【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を高い平滑度で加工できる表面加工方法及び表面加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を粗面化することなく、ガスクラスターイオンビームの照射による所望の照射痕を得る。
【解決手段】ソース部１およびフィラメント６で生成されたガスクラスターイオンビーム８を加速電極７で加速して被加工物９に照射するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、加速電極７の出射口と被加工物９との間に荷電粒子レンズ１１を配置し、この荷電粒子レンズ１１に設けられ、ガスクラスターイオンビーム８が通過する開口部の形状、および荷電粒子レンズ１１と被加工物９との距離の少なくとも一方を制御することで、荷電粒子レンズ１１の開口部を通過したガスクラスターイオンビーム８を選択的に被加工物９に照射して、被加工物９を粗面化することなく、所望の形状の照射痕を形成する。 （もっと読む）

【課題】切削加工された被加工物の加工面に発生した虹目等の凹凸を、切削加工で創成した形状の悪化や損傷を生じることなく、一様に除去できる固体除去技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム１０の照射経路上に、被加工物１１が載置される回転ステージ１２、この回転ステージ１２が載置されたＸ軸ステージ１３およびＹ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１４が載置されるブラケット１５、ブラケット１５が載置される揺動ステージ１６、揺動ステージ１６を支持するベース１７を備える加工ステージ３０を設け、被加工物１１の加工面の加工後の表面荒さを加工前の表面粗さよりも悪化させない範囲に、被加工物１１の加工面に対するガスクラスターイオンビーム１０の照射角度が保たれるように被加工物１１の姿勢を制御しつつ、被加工物１１の加工面に存在する条痕による虹目を除去する。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面が曲面の場合に適合しうるガスクラスターイオンビームを用いた超精密研磨方法及び装置の提供。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム照射により被加工物表面を研磨する際に、被加工物の表面形状の目標表面形状からの誤差を計測する第一計測工程と、第二の加工物の表面にガスクラスターイオンビームを照射して第二加工物の表面に形成された加工痕を計測する第二計測工程と、第二加工物を対象に計測して得た加工痕データを基に、被加工物の目標表面形状における各表面位置の曲率に順ずる加工痕データを生成する第一計算工程と、上記生成した加工痕データを基礎データにして、上記誤差分の固体物質を除去するガスクラスターイオンビームの照射ドーズ量分布を求める第二計算工程と、上記照射ドーズ量分布に従って上記ガスクラスターイオンビームを上記被加工物表面に照射して該被加工物表面の研磨を行う研磨工程からなる方法及び研磨装置。 （もっと読む）

【課題】エッチング面の平坦性が2nm以下でありかつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあるダイヤモンド構造体と、マスクとのエッチング選択比が10〜80の範囲とすることができるダイヤモンドエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング面の平坦性が2nm以下であり、かつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあり、10μm以上の高さを有するダイヤモンド構造体及びダイヤモンド上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、酸素ガスを含む雰囲気でプラズマエッチングを行い、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス又は塩素系ガスを加えて、平坦化プラズマエッチングを行うダイヤモンドエッチング方法。 （もっと読む）

基材の少なくとも一部の表面を処理するための装置及び方法がここに記載される。一の実施態様において、該装置は、内部容積部、該基材、及び排気マニホールドを含むプロセスチャンバー；一以上のエネルギー源によって一以上の反応性ガス及び随意的に追加的なガスを含むプロセスガスが活性化されて、活性化反応性ガスを提供する活性化反応性ガス供給源；及び該供給源及び該内部容積部と流体で連通している分配導管を有し：該分配導管は該活性化反応性ガスを該内部容積部及び直接的に該基材に導く複数の開口部を含み、ここで該活性化反応性ガスは該表面と接触し、使用済みの活性化反応性ガス及び／又は揮発性生成物をもたらし、これらは該排気マニホールドを通じて該内部容積部から引き出される装置である。 （もっと読む）

固体表面にガスクラスターイオンビームを照射してその固体表面を平坦化する方法において、その固体表面とガスクラスターイオンビームとのなす照射角度θを１°と３０°未満との間にする。固体表面が比較的粗い場合は、第１段階としてまず照射角度θを９０°程度としてビームを照射し、その後、第２段階として照射角度θを１°〜３０°未満として照射して処理効率を上げる。あるいは、前記第１段階と第２段階の組を複数回繰り返す。
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【課題】プラズマ酸化および酸化材料の除去
【解決手段】導電層をエッチングする方法は、導電層の少なくとも一部を転換し、導電層の転換部分を実質的に除去し、残存表面を露出させるために、導電層をエッチングすることを含む。残存表面は、約１０ｎｍ未満の平均表面粗さを有する。導電層をエッチングするための方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 比較的大面積の被加工物の表面に存在する突起を効率良く除去して形状創成を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】 成形型等の被加工物の形状を実測するとともに（工程Ｓ１）、異形アパーチャの形状と除去形状の関係の実験データを取得する（工程Ｓ２）。そして、目標形状と実測形状の差分から必要除去量を設定し（工程Ｓ３）、工程Ｓ２の実験データと工程Ｓ３で得られた必要除去量に基づいて、加工に必要な照射時間を演算して（工程Ｓ４）、異形アパーチャを用いてガスクラスターイオンビーム加工を開始し（工程Ｓ５）、必要に応じて異形アパーチャを交換しながら（工程Ｓ６）ガスクラスターイオンビームを照射して被加工物における形状創成を行う（工程Ｓ７）。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク記録装置の記録密度向上に伴い、ヘッド浮上量及び加工損傷深さの低減が求められている。しかしながら、従来から用いられている研磨加工やモノマーイオンビームの斜め照射等では、加工損傷深さを１ｎｍ程度まで低減するのは困難である。
【解決手段】ワークの加工面の法線に対する角度（照射角）を５０°以上９０°以下に調整するための照射角調整機構と、イオンの運動エネルギーを所望の値に調整するためのイオン加速機構と、ワークの加工面の法線方向を回転軸としてワークを回転させるためのワーク回転機構を有するガスクラスターイオンビーム照射装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
微細な凹部パターンに金属が埋め込まれ堆積されたパターン表面の平坦化と、パターン高さを精度よくエッチバックにより制御する。
【解決手段】
表面に微細な格子パターン１２が形成されている基板１０の表面上に格子パターン１２を被ってアルミニウム膜１４を堆積し、その上にレジスト層１６を塗布し、レジスト層１６には格子パターン１２が形成されている領域以外の領域に開口１８を設ける。レジスト層１６とアルミニウム膜１４をエッチバックし、ＳｉＦから発生するプラズマ強度の微分値が所定の値を越えた時点から所定の設定時間（制御時間）後にエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が反って湾曲している場合でも、被処理物と処理ヘッドとが接触することがなく処理することができ、表面処理が均一に、しかも短時間で行える。
【解決手段】 処理ヘッドであるノズルヘッド１から吹き出した処理ガスを被処理物であるワークＷの表面に接触させて表面処理するプラズマ処理装置Ｍは、ワークＷを平坦な状態にする平坦化手段として、ローラ２９，２９を備え、処理ガス源２から供給された処理ガスを電源４からパルス状電圧が印加された電極２３，２４間に通してプラズマ化し、平坦な状態にされたワークの表面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）