【課題】本発明は、フローティングゲート及びコントロールゲートの間に形成する誘電体膜を第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜の積層構造で形成するが、第２の絶縁膜を高誘電体膜で形成して半導体素子の電気的特性を向上させ、第２の絶縁膜にプラズマ処理工程を行って第２の絶縁膜の表面を均一にすると共に、第２の絶縁膜の結晶化を抑制し、半導体メモリ素子の漏洩電流の発生を防止することができる半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 半導体基板上に高誘電体膜を形成する段階と、高誘電体膜を結晶化しないながら膜質を均一にするプラズマ処理工程を行う段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の成膜後の表面平坦性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】反応室内に投入した半導体ウェハに、ＰＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の製造方法において、反応室内に、酸素を残留させた状態で、窒化シリコン膜を成膜するための半導体ウェハを投入する。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス性を向上するとともに、反応生成物の捕捉効率を向上する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給管ラインと、前記処理室からの排気ガスを排気するガス排気ラインと、ガス排気ラインの途中に設けられ排気ガスに含まれる成分を除去する排気トラップ３００であって、少なくとも排気ラインに装着されるケース３１０と、ケース開口部を閉塞する蓋体３３１と、排気ガスに含まれる成分を捕集する捕集体３４３と、前記蓋体３３１に設けられ前記捕集体３４３を支持する中空支持体と、前記蓋体３３１外側から前記蓋体３３１を貫通し前記中空支持体内に至るように配置されるヒートパイプ３４５とで構成される排気トラップ３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化ルテニウムの混入がなく、酸素源を用いた化学気相蒸着法による低抵抗な金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物である1,5-ヘキサジエン、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、4-ビニル-1-シクロヘキセン、又は1,3-ペンタジエンを配位子とする有機ルテニウム錯体又はその溶媒溶液であるルテニウム供給源及び全ガス量の０．１〜１０容量％の酸素を用いて、化学気相蒸着法により金属ルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】
流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】
弁箱２等の固定部と弁体９等の可動部とから成る弁装置を反応室と排気ポンプとの間に設けた半導体製造装置、前記弁装置の前記固定部に、ガス流路に臨接する前記固定部を前記反応室から排気されたガス中に含まれる凝固分の凝固温度以上に加熱維持するためのヒータ３１を設けた。
（もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】サセプタの形状を改良することにより、エピタキシャル層の膜厚のウェーハ面内均一性を向上するバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタおよびこれを備えるバレル型エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】多角錘台状のサセプタの側面に半導体ウェーハを載置し、サセプタと、このサセプタを同軸に覆う円筒状容器との間に反応ガスを導入して半導体ウェーハ上に単結晶膜を形成するバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタであって、サセプタの側面に半導体ウェーハを載置するための複数の円形凹状の座ぐりが配列され、複数の座ぐりの配列方向側の、座ぐりの内側壁部の高さｈａ（ｍｍ）が、座ぐりの配列方向に直交する方向側の、座ぐりの内側壁部の高さｈｂ（ｍｍ）よりも低いことを特徴とするバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタおよびこれを備えるバレル型エピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置に用いられる石英製品に含まれる例えばアルミニウム等の金属を除去することの可能な石英製品のベーク方法等を提供する。
【解決手段】
構成部品に石英製品（処理容器２、基板保持部３）を含む熱処理装置にて、当該石英製品２、３が未だ半導体基板の熱処理に使用されていない段階等において、基板保持部３に多数枚のダミー基板ＤＷを保持させて処理容器２内に搬入し、次いで、塩素を含むガスと水素とを供給し、当該反応容器２内を加熱雰囲気にして石英製品２、３をベークすることにより当該石英製品２、３中の金属を飛散させてダミー基板ＤＷに付着させ、その後、ダミー基板ＤＷを搬出する。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】形成する膜の屈折率やエッチングレートについてのウエハ相互間の差を抑止しつつ、ウエハ相互間の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ１をボート２０で保持してヒータ３２で加熱しつつ処理室３４内に成膜ガスを供給して熱ＣＶＤ法でウエハ１に成膜する成膜工程において、処理室３４内のウエハ配列方向に温度勾配を設けずに、成膜ガスを処理室３４の下端から上端に向かって流す第一フローステップと、上端から下端に向かって流す第二フローステップとを１サイクルとし、このサイクルを１回もしくは複数回実施する。処理室内に温度勾配がないので、ウエハ相互間の屈折率やエッチングレートを均一化できる。第一フローによる成膜により生じたＢＴＭ側ウエハ膜厚とＴＯＰ側ウエハ膜厚との相違を第二フローによる成膜により相殺できるので、ウエハ相互間における膜厚を均一化できる。
（もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体が電力供給機構に接続されている接続部及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部を、接続部、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部にパージガスを導入する発熱体ＣＶＤ法によって課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】電極とその上流側または下流側のガス通路を形成する部材との間からのガス漏洩を確実に防止可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極２０の上流側に通路部材５０を設け、その連通路５１を放電空間１ａに連ねる。電極２０の放電空間１ａを向く面を誘電部材４０の覆部４１で覆う。覆部４１の通路部材５０側の端部から電極２０の側へ鍔４２を突出させ、通路部材５０と誘電部材４０との間にはシール材６１を介在させる。挟持部材７１の挟持部７３を鍔４２と電極２０の間に差し入れ、ネジ部材７５を通路部材５０を通してねじ受け部７２にねじ込む。 （もっと読む）

【課題】高品位な膜質を有するシリコン酸化膜を基板上に成膜可能な成膜方法等を提供する。
【解決手段】
オゾンガス発生源から発生した１００％のオゾンガスをオゾンガス供給路６２に通流させ、このオゾンガス供給路６２から分岐した希釈ガス供給路６３に希釈ガスを通流させて、予め設定したオゾンガスの濃度となるように１００％のオゾンガスを希釈し、希釈されたオゾンガスを当該オゾンガス流路６２から処理容器２、２１内に供給する。そしてシリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器２、２１内に供給しオゾンとシリコン有機化合物とを反応させて基板上にシリコン酸化膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】特にＣＶＤ用原料として好適な揮発特性、熱安定性等の性質を有するストロンチウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムに、下記一般式（１）で表される二座配位化合物を付加させて得られるストロンチウム化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
（もっと読む）

【課題】高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】第１下部電極１３と、第１下部電極１３を取り囲んで接触し、且つ上下に摺動可能に配置された第２下部電極１４と、第２下部電極１４を取り囲んで接触する第３下部電極１５と、第２下部電極１４を跨ぐように第１下部電極１３上と第３下部電極１５上とに載置され、第２下部電極１４に対向して第２下部電極１４より幅の広い凹部１６を有するフォーカスリング１７とが容器１１内に設けられる。第２下部電極１４を上下に駆動し、第２下部電極１４をフォーカスリング１７の凹部１６に挿抜する駆動部１８が、予め求めたエッチング処理特性に応じて第２下部電極１４の位置を変更した後に、半導体基板１２をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、基板を保持する基板保持具が揺れる等して基板が基板保持具に対して移動した場合にも基板保持具の保持溝に欠けが生じない様にする。
【解決手段】
天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝１０６とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にした。
（もっと読む）

【課題】基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除する。
【解決手段】少なくとも一枚の基板を反応室に装入する工程と、前記反応室内に反応ガスを導入し、前記反応室内を排気して、前記基板を処理する工程と、処理後の基板を前記反応室より引き出す工程とを有し、前記基板を装入する工程または／および基板を引き出す工程では、前記反応室内に不活性ガスを導入しつつ前記基板を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて前記反応室内を排気することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】液体原料中から気泡を分離することができるのみならず、メンテナンス完了時における液体原料の再注入時に気泡の排出を促進することができると共に、気泡が液中に混入されることを防止し、更に気密性を高くして貯留されている液体原料の品質劣化を防止することが可能なバッファタンクを提供する。
【解決手段】液体原料３４を圧送する原料通路３８の途中に設けられるバッファタンク８において、前記液体原料を一時的に貯留すると共に、その底部の内面が下向きに凸状となるような曲面形状に成形されているタンク本体７６と、前記タンク本体の側部に形成された原料入口７８と、前記タンク本体の側部又は下部に形成された原料出口８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ガス吐出機構を加熱する際に、高効率で加熱することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】 ガス処理装置は、被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、載置台上の被処理基板と対向する位置に設けられ、処理容器内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構と、処理容器内を排気する排気手段とを具備し、処理ガス吐出機構は、ガスを吐出する吐出孔を有するガス吐出部３５と、このガス吐出部３５を支持するベース部３９と、ガス吐出部３５に設けられたヒーター３８と、ガス吐出部３５とベース部３９との間に設けられた空間層１３５とを有する。 （もっと読む）