【課題】搬送ミスが少なくイオンビームによるエッチング処理時に被加工物の冷却を充分に行うことができるミリング装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ２０の外部にはロードロック扉４１が設けられており、ロードロック扉４１の開口部を、真空チャンバ２０を画成する壁部２０Ａに密着当接させて密閉することで、当該壁部２０Ａの部分とロードロック扉４１とでロードロック室４０を画成する。当該壁部２０Ａの部分には開口２０ａが形成されている。開口２０ａは真空チャンバ２０とロードロック室４０とを連通するように壁部２０Ａを貫通して形成されている。開口２０ａに基板保持端部６０Ａを挿入し、鍔部６５が開口２０ａを画成する壁部２０Ａの部分に密着当接することにより、真空チャンバ２０内とロードロック室４０内との連通が遮断される。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、ワーク設置部２１の第１の電極２の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部２１に設置されたワーク１０の処理面１１に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第２の電極３とを有し、発生したプラズマにより処理面１１を処理するものであり、第２の電極３は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域３１ａの幅が変化している部分を有し、この第２の電極３を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面１１と対面する有効電極領域３１ａの幅が変化するよう構成され、ガス供給手段５により、有効電極領域３１ａの幅の大きさに応じて、処理ガスを供給する幅も変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ワークの処理領域の全体にわたって、ほぼ均一な加工量でエッチング加工を施す
ことができるプラズマ処理装置、および、かかるプラズマ処理装置を用いて、処理領域に
エッチング加工を施すプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、大気圧（常圧）プラズマの作用により、ワーク１０
に対してエッチング加工を施す装置であって、ワーク１０を支持する第１の電極２と、ワ
ーク１０を介して第１の電極２と対向して設けられた第２の電極３と、ガスＧを供給する
ガス供給部５と、供給されたガスＧをプラズマ化するように、両電極２、３間に高周波電
圧を印加する電源回路４とを備えている。そして、第２の電極３のワーク１０に臨む面が
扇形をなしており、この扇形の弧と反対側にある頂点を回動中心として、第２の電極３が
回動可能に設けられている。そして、第２の電極３を回転させつつエッチング加工を施す
ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。ガス供給部５は、基板１０と印加電極３との間に所定のガスを噴出する１０本のノズル５１０〜５１９を有する。そして、ガス供給部５は、これらの各ノズル５１０〜５１９のうち、処理領域に対応する位置にあるノズルからプラズマガスを供給するとともに、処理領域と非処理領域との境界部の非処理領域側に対応する位置にあるノズルからシールドガスを供給するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】下部電極と下部セラミックとの間のギャップを最小化させるようにしたエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライ・エッチング装置は凸型の凸部を有する下部電極４６と下部電極を絶縁させるための４個の″Ｌ″字形状のセラミック片５０ａ〜５０ｄからなる下部セラミック５０とから構成される。４個のセラミック片は階段状で段差になるように形成されて相互に契合し、さらに下部電極の凸部の側面に密着する。この構造により、下部電極のプラズマの異常放電またはアーキングを防止することができるので高周波信号の電力の漏洩を防止してチャンバー内のプラズマ密度を向上させることでエッチングを安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に対して均一なエッチング処理の可能なドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。基板保持部材１は、エッチング作用をなす化学種３の密度分布に沿うように複数の基板４を保持可能な形状を有し、各基板４のエッチング処理を均一化する。例えば基板保持部材４はその形状が、円、楕円、双曲線又は放物線の回転対称体の一部をなすドーム状である。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力下において、フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行う場合に、このプラズマ処理後のガスを回収し、この回収ガスに含まれるフッ素含有化合物ガスを再利用することにより、処理ガスの総使用量を削減することができる放電プラズマ処理装置及びその処理方法を提供する。
【解決手段】対向した一対の電極の間に、フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスを流すと共にプラズマを発生させて基板の表面処理を行う放電プラズマ処理装置１であって、放電プラズマ処理装置１は、前記電極間に前記処理ガスを供給するガス供給手段３０と、プラズマ処理後の処理ガスを回収すると共に該回収したガスから前記フッ素含有化合物ガスを抽出するガス抽出手段２０とを備え、ガス抽出手段２０は、前記抽出したガスをガス供給手段３０に流すべく接続されてなる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ壁のエッチングや，チャンバ壁へのエッチング副産物の堆積を低減するようプラズマを閉じ込める。
【解決手段】第１に，チャンバ壁に対して約０．８インチ〜約１．５インチのギャップ距離を持つ環状プラズマ閉じ込めリングを配置する。第２に，頂部電極に供給される電圧をプラズマ処理中に電圧比で低減し、かつ頂部電極に供給された残りの電圧を逆相で基板支持体，又は基板に供給するインピーダンス閉じ込めスキームに依ってプラズマを閉じ込める。電圧比は、基板支持体および頂部電極を包囲する誘電体シールのインピーダンスを変化させることによって調整する。これにより，接地されたチャンバ壁に引き寄せられるプラズマの量を低減し、そのためプラズマの閉じ込めを改善する。プラズマ閉じ込めは、記載された環状リング、インピーダンス閉じ込めスキーム、または両方の組合せのいずれかを使用することによって改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の表面処理装置は、表面処理が施される被処理基板を基板ホルダにより一体的に保持した後に表面処理を行う表面処理装置において、上記基板ホルダに給電可能な突出部が設けられていることを特徴とする。かかる構成とすることによって、基板ホルダを介して被処理基板から外方に離間した位置で給電することが可能となる。それにより、プラズマ生成領域の外で給電出来る。また、被処理基板に給電痕を残さずに該基板の両面をプラズマ処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極１の少なくとも一面を誘電体カバー２で被覆する。誘電体カバー２で被覆された面を対向させて複数の電極１、１を対向配置することにより、対向する電極１、１間を放電空間３として形成する。放電空間３内にガスＧを導入すると共に対向する電極１、１間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間１、１内にプラズマＰを生成する。このプラズマＰを放電空間３の下側開口から吹き出して被処理物Ｓに供給することにより被処理物Ｓにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。各電極１、１の下側に誘電体で被覆された導電体４を設けると共に導電体４、４間に電圧を印加するための導電体印加電源６０を備える。 （もっと読む）

【課題】 大面積の被処理物用のプラズマ処理装置において、電極のクーロン力による撓み量を低減するとともに表面処理の均一性を確保する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極構造３０は、左右にそれぞれ延びるとともに前後に互いに対峙する一対の電極列３１，３２からなる。各電極列は、左右に並べられた複数の電極部材にて構成され、左右方向の実質的に同じ位置に配置された一方の電極列と他方の電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの対向面の間に列間部分隙間３３ａを形成している。導入口２１における隣り合う列間部分３３ａ，３３ａどうしの境に対応する部位２１ｂには、処理ガス流を渦流にする渦形成部材５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット等の被加工物を切断するための、破断しにくいプラズマ電極
【解決手段】プラズマ加工装置１００の反応室１０１内で、ＳＦ₆存在下でリボン状電極１０と被加工物であるシリコンインゴット２０との間に高周波を印加してフッ素ラジカルを発生させる。シリコンインゴット２０は厚さ２０μｍ以下のリボン状電極１０の側辺１０ａ付近に発生したフッ素ラジカルにより徐々にエッチングされる。昇降台４０によりシリコンインゴット２０を徐々に上方向に移動させることでシリコンインゴット２０は５０μｍ以下のカーフロスで切断され、ウエハを得る。リボン状電極１０を、ロール３１及び３２で把持し、当該ロール３１及び３２を同方向に回転させて、リボン状電極１０を図面左から右へ走行させて、リボン状電極１０の損耗を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを簡単な構成で所望の箇所に発生し所望の箇所に表面処理ができる表面処理方法、表面処理装置、パターン形成用基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】 接地された載置台３２に載置されたガラス基板２の上にパターン形成部材３３を配置する。パターン形成部材３３の絶縁基板３４の下面３４ａにパターン電極膜３６が形成されている。パターン電極膜３６は、ガラス基板２に形成されたバンクによって区画されたそれぞれ対応する凹部に相対向するように形成されている。パターン形成部材３３の上側の高周波印加電極４０に高周波電圧を印加すると、絶縁基板３４と基板との間の空間Ｓ２に酸素プラズマＰ２が発生する。酸素プラズマＰ２は、絶縁基板３４のパターン電極膜３６が形成されている部分に発生する。パターン電極膜３６が形成されていない部分は、酸素プラズマＰ２が発生しない。 （もっと読む）

【課題】 除去加工を行うプラズマＣＶＭ法又は成膜を行うプラズマＣＶＤ法に使用するプラズマ処理方法及びその装置であって、プラズマＣＶＭの場合には最小加工痕が、プラズマＣＶＤの場合には最小成膜部が軸対称となるようにした回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に回転電極２００とワーク２０１とを配設し、ワークと回転電極をＸＹ軸方向へ相対的に走査するとともに、Ｚ軸方向の回転軸２０２を有する回転電極とワークとの間に所定のギャップ２０３を形成するように回転電極とワークをＺ軸方向へ相対的に変位させ、回転電極を回転させてギャップ近傍に渦流を形成するとともに、回転電極に高周波電圧を印加してギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づいて生成した中性ラジカルを用いてワーク表面を加工又はワーク表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）