【課題】 安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体１００と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックス３００と、を有し、前記ガスボックス３００の上方に設けられた吸気口３０５から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口３０３から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱するヒータの劣化を抑えてヒータ寿命を低下させることのない気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１を載置するサセプタ１０２を、回転部１０４の円筒部１０４ａの上部で支持する。円筒部１０４ａの内部のＰ_２領域内には、シリコンウェハ１０１を下方側から加熱するヒータとして、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１を配置する。そして、Ｐ_２領域にはガス導入管１１１からパージガスを供給するとともに、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２上の所定位置から持ち上げ、回転部１０４の上方に配置するときには、パージガスの流量を増大させるようにする。 （もっと読む）

【課題】隣接する装置の高さに拘らず装置間の隙間を充填可能とし、装置間の振動を緩和する振動緩和材を提供する。
【解決手段】直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材１であって、隣接する装置２，間に形成される間隙３に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能とした。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスを負圧で供給することにより、半導体製造装置の稼働に要する電力以外に必要となる用役電力を低減できるガス減圧供給装置を提供する。
【解決手段】大気圧よりも低いプロセス圧力にてプロセスが行われるチャンバへガスを供給するガス減圧供給装置が提供される。このガス減圧供給装置は、一次圧を減圧し、大気圧よりも低くプロセス圧力よりも高い圧力に二次圧を調整する圧力調整器；圧力調整器の二次側配管内の圧力を測定する圧力測定器；二次側配管に設けられる第１の開閉バルブ；第１の開閉バルブを開閉する開閉バルブ制御器；圧力測定器により測定される二次側配管内の圧力を第１の設定圧力と比較する圧力比較器；及び二次側配管内の圧力が第１の設定圧力以下であると圧力比較器により判定された場合に、第１の開閉バルブを閉止する閉止信号を開閉バルブ制御器へ出力する制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの停止によるチャンバーへの逆流を防止すると共に復旧が容易であることを兼ね備えた逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプを提供する。
【解決手段】インバータ回路１３に流れる電流値が一時的な過負荷状態であることをタイミングｔ１でコンパレータ１７若しくはコンパレータ２７のいずれかが検出したときにゲートバルブ３の閉止信号が例えばｔ１からｔ２に至るまでの１秒間だけパルスとして送信され、ゲートバルブ３はｔ１から閉止動作を開始する。過負荷状態は一時的なものであり、すぐに収束したような場合には真空ポンプ５はそのまま停止せずに継続して動作する。しかしながら、ゲートバルブ３は閉止指令を受けてほぼ１秒後には完全に閉止しているため、センターにおいて監視員が真空ポンプの運転が継続されていることを確認した後、ｔ３においてゲートバルブ３の開指令を送信する。 （もっと読む）

【課題】処理室内および排気ラインへの反応生成物の堆積を抑制でき、かつ、塩化水素ガスによる腐食を抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２０１で基板に対して膜を形成する第一ステップと、前記第一ステップ後に、前記処理室２０１の外部から前記処理室２０１の内部へ大気を取り込み、前記処理室２０１の内部および前記処理室２０１に接続された排気ラインの内部に付着した付着物と前記大気中に含まれる水分とを反応させて、少なくとも塩化水素ガスを発生させるとともに、前記塩化水素ガスを前記排気ラインから排気する第二ステップとを有し、前記第二ステップは、前記処理室２０１の前記塩化水素ガスの濃度値が設定濃度値以下になるまで維持される。 （もっと読む）

【課題】 基板が処理室内に搬入される前にヒータの断線を検知し、ヒータの断線を検知したら基板処理工程を開始することを防止する。
【解決手段】 基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、搬送制御部及び処理制御部を制御する主制御部と、を備え、主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、処理制御部は、待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、断線検知処理の結果、断線エラーを受信しなかったら、レシピを実行可能な状態へ移行し、レシピの実行指示を待ち、断線エラーを受信したら、レシピを実行可能な状態へ移行することなく、主制御部へ断線エラーを通知してエラー処理を実施させる。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】高周波ノイズによる影響を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータ２０７に電力を供給するヒータ用電源線２０８に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２１２を接続し、ヒータ用電源線２０８の導電性配線２０９を被覆した絶縁性の配線被覆部材２１０の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２１１をヒータ２０７とノイズ除去フィルタ２１２との間に組み込む。熱電対２６３の補償導線２６４に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２６２を接続し、補償導線２６４の導電性配線２６５を被覆した絶縁性の配線被覆部材２６６の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２６８を熱電対２６３とノイズ除去フィルタ２６２との間に組み込む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の堆積による不都合、特に膜厚の不均一、異常放電の発生を簡単な構成で解消する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、ガス供給機構７およびガス排気機構９に連結した真空チャンバ３内に平行平板電極５を備え、この平行平板電極５は、マッチングボックスＭＢを介して交流電源ＰＳに接続された高周波電極５Ａと接地された対向電極５Ｂから構成される。製品の成膜処理により平行平板電極５の表面に堆積した絶縁物１１を導電膜１５で覆って導電化するメンテナンスを行う。これは、基板ホルダ（対向電極）５Ｂ上に基板が無い状態で導電膜、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜または屈折率２．３以上のＳｉＮ膜を成膜することにより行う。その後、基板の成膜処理を行うことで、均一な膜厚の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】処理室内にＬ型ガスノズルを設けた縦型熱処理装置において、処理室を減圧した場合や、ガス圧力のかかるガス導入時においても、Ｌ型ガスノズルが処理室内側に引き込まれることを防止する縦型熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型熱処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を搭載したボートを収容し基板に熱処理を行う処理室と、処理室下部を水平方向に貫通する水平部と処理室内において垂直方向に延伸する垂直部とを有するＬ型ガス導入ノズルと、Ｌ型ガス導入ノズル垂直部とボートとの間に設けられるノズル押さえ部と、処理室内壁に設けられノズル押さえ部が取り付けられるノズル押さえ取付部とを有することを特徴とする縦型熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】回転台支持部に対する回転台の位置が変わったことを検知し、載置の中止ないしその旨の警告を行なうことにより、載置の失敗を含む被処理物に対する処理の失敗および処理装置の故障などを未然に防止する。
【解決手段】被処理物を回転台に載置し処理する処理装置であって、前記被処理物を載置する載置場所を有する前記回転台と、前記回転台を支持する回転台支持部と、前記回転台支持部を回転させる回転機構と、前記回転台が備える目印の位置を測定する位置センサとを備え、前記目印の位置から前記回転台支持部に対する前記回転台の位置ずれを求め、前記位置ずれが一定以上の場合に警告または停止する。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の異常を検出することが出来るプラズマ処理装置及び基板処理方法の提供。
【解決手段】高周波電源２の出力側に設置された反射波パワーメータ６及び進行波パワーメータ８によって検出される反射波電力、進行波電力および供給電力の設定に基づき、高周波電源２の異常を検出する機能を備えてお
り、例えば、高周波電源２の４．５ＫＷの設定出力に対し、１０００ｍｓ経過後、進行波電力の値が４４５５〜４５４５Ｗの範囲（±１％の範囲）にない場合、または、反射波電力の値が進行波電力の値の３％以上に達した場合は、高周波電源２の異常と判別する。 （もっと読む）

【課題】給電コネクタの屈曲部に生じる隙間の変化を最小限に抑え、給電コネクタを流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して、信頼性や耐久性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２外に配置された高周波電源から整合器１０ａ，１０ｂを介して真空処理室２内に配置された放電電極６に給電される高周波伝送路において、前記整合器１０ａ，１０ｂと前記放電電極６との間に略９０度の方向転換をして接続されている給電コネクタ９ａ，９ｂが配設された製膜装置１において、給電コネクタ９ａ，９ｂの方向転換が滑らかなＲ形状の屈曲部Ｒにより行われている。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度が室温程度の低い温度帯域でプラズマ処理する際に、そのプロセス温度を低く維持してプラズマ成膜処理等のプラズマ処理の再現性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器２４と、被処理体Ｗを保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２８と、ガスを供給するガス供給手段４６，４８と、処理容器の長さ方向に沿って設けられてガスを高周波電力により発生したプラズマにより活性化する活性化手段５８とを有して、被処理体に対してプラズマ処理を施すようになされたプラズマ処理装置において、高周波を遮断するために処理容器の周囲を囲むようにして設けられると共に接地された筒体状のシールド筐体７２と、プラズマ処理中にシールド筐体と処理容器との間の空間部８２に沿って冷却気体を流す冷却機構７４とを備える。 （もっと読む）