【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器１６０の側面に配列されたシャワーヘッド１５０から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器１６０に載置された基板Ｓ上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】連続するプロセスステップにおいて、厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させる。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバーの中でサセプタによって保持される基板上に少なくとも１つの層を堆積させるための装置においてプロセスチャンバーを構成する方法に関する。プロセスガスは、ガス注入エレメントを通ってキャリアガスを用いてプロセスチャンバーに導入される。プロセスガスは、プロセスチャンバーの中で分解生成物に分解する。分解生成物は層を形成する成分を含む。厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させるために、少なくともサセプタと向かい合うプロセスチャンバーの壁のプロセスチャンバーに面する表面に対して、層成長の間に堆積される層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を持つ材料を選択することが提案される。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】反応管３０内に外部から、窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを含み且つ酸素原子を含まない第1の原料ガス３１１を供給するとともに基板１０上にて窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを反応させる工程（Ａ）と、反応管３０内に外部から酸素前駆体原料を含む第２の原料ガス３１３を供給して酸素前駆体原料と工程（Ａ）において未反応となった亜鉛前駆体原料とを基板１０上にて反応させる工程（Ｂ）とを実施して成膜する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【目的】基板上に、平坦性及び結晶性に優れた高品質な酸化亜鉛系半導体、特に酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶の成長方法を提供することにある。また、平坦で結晶性に優れた半導体層を有し、高性能、高信頼かつ量産性に優れた半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
亜鉛を含むケトン化合物有機金属材料の材料溶液を気化させた材料ガスと極性酸化ガス及び無極性酸化ガスの混合ガスとを供給する工程を有するＭＯＣＶＤ法により、基板上に酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する。上記混合ガスにおける上記極性酸化ガス及び上記無極性酸化ガスの混合比率は１対４ないし４対１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 窒素を含有する酸化亜鉛膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素の混合ガスを、非平衡大気圧プラズマ化して反応性ガスとし、気化した有機亜鉛化合物と混合させ、該有機亜鉛化合物を分解し、基板上に堆積させる窒素含有酸化亜鉛膜の製造方法である。
本発明により製造した酸化亜鉛薄膜は、窒素を含有することでｐ型特性を実現する薄膜になりうる可能性がある。よって、これを用いてなる半導体製品は、酸化亜鉛が透明であることから、発光部材としての適用を期待できるものである。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたII−VI族化合物半導体を製造するための半導体製造装置、および、製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを基板１０に向かって所定の角度で供給する供給口１２と、基板１０で反射された原料ガスが入射する位置に配置された排気口１４とを有するＭＯＣＶＤ装置を提供する。これにより、２以上の原料ガスをそれぞれ基板１０に所定角度で入射させて、基板１０上で反応させる。基板１０上で反射された原料ガスを、直接的に排気口１４に取り込んで排気するか、もしくは、基板１０上で反射された原料ガスの進行方向を制御し、排気口１４まで導いて排気する。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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有機金属化学気相成長の方法は、第１のガスを提供するように濃縮物質源を変換するステップを含み、該物質源は、金、銀、およびカリウムから成る群より選択される少なくとも１つの元素を含む。方法はさらに、亜鉛を含む第２のガスおよび酸素を含む第３のガスを提供するステップと、第１のガス、第２のガス、および第３のガスを、基板に移送するステップと、基板上でｐ型酸化亜鉛系半導体層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によれば、濃縮物質源は、非ハロゲン化および非シリル化源であってもよい。非ハロゲン化および非シリル化濃縮物質源は、固相であってもよく、変換するステップは、物質源を昇華させるステップを含んでもよい。
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