能な部材搬送用通路１４で連結する。部材搬送用通路１４は、通路遮断手段となるバルブ１５を備えるとともに、通路の先端を部材容器１３内の溶媒（水）Ｗに浸漬する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。
【解決手段】Ｐ波検知部５１は、Ｐ波が到来するとその旨をＰ波解析部５２に知らせる。Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。そして、予測結果が震度５以上であるか否かを判断する。この結果、震度が５以上となるという結果が得られている場合には、気圧制御部５３にその旨を知らせる。気圧制御部５３は、Ｐ波解析部５２から震度が５以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】リカバリ処理時間を短縮することで、稼働率向上を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、装置の動作状態を表す装置データを記憶する記憶部３０４と、記憶部３０４の装置データに基づいてアラームを発生するアラーム発生部３０８と、アラーム発生部３０８により発生した複数のアラームの要因を検出する検出部３１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理の変更があった場合に、対応が可能な様にバルブの使用禁止についての汎用性を増すと共に使用禁止の確実性を増大させるものである。
【解決手段】
ガスの給排に伴うバルブの開閉等の基板処理内容が記載されたレシピと、該レシピの実行指示を行う制御演算部とを有する第１制御手段と、該第１制御手段からの指示に従って、前記レシピを実行する為、制御パラメータを制御する第２制御手段とを具備する基板処理装置に於いて、前記第１制御手段は前記レシピに対応してバルブの使用を規定したテーブルと、前記レシピに規定したバルブの規定内容と前記テーブルに規定したバルブの規定内容とを比較し整合性を判定する判定手段とを有する。
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