【課題】 処理ガス筐体の吸込口から処理ガスが流出するのを防止する。
【解決手段】処理室に基板を処理する処理ガスを供給する第１処理ガス供給路と、第１処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、第１処理ガス供給路と処理ガス供給流量制御部とを接続する第１接続部と、処理ガス供給流量制御部に処理ガスを供給する第２処理ガス供給路と、処理ガス供給流量制御部と第２処理ガス供給路とを接続する第２接続部とを備える。第１接続部、処理ガス供給流量制御部、及び第２接続部は処理ガス筐体に収納される。処理ガス筐体には、処理ガス筐体外の雰囲気を処理ガス筐体内に吸い込む吸込口８４と、吸込口８４から吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気とともに処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口８１ａとが設けられる。吸込口８４と第２接続部との間に第２接続部から漏洩する処理ガスが吸込口８４に向かって流れるのを阻止する遮蔽手段が設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用され、マイクロ波発生手段からのマイクロ波を導波管によってプラズマ発生ノズルに伝搬するプラズマ発生装置において、マイクロ波の漏洩に対する安全性を向上する。
【解決手段】プラズマ発生部３０の第３導波管ピース１３には、多数のプラズマ発生ノズル３１が取付けられ、その重みによる撓みによって、地震や作業ミスなどで振動や衝撃が加わると、フランジ１３Ｆ１，１３Ｆ２に隙間が生じ、マイクロ波が漏洩する可能性がある。その漏洩をマイクロ波アンテナＡ２１，Ａ２２で検出し、またシールド筐体１のワークＷの搬入口２および搬出口３からのマイクロ波の漏洩を、マイクロ波アンテナＡ１１，Ａ１２で検出し、マイクロ波発生装置２０からのマイクロ波の発生を停止させる。 （もっと読む）

本発明は廃棄ガス誘導装置に関し、ガス流入部とガス排出部と、上記ガス流入部と上記ガス排出部との間に設けられて、廃棄ガスと高温高圧の窒素ガスを混合するガス移送部と、上記ガス移送部に高温高圧の窒素ガスを供給する高圧ガス室と、上記高圧ガス室の一側に設けられて、上記窒素ガスを加熱する加熱室と、上記高圧ガス室に上記窒素ガスを供給する窒素供給注入口と上記加熱室に電源を供給する制御回路部を有する制御ボックスを含む廃棄ガス誘導装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 処理空間を不活性ガスで高速に浄化する場合、排ガス圧力制御手段で加圧状態が発生してしまうことを防止する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常停止状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板保持具交換装置による基板保持具搬送途中、或は基板保持具を受渡している途中に、基板保持具に地震等による外的衝撃が作用した場合等、基板保持具の転倒、破損を防止できる様にする。
【解決手段】基板処理室内で基板保持具１３を載置し、また、移動する載置部と、該載置された前記基板保持具１３の転倒を防止する第１の基板保持具転倒防止機構と、前記載置部より前記基板保持具１３を移動する基板保持具移動機構１４と、該基板保持具移動機構１４の前記基板保持具１３の転倒を防止する第２の基板保持具転倒防止機構と、前記第１、第２の基板保持具転倒防止機構の係合離脱を制御する転倒防止制御部とを具備し、該転倒防止制御部は、前記基板保持具が前記載置部と前記基板保持具移動機構との間で授受が為される間中、前記第１、第２の基板保持具転倒防止機構の内少なくとも一方が前記基板保持具と係合し、該基板保持具の転倒を防止する様制御する。 （もっと読む）

【課題】 温度センサが故障した場合でも、温度制御の安定継続を可能とする。
【解決手段】 処理室外に配置され加熱手段の温度を測定する第１温度センサと、第１温度センサよりも基板近傍に配置され処理室内の温度を測定する第２温度センサと、第１及び第２温度センサの測定温度に基づき加熱手段を制御する制御手段とを備える。第２温度センサが故障する前に、設定温度にて温度が安定した際の第１及び第２温度センサで測定した温度により温度差を求めて記憶しておき、処理室内で基板を処理するよう制御手段が加熱手段を制御している際に、第２温度センサが故障したとき、制御手段は第２温度センサの測定温度と設定温度との偏差に基づき演算をすることに替えて、記憶された温度差により設定温度を補正し、補正結果と第１温度センサの測定温度との偏差に基づき演算を行い、演算結果に基づき加熱手段を制御する。 （もっと読む）

ガス搬送システム用の改良活性化防止装置が開示されている。この装置は、空圧作動式バルブ装置を含む。この装置は、また空圧作動式バルブ装置に物理的に取り付けられたトグルスイッチも含んでいる。トグルスイッチは、トグルアームを含んでいる。トグルアームは、活性化領域、又は脱活性化領域内に設置されている。トグルアームが活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは活性化される。トグルアームが脱活性化領域に存在するとき、空圧作動式バルブは、脱活性化される。この装置は、さらに、トグルスイッチに取り付けられた活性化防止機構を含んでいる。活性化防止機構は、トグルアームが少なくとも活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく脱活性化領域から活性化領域に移動させないように設計されている。 （もっと読む）

メッシュ反応部（３８）を有する二次反応室（３１）及び加熱アセンブリ（３４）が、ＣＶＤ反応室（１４）と真空ポンプ（１６）との間のフォアライン（１２）に配置され、すべての未反応前駆反応物を混合し且つ反応させることによって、未反応前駆反応物が、真空ポンプに到達して損傷を与える前に排出流体から除去される。 （もっと読む）

プロセスチャンバから排気される廃棄流から液体化合物を分離するための手段と、廃棄流から分離された液体化合物を収集するための手段と、廃棄流から収集された液体化合物を選択的に隔離するための手段と、ガス形態の化合物を廃棄流に戻すために、収集された液体化合物を蒸発させるための手段と、を有する、トラップデバイス。これにより、揮発性液体を廃棄流から隔離された規定場所で収集することができ、且つ望まれるときは、続く除害のためにガスの形態で廃棄流に戻すことができる。 （もっと読む）

本発明は、内壁及び床面によって画定される床と内部容量とを含む円筒形の容器を備える気相試薬分配装置に関する。容器４は、容器の内部容積内の液体試薬レベルを検出する液体試薬レベルセンサ２と、容器の内部容積内の液体試薬の温度を検出する温度センサ１及び１１とを備える。容器の床は、床の表面から下向きに延在する空腔３を有し、液体試薬レベルセンサ２の下端と温度センサ１及び１１とがその空腔の中に配置される。この分配装置は、半導体材料及び装置の製造において、物質の堆積のための前駆体などの試薬を分配するために用いられてよい。
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【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）

【課題】 真空圧力センサの異常、反応炉のリーク、配管のつまり等のシステムにおける異常を早期に検知することができる真空圧力制御システムを提供すること。
【解決手段】 ポテンショメータ１８を介して取得される真空比例開閉弁１６のバルブ開度が予め設定された設定値Ｘ１に到達したときに（Ｓ２２：ＹＥＳ）、圧力センサ１４，１５を介して取得される反応室１０の真空圧力が予め設定された設定値Ｘ２よりも大きい場合（Ｓ２４：ＮＯ）、真空圧力センサの異常、反応炉のリーク、配管のつまり等のシステムにおける異常が発生していると判断し異常時処理を行う（Ｓ２５）。そして、設定値Ｘ１，Ｘ２は、真空圧力センサの異常、反応炉のリーク、配管のつまり等の各異常を適切に検出することができるように実験などにより予め求めておく。 （もっと読む）