【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Ｓを加工する際に、基板Ｓのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Ｓの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームＮＢによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームＮＢによって補完し、基板Ｓの加工面を平らにすることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置、および、効率よくエッチング加工を行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、大気圧（常圧）プラズマを用いたプラズマ処理装置であって、処理チャンバー２と、処理チャンバー２内に設けられ、基板（ワーク）１０を支持する支持手段３と、火炎Ｆ中に処理ガスを導入することにより処理ガス（エッチングガス）をプラズマ化し、このプラズマを基板１０に向けて供給するプラズマ供給手段４と、処理チャンバー２内を排気する排気手段５とを有する。このプラズマ処理装置１では、基板１０に向けて供給されたプラズマ中の活性化原子（ラジカル）と基板１０とが反応し、この反応物を基板１０から脱離させることにより、基板１０に対してエッチング加工を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。ガス供給部５は、基板１０と印加電極３との間に所定のガスを噴出する１０本のノズル５１０〜５１９を有する。そして、ガス供給部５は、これらの各ノズル５１０〜５１９のうち、処理領域に対応する位置にあるノズルからプラズマガスを供給するとともに、処理領域と非処理領域との境界部の非処理領域側に対応する位置にあるノズルからシールドガスを供給するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】タングステンと炭素とを含む物質にドライエッチングにより微小凹凸を形成する場合に垂直断面形状又は順テーパ断面形状を実現する。また、タングステンと炭素とを含む物質の表面に垂直断面形状又は順テーパ断面形状の微小凹凸を備えたモールドを提供する。
【解決手段】タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスとＣＮ結合及び水素原子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】線状に連続する被処理物の表面を効率良く連続的にプラズマ処理することができる、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実質的に細長い開口１１を有するプラズマ処理ヘッド１０を備える。プラズマ処理ヘッド１０の開口１１は、連続する被処理物４が真っ直ぐに延在する部分において、被処理物４の表面５に沿って被処理物４の延在方向と略平行かつ被処理物４の表面５との間に隙間を設けて延在するように、配置される。被処理物４が被処理物４の延在方向にプラズマ処理ヘッド１０の開口１１に対して相対的に移動するとき、プラズマ処理ヘッド１０は、開口１１から、プラズマ化した処理ガスを被処理物４の表面５に吹き付ける。 （もっと読む）

基材の少なくとも一部の表面を処理するための装置及び方法がここに記載される。一の実施態様において、該装置は、内部容積部、該基材、及び排気マニホールドを含むプロセスチャンバー；一以上のエネルギー源によって一以上の反応性ガス及び随意的に追加的なガスを含むプロセスガスが活性化されて、活性化反応性ガスを提供する活性化反応性ガス供給源；及び該供給源及び該内部容積部と流体で連通している分配導管を有し：該分配導管は該活性化反応性ガスを該内部容積部及び直接的に該基材に導く複数の開口部を含み、ここで該活性化反応性ガスは該表面と接触し、使用済みの活性化反応性ガス及び／又は揮発性生成物をもたらし、これらは該排気マニホールドを通じて該内部容積部から引き出される装置である。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力下において、フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行う場合に、このプラズマ処理後のガスを回収し、この回収ガスに含まれるフッ素含有化合物ガスを再利用することにより、処理ガスの総使用量を削減することができる放電プラズマ処理装置及びその処理方法を提供する。
【解決手段】対向した一対の電極の間に、フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスを流すと共にプラズマを発生させて基板の表面処理を行う放電プラズマ処理装置１であって、放電プラズマ処理装置１は、前記電極間に前記処理ガスを供給するガス供給手段３０と、プラズマ処理後の処理ガスを回収すると共に該回収したガスから前記フッ素含有化合物ガスを抽出するガス抽出手段２０とを備え、ガス抽出手段２０は、前記抽出したガスをガス供給手段３０に流すべく接続されてなる。 （もっと読む）

【課題】レイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】レイヤ上にフォトレジストレイヤが形成される。フォトレジストレイヤがパターン付けされることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャが形成され、フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する。フォトレジストフィーチャの側壁上にコンフォーマルレイヤが堆積されることによって、フォトレジストフィーチャの前記微小寸法が低減される。レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）