プラズマエッチング装置
【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は微細なパターン加工を行うような電子デバイスの製造に利用されるプラズマエッチング装置に関し、詳しくは、耐圧誘電体部材を介してチャンバ内に反応ガスのプラズマを発生させてエッチングを行う第１の電極と、プラズマエッチングに際して耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを組み合わせ備えたプラズマエッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような第１、第２の電極を組み合わせたプラズマエッチング装置は既に知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
特許文献１は特に、第１の電極を高周波アンテナとし、第２の電極を高周波アンテナと並列に可変チョークまたは可変コンデンサを介して同一高周波電源に接続する構成を開示している。このような構成では、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを発生させてチャンバ内の対向電極に支持された被処理物を処理するのに併せ、第２の電極により耐圧誘電体部材の内表面上に一様な電界を形成して耐圧誘電体部材の内表面に膜が付着するのを防止するが、特に、第２の電極に供給する電力をチョークや可変コンデンサにて制御することにより、プロセス中は耐圧誘電体部材の内表面がエッチングされないようにすることができ、プロセスとプロセスとの間ではクリーニングプロセスが行えるものとなる。
【０００４】
一方、特許文献２は、第２の電極をそれぞれ独立に高周波電力が印加される分割電極とするか、第２の電極を移動させることを提案している。このような構成では、耐圧誘電体部材の内表面の反応生成物の付着厚さの分布に応じて、分割電極それぞれに供給する高周波電圧を調整するか、第２の電極を移動させることにより、耐圧誘電体部材の内表面における第１の電極直下の領域が削られることを防止しながら、チャンバ内に残留して耐圧誘電体部材の内表面に異なった厚さで付着しようとする各領域の反応生成物をエッチングすることができる。
【特許文献１】特許第３４２９３９１号公報
【特許文献２】特開２００５−２５９８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、第２の電極ｂに電源ｃから供給する高周波電力を特許文献１に記載のように制御するにしても、既述したように第２の電極ｂの全体に供給して耐圧誘電体部材ｄの内表面に一様な電界を形成し、また、被処理物上で密度分布が均一なプラズマｅを発生させるのに対し、耐圧誘電体部材ｄの内表面下でのプラズマｅの密度が発生域によって種々に差ができる。例えば図２８の第５欄、Ａ〜Ｃ、Ｅ〜Ｇに例示するように中央部の密度が高く周辺部へ向け密度が低下するような密度分布では、その分布差に応じて耐圧誘電体部材ｄの内表面の中央部でのプラズマｅが多く、周辺部では少なくなる傾向を示す。また、図２８の第５欄、Ｄに例示するように周辺部で中央部よりも高くなる密度分布を示す場合もあり、周辺部でのプラズマｅが多く、中央部で少なくなる傾向を示し、耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れに差を及ぼす。また、耐圧誘電体部材ｄへの反応生成物の付着度（図ではデポレート）分布も、図２８第４欄、Ａ〜Ｇに例示するように中央部で高く周辺部へ向け低下する場合があるし、図示しないが周辺部で高く中央部で低下する場合もあるというように一定せず、これも耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れ量の不均一をもたらす。
【０００６】
ここに、プラズマｅの密度分布のパターンと反応生成物の付着量分布のパターンとは、それらを図２８の第３欄、Ａ〜Ｇに示すように重畳したときの双方の高低の差が耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れ量に相関し、図２８の第２欄、Ａ〜Ｇに示すように耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れ量（図では削れレート）の分布が決まる。これら削れ量の分布に対応した実際の削れ状態は図２８の第１欄、Ａ〜Ｇに例示するようになる。
【０００７】
図２８のＢではプラズマｅの密度分布のパターンと反応生成物の付着量分布のパターンとに高低の差がほとんどなく、耐圧誘電体部材ｄの内表面が削れるにしてもその量は少なく、かつほぼ平坦であって理想的な削れ条件といえる。また、図２８のＦではプラズマｅの密度分布のパターンと反応生成物の付着量分布のパターンとに若干の差はあるがその差がほぼ均一なことから、図２８のＢの場合よりは少し深く削れるがほぼ平坦であって理想に近い削れ条件といえる。しかし、図２８のＡ、Ｃ〜Ｅ、Ｇでは中央部や周辺部が部分的に多く削れており、高価な耐圧誘電体部材ｄの耐圧強度が早期に低下する問題がある。
【０００８】
一方、特許文献２に記載のように第２の電極ｂを分割電極としてそれぞれに独立して、従って、それぞれにパワーの異なった高周波電力を供給して耐圧誘電体部材ｄの内表面における領域によって異なる付着量に対応しようとしても、連続した変化には対応し切れない問題がある上、第２の電極ｂ、高周波電力を供給する電源ｃ、電源ｃをオン、オフする駆動系のそれぞれが、第２の電極ｂを分割する数だけ必要となるので、装置が高価になる。
【０００９】
本発明の目的は、複雑化、大幅なコスト上昇なく、かつプラズマおよび加工の均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるプラズマエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記のような目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング装置の第１の態様によれば、減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからのプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、前記第２の電極の前記耐圧誘電体部材の内表面からの電極距離を、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体の削れ量との部分的な違いに応じて設定したことを１つの特徴としている。
【００１１】
このような構成では、第２の電極の前記耐圧誘電体部材の内表面からの電極距離が耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて設定してあることにより、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを従来通りに被処理物側で均一な密度分布で発生させて均一なプラズマエッチングを行うことを邪魔することなく、第２の電極からのパワーの電極距離に応じた減衰を伴い耐圧誘電体部材の内表面への各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働き、耐圧誘電体部材の内表面の反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。
【００１２】
本発明のプラズマエッチング装置の第２の態様によれば、電極距離は、周辺部よりも中央部を大きくする、あるいは、中央部よりも周辺部を大きくすることを特徴としている。
【００１３】
これにより、耐圧誘電体部材の削れ量が中央部で周辺部よりも大きくなる傾向の場合、あるいは、周辺部で中央部よりも大きくする傾向の場合に対応することができる。
【００１４】
本発明のプラズマエッチング装置の第３の態様によれば、電極距離は、前記耐圧誘電体部材の平坦な内表面と前記第２の電極の立体形態とで設定していることを特徴としている。
【００１５】
これにより、第２の電極のみの立体形状にて、対向する耐圧誘電体部材の内表面に対する反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量とに対応した、電極距離の変化を満足することができる。
【００１６】
本発明のプラズマエッチング装置の第４の態様によれば、前記耐圧誘電体部材の外表面は前記第２の電極の立体形態に沿うか近似した立体形態としてあることを特徴としている。
【００１７】
これにより、耐圧誘電体部材は立体的な第２の電極との間のスペースを利用して、電極距離の大きいところでは小さいところよりも厚みが増大するので、第２の電極からの反応生成物の付着防止を図るパワーを電極距離の大きいところでは小さいところよりも弱められ、第２の電極の立体形状と併せ、反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに対応することができる。また、耐圧誘電体部材は削れ量の大きい部分ほど厚くなるので、そこでの削れが他の部分より大きくなっても耐圧強度が他の部分よりも低下するようなことを防止することができる。
【００１８】
本発明のプラズマエッチング装置の第５の態様によれば、電極距離は、前記第２の電極の平坦な形態と前記耐圧誘電体部材の内表面の立体形態とで設定していることを特徴としている。
【００１９】
これにより、耐圧誘電体部材内表面のみの一体、積層などによる立体形状にて、対向する第２の電極に対する反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに対応した、電極距離の変化を満足して、第２の電極からの反応生成物の付着防止を図るパワーを電極距離の大きいところでは小さいところよりも弱められるし、耐圧誘電体部材の厚みが電極距離の大きなところで小さなところよりも削れに対する許容度を高められる。
【００２０】
本発明のプラズマエッチング装置の第６の態様によれば、前記第２の電極と耐圧誘電体部材の内表面との各対向域における電極距離の差を調整する距離調整手段を有したことを特徴としている。
【００２１】
これにより、プラズマ処理条件によって耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いが一定しないような場合でも、第２の電極と耐圧誘電体部材の内表面との各対向域ごとに、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じた電極距離に調整することができる。
【００２２】
本発明のプラズマエッチング装置の第７の態様によれば、距離調整手段は、第２の電極の部分的な高さを一体のままか、分割体ごとに相対的に変化させることを特徴としている。
【００２３】
これにより、第２の電極の形態によって一体のままか、分割体ごとに部分的な高さを相対変化させて、一定しない反応生成物の耐圧誘電体部材の内表面への付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じた電極距離に調整することができる。
【００２４】
本発明のプラズマエッチング装置の第８の態様によれば、減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極に支持した被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、前記耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも１つを有して、前記第２の電極と前記耐圧誘電体部材との間に補助誘電体部材を配したことを別の特徴としている。
【００２５】
このような構成では、第２の電極と耐圧誘電体部材との間に位置する補助誘電体部材が耐圧誘電体部材の内表面での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに対応した誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも１つによって、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを従来通りに被処理物側で均一な密度分布で発生させての均一なプラズマエッチングを邪魔せず、第２の電極からのパワーを耐圧誘電体部材の内表面における部分的な反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて弱め、耐圧誘電体部材の内表面への各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働くようにするので、耐圧誘電体部材の内表面の反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなることを抑制できる。
【００２６】
本発明のプラズマエッチング装置の第９の態様によれば、補助誘電体部材は、石英、マイカなど材料の違い、補助誘電体部材を設けない空間域の空気を含んだ組み合わせで部分的な誘電率の差を設定してあることを特徴としている。
【００２７】
これにより、部分的な誘電率の差を十分な幅と変化域を持って設定することができる。
【００２８】
本発明のプラズマエッチング装置の第１０の態様によれば、補助誘電体部材は、環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット外周体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断外周体の１つと、この有スリット外周体または分断外周体の内側にそれらと環状の高周波透過部を有して選択配置される無スリット中央体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット中央体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断中央体の１つとの組合わせとして、配置密度の差を設定してあることを特徴としている。
【００２９】
これにより、補助誘電体部材の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。ここで、補助誘電体部材に入れたスリットは、第1の電極からチャンバ内に放射される高周波を透過し、補助誘電体部材にて高周波の透過が妨げられることを防ぐ効果がある。
【００３０】
本発明のプラズマエッチング装置の第１１の態様によれば、減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、前記第２の電極は、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有して設けたことを他の特徴としている。
【００３１】
このような構成では、第２の電極が耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有していることにより、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを従来通りに被処理物側で均一な密度分布で発生させて均一なプラズマエッチングを邪魔せず、第２の電極からのパワーを耐圧誘電体部材の内表面における部分的な反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて弱め、耐圧誘電体部材の内表面への各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働くようにするので、耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。また、第２の電極の配置密度設定のために形成される第２の電極が位置しない周方向位置、径方向位置では第１の電極からチャンバ内への高周波の透過により全体での透過効率を高められる。
【００３２】
本発明のプラズマエッチング装置の第１２の態様によれば、第２の電極は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状で中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部を持った外周体およびこの外周体の穴部に環状の高周波透過部となる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した中央体との組み合わせ体、のいずれかで配置密度の差を設定したことを特徴としている。
【００３３】
これにより、第２の電極の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。
【００３４】
本発明のプラズマエッチング装置の第１３の態様によれば、第２の電極は、スリット状の高周波透過部の間に窓状に開口した高周波透過部を有して配置密度の差を設定していることを特徴としている。
【００３５】
これにより、スリット状の高周波透過部の間の窓状に開口した高周波透過部によって第２の電極の周方向での配置密度をさらに弱め、また第１の電極からの高周波のチャンバ内への透過効率を高められる。
【００３６】
本発明のプラズマエッチング装置の第１４の態様によれば、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した単体を第２の電極の選択対象に含んで、第２の電極の高周波透過部は、誘電体で埋めてあることを特徴としている。
【００３７】
これにより、第２の電極に高周波透過部による導体近接部分があっても、そこを埋める誘電体によってエアギャップとはならず導体近接部分間で放電するのを防止することができ、また、この誘電体は補助誘電体の一部として有効である。
【００３８】
そこで、本発明のプラズマエッチング装置の第１５の態様によれば、第２の電極の高周波透過部を埋めている誘電体は、前記耐圧誘電体部材の一部であることを特徴としている。
【００３９】
これにより、第２の電極が耐圧誘電体部材と対面する構成を利用して第２の電極の高周波透過部を誘電体で埋めることが実現し、しかも、第２の電極と耐圧誘電体部材とを一体で取り扱えるし、第２の電極が複数に分割、分断される場合に耐圧誘電体部材により一体に支持できる。また、第８〜第１０の態様の補助誘電体部材を設ける場合はこれを耐圧誘電体部材同様に第２の電極の高周波透過部を埋める誘電体として利用することができる。
【００４０】
本発明のプラズマエッチング装置の第１６の態様によれば、第２の電極は、回転または往復弧回動することを特徴としている。
【００４１】
これにより、第２の電極の配置密度の設定によって周方向に分散して配置される第２の電極部と高周波透過部が、第２の電極の回転または往復弧回動されて、第１の電極からの高周波の透過位置、および第２の電極からのパワーの出力位置を周方向に移動させるので、第１の電極によるチャンバ内でのプラズマの発生と、第２の電極による耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着防止とをより均一にすることができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明のプラズマエッチング装置によれば、プラズマの均一な密度分布による均一なプラズマエッチングを保証しながら、第２の電極を耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の部分的な付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働かせて、耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなり耐圧寿命が早期に低下するようなことがなくなる。また、第２の電極が単体か分割かの違いにかかわらず同一電源から同一の電力を供給してよく、第２の電極の耐圧誘電体部材の内表面からの電極高さ、配置密度、第２の電極のチャンバ側にある誘電体部材の誘電率、厚さ、配置密度に部分的に差を持たせるだけで構造が特に複雑になるようなことはなくコスト上昇の原因にはならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明のプラズマエッチング装置の実施の形態について、図１〜図２６を参照して説明する。しかし、以下の説明は本発明の具体例であって特許請求の範囲の記載の内容を限定するものではない。
【００４４】
本実施の形態のプラズマエッチング装置は、図１に示すように減圧可能で供給口１ａから反応ガス１０を供給して排気ガス２０を排気口１ｂから排気するチャンバ１と、このチャンバ１の内部に設けられ被処理物２を支持する対向電極３と、チャンバ１の隔壁をなす耐圧誘電体部材５の外に設けられチャンバ１内に反応ガス１０からのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、この第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備えている。ここに、第１の電極４は誘導結合コイル（ＩＣＰコイル）であって高周波アンテナをなし、耐圧誘電体部材５を介しチャンバ１内にプラズマ６を発生させ、このプラズマ６が対向電極３上の被処理物２の表面に働くことによってエッチングなどのプラズマ処理を行わせる。また、第２の電極７はファラデーシールド電極（ＦＳ電極）であって、耐圧誘電体部材５の内表面５ａに沿う一様な電界を形成してプラズマ処理時に生じる反応生成物が付着するのを防止する。
【００４５】
このようなプラズマ処理プロセスのために、対向電極３には電源１５から可変コンデンサ１６を介して高周波を供給し、プラズマ６を被処理物２側に働かせるようにする。第１の電極４には電源１１から高周波電力を可変コンデンサ１２を介して供給し、所定のエッチレートでプラズマ処理できるようにする。また、第１の電極４は図１に示すような立体的な配置形態なども含めプラズマ６が被処理物２の表面に一様な分布をもって発生するように調整され、被処理物２の表面が設定したエッチレートにて均一にプラズマ処理されるようにする。なお、高周波は一般に３０ｋＨｚ〜３００ＧＨｚとされるのに対し、プラズマ発生装置に適用される高周波範囲はＨＦと称される３〜３０ＭＨｚ程度の狭い範囲である。第２の電極７には電源１３から可変コンデンサ１４を介して第１の電極４の場合と同様な高周波、あるいはそれ以下の低周波を供給し、可変コンデンサ１４の調整によって耐圧誘電体部材５の内表面５ａに反応生成物が付着するのを防止できる。
【００４６】
なお、ここでは、図１に示すように、第１の電極４には電源１１が、第２の電極７には電源１３が、それぞれ別々に接続されているが、第１の電極４と第２の電極７とを並列に可変チョークまたは可変コンデンサを介して同一高周波電源に接続する構成にしてもよい（図示せず）。または、図２９に示すように、第1の電極４には電源１１を接続し、第２の電極７には可変チョークまたは可変コンデンサを接続し、電源１１から発振された電力を第1の電極４から空気を介して第２の電極７に重畳させ第1の電極４と第２の電極７のそれぞれに印加される電力比を可変チョークまたは可変コンデンサで調整するようにしてもよい。
【００４７】
しかし、既述したように第１の電極４の働きによるプラズマ６の発生は、被処理物２の表面上で一様な分布となるように制御できるが、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの下では中央部では周辺部よりも分布が高くなるといった偏った分布傾向を示す。これに対し、第２の電極７の働きによる耐圧誘電体部材５の内表面５ａに沿って形成する電界の強弱は可変コンデンサ１４で調整できるが、電界の形成状態は耐圧誘電体部材５の内表面５ａに沿う一様なものであるので、このままでは、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでのプラズマ６の働きと電界の働きとのバランスを採ることはできない。このため、反応生成物の部分的な付着や耐圧誘電体部材５の内表面５ａの部分的な削れが生じる。
【００４８】
そこで、本実施の形態では、第２の電極７による耐圧誘電体部材５の内表面５ａの表面に形成する電界の強弱が、第２の電極７の前記耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２に依存する関係から、この電極距離Ｌ２を、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて設定する。このように、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２が耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定してあることにより、第１の電極４により耐圧誘電体部材５を介しチャンバ１内にプラズマを従来通りに被処理物２側で均一な密度分布で発生させて均一なプラズマエッチングを行うことを邪魔することなく、第２の電極７からのパワーの電極距離Ｌ２に応じた減衰を伴い耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて過不足なく働き、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面の削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。
【００４９】
この結果、プラズマ６の均一な密度分布による均一なプラズマエッチングを保証しながら、第２の電極７を耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の部分的な付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて過不足なく働かせて、耐圧誘電体部材５の内表面５ａに反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの削れが部分的に多くなり耐圧寿命が早期に低下するようなことがなくなる。また、第２の電極７が単体か分割かの違いにかかわらず同一電源１３から同一の電力を供給してよく、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２に部分的な差を持たせるだけで構造が特に複雑になるようなことはなくコスト上昇の原因にはならない。
【００５０】
具体的には、図１の例では耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける中央部が周辺部よりも削れ量が多くなる一般傾向に対して、電極距離Ｌ２は、周辺部よりも中央部を大きくすることにより対応している。当然のことながら、耐圧誘電体部材５の周辺部の削れ量が中央部よりも大きくなる場合には、逆に電極距離Ｌ２は、中央部よりも周辺部を大きくすることにより対応することができる。このようにして、反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との差の分布がどのように不均衡でもそれに逆比例する電極距離Ｌ２を設定すれば対応できる。なお、電極距離Ｌ２を第２の電極７と耐圧誘電体部材５の内表面５ａの各対向域で部分的に異ならせることは、図１の例のように第２の電極７の側単独でも、耐圧誘電体部材５の側単独でも、あるいは双方によっても行える。また、第１の電極４も耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ１を中央部から周辺部へ小さくなるように設定して被処理物２の表面上で均一な密度分布を示すようにしている。しかし、これに限定されることはない。
【００５１】
これに対応して、前記耐圧誘電体部材５の外表面５ｂは、図２に示すように第２の電極７の立体形態に沿うか図３の例に示すように積層などして近似した立体形態としておくことができる。これにより、耐圧誘電体部材５は立体的な第２の電極７との間のスペースを利用して、電極距離Ｌ２の大きいところでは小さいところよりも厚みが増大し、図５に示すような誘電体の厚みとエッチレートとの関係から第１の電極４によるプラズマエッチングの均一性の操作に役立てられるのに併せ、第２の電極７による反応生成物の付着防止作用のパワーにも影響して電極距離Ｌ２の大きいところでは小さいところよりも弱められるし、耐圧誘電体部材５の厚みが電極距離Ｌ２の大きなところで小さなところよりも削れに対する耐圧許容度を高められる。
【００５２】
図４に示す例では、電極距離Ｌ２を、第２の電極７の平坦な形態と耐圧誘電体部材５の内表面５ａの立体形態とで設定してあり、図２、図３の耐圧誘電体部材５と同様な働きをして、第２の電極７を平板のままでよいようにしている。もっとも、図２、図３の例の立体的な第２の電極７と図４に示す立体形態の内表面５ａを持った耐圧誘電体部材５との組み合わせによって電極距離Ｌ２の変化を複合的に与えるようにしてもよい。このようにすると、より複雑な電極距離Ｌ２をも設定しやすくなる。また、第２の電極７および耐圧誘電体部材５の必要立体度を軽減しあえる利点もある。
【００５３】
第２の電極７は例えば図６〜図１７に示すように、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて、配置密度の差を有して設けることもできる。このように第２の電極７が付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに対応した配置密度の差を有していることにより、第２の電極７によるパワーが耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて過不足なく働くので、耐圧誘電体部材５の内表面５ａに反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。また、第２の電極７の配置密度設定のために形成される第２の電極７が位置しない周方向位置、径方向位置では第１の電極４からチャンバ１内への高周波の透過により全体での透過効率を高められる。
【００５４】
具体的には、図６の例の第２の電極７は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部７ａと中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部７ｂとを持った単体としてあり、図７、図８、図９に示す各例の第２の電極７は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部７ａと中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部７ｂを持った外周体７ｄおよびこの外周体７ｄの穴部状の高周波透過部７ｂに環状の高周波透過部７ｅとなる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部７ａを有した中央体７ｆとの組み合わせ体としてある。もっとも、このような配置密度の調整には、図１０に示すような中央部を抜いた穴状とし、この穴状部から周辺部に向うスリットによって形成される中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部７ａを持った単体パターンも含まれてもよい。このような第２の電極７の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。また、図１４〜図１６の各例に示すように、第２の電極７におけるスリット状の高周波透過部７ａの間に窓状に開口した高周波透過部７ｇを有して配置密度の差を設定することもでき、スリット状の高周波透過部７ａの間の窓状の高周波透過部７ｇによって第２の電極７の周方向での配置密度をさらに弱め、また第１の電極４からの高周波のチャンバ１内への透過効率を高められる。
【００５５】
特に、図１１〜図１６に示す各例では、既述した各種パターンで形成する高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇを、図１１（ｂ）、図１４（ｂ）に代表して断面を示すように誘電体２１、２２で埋めてある。これにより、第２の電極７に高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇによる導体近接部分があっても、そこを埋める誘電体によってエアギャップとはならず導体近接部分間で放電するのを防止することができる。なお、第２の電極７を複数に分割する場合は、その分割に応じ第２の電極７への電圧の印加を分割してもよい。
【００５６】
ところで、図１７の例、図１８の例に示すねじ２３のような電極距離Ｌ２を調整する距離調整手段を有したものとすることもできる。これにより、プラズマ処理条件によって反応生成物の耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの付着性が一定しないような場合でも、それに対応して部分的に異なる電極距離Ｌ２となるように調整することができる。図１７の例では第２の電極７を既述した分割体タイプとしたものの外周体７ｄと中央体７ｆとを個別のねじ２３、２３にて個別に上下動調節することで、相互の電極距離Ｌ２を相対的に変化させられるようにしている。しかし、配置密度パターンによっては、図１８に示すように外周を固定して内周側をねじ２３により難なく上下動作させられ、これによって中央部から周辺部までの電極距離Ｌ２の関係を相対的に連続して変化させられる。また、図６に示すような配置密度パターンの第２の電極７であれば、図示しないが中央部を固定して周辺部をねじで難なく上下動させられ、これによって中央部から周辺部までの電極距離Ｌ２の関係を相対的に連続して変化させられる。
【００５７】
さらに、第２の電極７は図に矢印でしめすように一方向に回転させるか、または往復弧回動するようにもできる。これにより、第２の電極７の配置密度の設定によって高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇが既述のように周方向に分散して形成されるが、回転または往復弧回動によりその分散位置を移動して高周波の透過位置を周方向に移動させてチャンバ１内でのプラズマ発生、耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の付着防止をより均一にすることができる。
【００５８】
また、図１９〜図２１の各例で代表して示すように、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて誘電率の差、配置密度の差の少なくとも１つを有して、第２の電極７と前記耐圧誘電体部材５との間に補助誘電体部材３１を配したものとすることができる。このような補助誘電体部材３１の耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、配置密度の差の少なくとも１つによって、第１の電極４により耐圧誘電体部材５を介しチャンバ１内にプラズマ６を従来通りに被処理物２側で均一な密度分布で発生させての均一なプラズマエッチングを邪魔せず、第２の電極７からのパワーを耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける部分的な反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて弱め、耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて過不足なく働くようにするので、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。
【００５９】
ここで、補助誘電体部材３１は、石英、マイカなど材料の違い、補助誘電体部材３１を設けない空間域の空気層を含んだ組み合わせで部分的な誘電率の差を設定することができる。これにより、部分的な誘電率の差を十分な幅と変化域を持って設定することができる。
【００６０】
具体的には、マイカの誘電率は７．０ｋε、石英のそれは３．８ｋε、空気のそれは１．０００５４ｋεである。このような差を利用して図１９に示す例では、補助誘電体部材３１を外周体３１ａとその内側に環状の高周波透過部３１ｂを持って配置した中央体３１ｃとにおいて、外周体３１ａを石英とし、中央体３１ｃをマイカとしてある。これにより、容量結合上プラズマ６の耐圧誘電体部材５側での密度分布を中央部で低くし、耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける中央部の削れを防止するのに好適である。図２０の例では外周体３１ａを省略した空気層、中央体３１ｃをマイカとした組み合わせにおいて、プラズマ６の中央部での密度分布をより抑えられるようにしている。図２１に示す例では、マイカよりなる外周体３１ａと中央体３１ｃを省略した空気層との組み合わせによって、図１９、図２０での例とは逆にプラズマ６の周辺部での密度分布を中央部よりも低くして、耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける周辺部での削れを抑えるのに好適となる。
【００６１】
なお、補助誘電体部材３１が第１の電極４からの高周波の透過を邪魔したくない条件設定では、第２の電極７と共に同じパターンの高周波透過部３１ｂを持つのが好適となる。そこで、よりよくは、既述したような誘電体２１、２２のない図８、図９に示す例の外周体７ｄと中央体７ｆとを持った第２の電極７との組み合わせがよく、それらの高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇに見合った配置密度パターンの補助誘電体部材３１とすればよい。従って、図２２、図２３に示すような環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部３１ｄを持った有スリット外周体３１ａ、スリット状の高周波透過部３１ｄを有して周方向に分断された分断外周体３１ａ、この有スリット外周体３１ａまたは分断外周体３１ａの内側にそれらと既述した環状の高周波透過部３１ｂを有して選択配置される図２２、図２５に示すような無スリット中央体３１ｃ、図２３、図２６に示すような外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部３１ｄを持った有スリット中央体３１ｃ、図２４、図２６に示すようなスリット状の高周波透過部３１ｄを有して周方向に分断された分断中央体３１ｃの１つとの組合わせとして、配置密度の差を設定すればよい。これにより、補助誘電体部材３１の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。
【００６２】
ここで、第２の電極７の既述した高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇを埋めている図１１〜図１６に示す誘電体２１、２２は、前記耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１の一部とすることができる。従って、第２の電極７が耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１と対面する構成を利用して第２の電極７の高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇを誘電体２１、２２で埋めることが実現でき、しかも、第２の電極７と耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１とを一体で取り扱えるし、第２の電極７が複数に分割、分断される場合に耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１により一体に支持できる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明はプラズマ用の電極と反応生成物の付着防止電極とを用いるプラズマエッチング装置において、均一なプラズマエッチング、付着防止を損なわないで、耐圧誘電体部材の内表面が部分的に削れるようなことを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の１つの例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の別の例を示す要部の断面図である。
【図３】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の他の例を示す要部の断面図である。
【図４】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の今１つの例を示す要部の断面図である。
【図５】誘電体の厚みとエッチレートとの関係を示すグラフである。
【図６】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の１つの例を示す平面図である。
【図７】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１の例を示す平面図である。
【図８】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第２の例を示す平面図である。
【図９】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第３の例を示す平面図である。
【図１０】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第４の例を示す平面図である。
【図１１】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第５の例を示す平面図である。
【図１２】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第６の例を示す平面図である。
【図１３】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第７の例を示す平面図である。
【図１４】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第８の例を示す平面図である。
【図１５】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第９の例を示す平面図である。
【図１６】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１０の例を示す平面図である。
【図１７】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１１の例を示す平面図である。
【図１８】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１２の例を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成のさらに１つの例を示す要部の断面図である。
【図２０】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成のさらに別の例を示す要部の断面図である。
【図２１】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成のさらに他の例を示す要部の断面図である。
【図２２】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第１の例を示す平面図である。
【図２３】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第２の例を示す平面図である。
【図２４】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第３の例を示す平面図である。
【図２５】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第４の例を示す平面図である。
【図２６】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第５の例を示す平面図である。
【図２７】従来のプラズマエッチング装置の概略構成例を示す断面図である。
【図２８】従来の装置でのプラズマ発生状態、反応生成物付着状態、耐圧誘電体部材の削れ状態を示す説明図である。
【図２９】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の第２の電極への電力印加方法の他の例を示す要部の断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１ チャンバ
２ 被処理物
３ 対向電極
４ 第１の電極
５ 耐圧誘電体部材
５ａ 内表面
５ｂ 外表面
６ プラズマ
７ 第２の電極
７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇ 高周波透過部
７ｄ 外周体
７ｆ 中央体
１１、１３、１５ 電源
１２、１４、１６ 可変コンデンサ
２１、２２ 誘電体
２３ ねじ
３１ 補助誘電体部材
３１ａ 外周体
３１ｃ 中央体
３１ｂ、３１ｄ 高周波透過部
【技術分野】
【０００１】
本発明は微細なパターン加工を行うような電子デバイスの製造に利用されるプラズマエッチング装置に関し、詳しくは、耐圧誘電体部材を介してチャンバ内に反応ガスのプラズマを発生させてエッチングを行う第１の電極と、プラズマエッチングに際して耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを組み合わせ備えたプラズマエッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような第１、第２の電極を組み合わせたプラズマエッチング装置は既に知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
特許文献１は特に、第１の電極を高周波アンテナとし、第２の電極を高周波アンテナと並列に可変チョークまたは可変コンデンサを介して同一高周波電源に接続する構成を開示している。このような構成では、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを発生させてチャンバ内の対向電極に支持された被処理物を処理するのに併せ、第２の電極により耐圧誘電体部材の内表面上に一様な電界を形成して耐圧誘電体部材の内表面に膜が付着するのを防止するが、特に、第２の電極に供給する電力をチョークや可変コンデンサにて制御することにより、プロセス中は耐圧誘電体部材の内表面がエッチングされないようにすることができ、プロセスとプロセスとの間ではクリーニングプロセスが行えるものとなる。
【０００４】
一方、特許文献２は、第２の電極をそれぞれ独立に高周波電力が印加される分割電極とするか、第２の電極を移動させることを提案している。このような構成では、耐圧誘電体部材の内表面の反応生成物の付着厚さの分布に応じて、分割電極それぞれに供給する高周波電圧を調整するか、第２の電極を移動させることにより、耐圧誘電体部材の内表面における第１の電極直下の領域が削られることを防止しながら、チャンバ内に残留して耐圧誘電体部材の内表面に異なった厚さで付着しようとする各領域の反応生成物をエッチングすることができる。
【特許文献１】特許第３４２９３９１号公報
【特許文献２】特開２００５−２５９８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、第２の電極ｂに電源ｃから供給する高周波電力を特許文献１に記載のように制御するにしても、既述したように第２の電極ｂの全体に供給して耐圧誘電体部材ｄの内表面に一様な電界を形成し、また、被処理物上で密度分布が均一なプラズマｅを発生させるのに対し、耐圧誘電体部材ｄの内表面下でのプラズマｅの密度が発生域によって種々に差ができる。例えば図２８の第５欄、Ａ〜Ｃ、Ｅ〜Ｇに例示するように中央部の密度が高く周辺部へ向け密度が低下するような密度分布では、その分布差に応じて耐圧誘電体部材ｄの内表面の中央部でのプラズマｅが多く、周辺部では少なくなる傾向を示す。また、図２８の第５欄、Ｄに例示するように周辺部で中央部よりも高くなる密度分布を示す場合もあり、周辺部でのプラズマｅが多く、中央部で少なくなる傾向を示し、耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れに差を及ぼす。また、耐圧誘電体部材ｄへの反応生成物の付着度（図ではデポレート）分布も、図２８第４欄、Ａ〜Ｇに例示するように中央部で高く周辺部へ向け低下する場合があるし、図示しないが周辺部で高く中央部で低下する場合もあるというように一定せず、これも耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れ量の不均一をもたらす。
【０００６】
ここに、プラズマｅの密度分布のパターンと反応生成物の付着量分布のパターンとは、それらを図２８の第３欄、Ａ〜Ｇに示すように重畳したときの双方の高低の差が耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れ量に相関し、図２８の第２欄、Ａ〜Ｇに示すように耐圧誘電体部材ｄの内表面の削れ量（図では削れレート）の分布が決まる。これら削れ量の分布に対応した実際の削れ状態は図２８の第１欄、Ａ〜Ｇに例示するようになる。
【０００７】
図２８のＢではプラズマｅの密度分布のパターンと反応生成物の付着量分布のパターンとに高低の差がほとんどなく、耐圧誘電体部材ｄの内表面が削れるにしてもその量は少なく、かつほぼ平坦であって理想的な削れ条件といえる。また、図２８のＦではプラズマｅの密度分布のパターンと反応生成物の付着量分布のパターンとに若干の差はあるがその差がほぼ均一なことから、図２８のＢの場合よりは少し深く削れるがほぼ平坦であって理想に近い削れ条件といえる。しかし、図２８のＡ、Ｃ〜Ｅ、Ｇでは中央部や周辺部が部分的に多く削れており、高価な耐圧誘電体部材ｄの耐圧強度が早期に低下する問題がある。
【０００８】
一方、特許文献２に記載のように第２の電極ｂを分割電極としてそれぞれに独立して、従って、それぞれにパワーの異なった高周波電力を供給して耐圧誘電体部材ｄの内表面における領域によって異なる付着量に対応しようとしても、連続した変化には対応し切れない問題がある上、第２の電極ｂ、高周波電力を供給する電源ｃ、電源ｃをオン、オフする駆動系のそれぞれが、第２の電極ｂを分割する数だけ必要となるので、装置が高価になる。
【０００９】
本発明の目的は、複雑化、大幅なコスト上昇なく、かつプラズマおよび加工の均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるプラズマエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記のような目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング装置の第１の態様によれば、減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからのプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、前記第２の電極の前記耐圧誘電体部材の内表面からの電極距離を、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体の削れ量との部分的な違いに応じて設定したことを１つの特徴としている。
【００１１】
このような構成では、第２の電極の前記耐圧誘電体部材の内表面からの電極距離が耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて設定してあることにより、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを従来通りに被処理物側で均一な密度分布で発生させて均一なプラズマエッチングを行うことを邪魔することなく、第２の電極からのパワーの電極距離に応じた減衰を伴い耐圧誘電体部材の内表面への各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働き、耐圧誘電体部材の内表面の反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。
【００１２】
本発明のプラズマエッチング装置の第２の態様によれば、電極距離は、周辺部よりも中央部を大きくする、あるいは、中央部よりも周辺部を大きくすることを特徴としている。
【００１３】
これにより、耐圧誘電体部材の削れ量が中央部で周辺部よりも大きくなる傾向の場合、あるいは、周辺部で中央部よりも大きくする傾向の場合に対応することができる。
【００１４】
本発明のプラズマエッチング装置の第３の態様によれば、電極距離は、前記耐圧誘電体部材の平坦な内表面と前記第２の電極の立体形態とで設定していることを特徴としている。
【００１５】
これにより、第２の電極のみの立体形状にて、対向する耐圧誘電体部材の内表面に対する反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量とに対応した、電極距離の変化を満足することができる。
【００１６】
本発明のプラズマエッチング装置の第４の態様によれば、前記耐圧誘電体部材の外表面は前記第２の電極の立体形態に沿うか近似した立体形態としてあることを特徴としている。
【００１７】
これにより、耐圧誘電体部材は立体的な第２の電極との間のスペースを利用して、電極距離の大きいところでは小さいところよりも厚みが増大するので、第２の電極からの反応生成物の付着防止を図るパワーを電極距離の大きいところでは小さいところよりも弱められ、第２の電極の立体形状と併せ、反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに対応することができる。また、耐圧誘電体部材は削れ量の大きい部分ほど厚くなるので、そこでの削れが他の部分より大きくなっても耐圧強度が他の部分よりも低下するようなことを防止することができる。
【００１８】
本発明のプラズマエッチング装置の第５の態様によれば、電極距離は、前記第２の電極の平坦な形態と前記耐圧誘電体部材の内表面の立体形態とで設定していることを特徴としている。
【００１９】
これにより、耐圧誘電体部材内表面のみの一体、積層などによる立体形状にて、対向する第２の電極に対する反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに対応した、電極距離の変化を満足して、第２の電極からの反応生成物の付着防止を図るパワーを電極距離の大きいところでは小さいところよりも弱められるし、耐圧誘電体部材の厚みが電極距離の大きなところで小さなところよりも削れに対する許容度を高められる。
【００２０】
本発明のプラズマエッチング装置の第６の態様によれば、前記第２の電極と耐圧誘電体部材の内表面との各対向域における電極距離の差を調整する距離調整手段を有したことを特徴としている。
【００２１】
これにより、プラズマ処理条件によって耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いが一定しないような場合でも、第２の電極と耐圧誘電体部材の内表面との各対向域ごとに、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じた電極距離に調整することができる。
【００２２】
本発明のプラズマエッチング装置の第７の態様によれば、距離調整手段は、第２の電極の部分的な高さを一体のままか、分割体ごとに相対的に変化させることを特徴としている。
【００２３】
これにより、第２の電極の形態によって一体のままか、分割体ごとに部分的な高さを相対変化させて、一定しない反応生成物の耐圧誘電体部材の内表面への付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じた電極距離に調整することができる。
【００２４】
本発明のプラズマエッチング装置の第８の態様によれば、減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極に支持した被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、前記耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも１つを有して、前記第２の電極と前記耐圧誘電体部材との間に補助誘電体部材を配したことを別の特徴としている。
【００２５】
このような構成では、第２の電極と耐圧誘電体部材との間に位置する補助誘電体部材が耐圧誘電体部材の内表面での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに対応した誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも１つによって、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを従来通りに被処理物側で均一な密度分布で発生させての均一なプラズマエッチングを邪魔せず、第２の電極からのパワーを耐圧誘電体部材の内表面における部分的な反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて弱め、耐圧誘電体部材の内表面への各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働くようにするので、耐圧誘電体部材の内表面の反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなることを抑制できる。
【００２６】
本発明のプラズマエッチング装置の第９の態様によれば、補助誘電体部材は、石英、マイカなど材料の違い、補助誘電体部材を設けない空間域の空気を含んだ組み合わせで部分的な誘電率の差を設定してあることを特徴としている。
【００２７】
これにより、部分的な誘電率の差を十分な幅と変化域を持って設定することができる。
【００２８】
本発明のプラズマエッチング装置の第１０の態様によれば、補助誘電体部材は、環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット外周体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断外周体の１つと、この有スリット外周体または分断外周体の内側にそれらと環状の高周波透過部を有して選択配置される無スリット中央体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット中央体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断中央体の１つとの組合わせとして、配置密度の差を設定してあることを特徴としている。
【００２９】
これにより、補助誘電体部材の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。ここで、補助誘電体部材に入れたスリットは、第1の電極からチャンバ内に放射される高周波を透過し、補助誘電体部材にて高周波の透過が妨げられることを防ぐ効果がある。
【００３０】
本発明のプラズマエッチング装置の第１１の態様によれば、減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、前記第２の電極は、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有して設けたことを他の特徴としている。
【００３１】
このような構成では、第２の電極が耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有していることにより、第１の電極により耐圧誘電体部材を介しチャンバ内にプラズマを従来通りに被処理物側で均一な密度分布で発生させて均一なプラズマエッチングを邪魔せず、第２の電極からのパワーを耐圧誘電体部材の内表面における部分的な反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて弱め、耐圧誘電体部材の内表面への各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働くようにするので、耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。また、第２の電極の配置密度設定のために形成される第２の電極が位置しない周方向位置、径方向位置では第１の電極からチャンバ内への高周波の透過により全体での透過効率を高められる。
【００３２】
本発明のプラズマエッチング装置の第１２の態様によれば、第２の電極は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状で中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部を持った外周体およびこの外周体の穴部に環状の高周波透過部となる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した中央体との組み合わせ体、のいずれかで配置密度の差を設定したことを特徴としている。
【００３３】
これにより、第２の電極の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。
【００３４】
本発明のプラズマエッチング装置の第１３の態様によれば、第２の電極は、スリット状の高周波透過部の間に窓状に開口した高周波透過部を有して配置密度の差を設定していることを特徴としている。
【００３５】
これにより、スリット状の高周波透過部の間の窓状に開口した高周波透過部によって第２の電極の周方向での配置密度をさらに弱め、また第１の電極からの高周波のチャンバ内への透過効率を高められる。
【００３６】
本発明のプラズマエッチング装置の第１４の態様によれば、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した単体を第２の電極の選択対象に含んで、第２の電極の高周波透過部は、誘電体で埋めてあることを特徴としている。
【００３７】
これにより、第２の電極に高周波透過部による導体近接部分があっても、そこを埋める誘電体によってエアギャップとはならず導体近接部分間で放電するのを防止することができ、また、この誘電体は補助誘電体の一部として有効である。
【００３８】
そこで、本発明のプラズマエッチング装置の第１５の態様によれば、第２の電極の高周波透過部を埋めている誘電体は、前記耐圧誘電体部材の一部であることを特徴としている。
【００３９】
これにより、第２の電極が耐圧誘電体部材と対面する構成を利用して第２の電極の高周波透過部を誘電体で埋めることが実現し、しかも、第２の電極と耐圧誘電体部材とを一体で取り扱えるし、第２の電極が複数に分割、分断される場合に耐圧誘電体部材により一体に支持できる。また、第８〜第１０の態様の補助誘電体部材を設ける場合はこれを耐圧誘電体部材同様に第２の電極の高周波透過部を埋める誘電体として利用することができる。
【００４０】
本発明のプラズマエッチング装置の第１６の態様によれば、第２の電極は、回転または往復弧回動することを特徴としている。
【００４１】
これにより、第２の電極の配置密度の設定によって周方向に分散して配置される第２の電極部と高周波透過部が、第２の電極の回転または往復弧回動されて、第１の電極からの高周波の透過位置、および第２の電極からのパワーの出力位置を周方向に移動させるので、第１の電極によるチャンバ内でのプラズマの発生と、第２の電極による耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着防止とをより均一にすることができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明のプラズマエッチング装置によれば、プラズマの均一な密度分布による均一なプラズマエッチングを保証しながら、第２の電極を耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の部分的な付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との違いに応じて過不足なく働かせて、耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材の内表面の削れが部分的に多くなり耐圧寿命が早期に低下するようなことがなくなる。また、第２の電極が単体か分割かの違いにかかわらず同一電源から同一の電力を供給してよく、第２の電極の耐圧誘電体部材の内表面からの電極高さ、配置密度、第２の電極のチャンバ側にある誘電体部材の誘電率、厚さ、配置密度に部分的に差を持たせるだけで構造が特に複雑になるようなことはなくコスト上昇の原因にはならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明のプラズマエッチング装置の実施の形態について、図１〜図２６を参照して説明する。しかし、以下の説明は本発明の具体例であって特許請求の範囲の記載の内容を限定するものではない。
【００４４】
本実施の形態のプラズマエッチング装置は、図１に示すように減圧可能で供給口１ａから反応ガス１０を供給して排気ガス２０を排気口１ｂから排気するチャンバ１と、このチャンバ１の内部に設けられ被処理物２を支持する対向電極３と、チャンバ１の隔壁をなす耐圧誘電体部材５の外に設けられチャンバ１内に反応ガス１０からのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、この第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備えている。ここに、第１の電極４は誘導結合コイル（ＩＣＰコイル）であって高周波アンテナをなし、耐圧誘電体部材５を介しチャンバ１内にプラズマ６を発生させ、このプラズマ６が対向電極３上の被処理物２の表面に働くことによってエッチングなどのプラズマ処理を行わせる。また、第２の電極７はファラデーシールド電極（ＦＳ電極）であって、耐圧誘電体部材５の内表面５ａに沿う一様な電界を形成してプラズマ処理時に生じる反応生成物が付着するのを防止する。
【００４５】
このようなプラズマ処理プロセスのために、対向電極３には電源１５から可変コンデンサ１６を介して高周波を供給し、プラズマ６を被処理物２側に働かせるようにする。第１の電極４には電源１１から高周波電力を可変コンデンサ１２を介して供給し、所定のエッチレートでプラズマ処理できるようにする。また、第１の電極４は図１に示すような立体的な配置形態なども含めプラズマ６が被処理物２の表面に一様な分布をもって発生するように調整され、被処理物２の表面が設定したエッチレートにて均一にプラズマ処理されるようにする。なお、高周波は一般に３０ｋＨｚ〜３００ＧＨｚとされるのに対し、プラズマ発生装置に適用される高周波範囲はＨＦと称される３〜３０ＭＨｚ程度の狭い範囲である。第２の電極７には電源１３から可変コンデンサ１４を介して第１の電極４の場合と同様な高周波、あるいはそれ以下の低周波を供給し、可変コンデンサ１４の調整によって耐圧誘電体部材５の内表面５ａに反応生成物が付着するのを防止できる。
【００４６】
なお、ここでは、図１に示すように、第１の電極４には電源１１が、第２の電極７には電源１３が、それぞれ別々に接続されているが、第１の電極４と第２の電極７とを並列に可変チョークまたは可変コンデンサを介して同一高周波電源に接続する構成にしてもよい（図示せず）。または、図２９に示すように、第1の電極４には電源１１を接続し、第２の電極７には可変チョークまたは可変コンデンサを接続し、電源１１から発振された電力を第1の電極４から空気を介して第２の電極７に重畳させ第1の電極４と第２の電極７のそれぞれに印加される電力比を可変チョークまたは可変コンデンサで調整するようにしてもよい。
【００４７】
しかし、既述したように第１の電極４の働きによるプラズマ６の発生は、被処理物２の表面上で一様な分布となるように制御できるが、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの下では中央部では周辺部よりも分布が高くなるといった偏った分布傾向を示す。これに対し、第２の電極７の働きによる耐圧誘電体部材５の内表面５ａに沿って形成する電界の強弱は可変コンデンサ１４で調整できるが、電界の形成状態は耐圧誘電体部材５の内表面５ａに沿う一様なものであるので、このままでは、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでのプラズマ６の働きと電界の働きとのバランスを採ることはできない。このため、反応生成物の部分的な付着や耐圧誘電体部材５の内表面５ａの部分的な削れが生じる。
【００４８】
そこで、本実施の形態では、第２の電極７による耐圧誘電体部材５の内表面５ａの表面に形成する電界の強弱が、第２の電極７の前記耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２に依存する関係から、この電極距離Ｌ２を、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて設定する。このように、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２が耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定してあることにより、第１の電極４により耐圧誘電体部材５を介しチャンバ１内にプラズマを従来通りに被処理物２側で均一な密度分布で発生させて均一なプラズマエッチングを行うことを邪魔することなく、第２の電極７からのパワーの電極距離Ｌ２に応じた減衰を伴い耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて過不足なく働き、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面の削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。
【００４９】
この結果、プラズマ６の均一な密度分布による均一なプラズマエッチングを保証しながら、第２の電極７を耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の部分的な付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて過不足なく働かせて、耐圧誘電体部材５の内表面５ａに反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの削れが部分的に多くなり耐圧寿命が早期に低下するようなことがなくなる。また、第２の電極７が単体か分割かの違いにかかわらず同一電源１３から同一の電力を供給してよく、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２に部分的な差を持たせるだけで構造が特に複雑になるようなことはなくコスト上昇の原因にはならない。
【００５０】
具体的には、図１の例では耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける中央部が周辺部よりも削れ量が多くなる一般傾向に対して、電極距離Ｌ２は、周辺部よりも中央部を大きくすることにより対応している。当然のことながら、耐圧誘電体部材５の周辺部の削れ量が中央部よりも大きくなる場合には、逆に電極距離Ｌ２は、中央部よりも周辺部を大きくすることにより対応することができる。このようにして、反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との差の分布がどのように不均衡でもそれに逆比例する電極距離Ｌ２を設定すれば対応できる。なお、電極距離Ｌ２を第２の電極７と耐圧誘電体部材５の内表面５ａの各対向域で部分的に異ならせることは、図１の例のように第２の電極７の側単独でも、耐圧誘電体部材５の側単独でも、あるいは双方によっても行える。また、第１の電極４も耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ１を中央部から周辺部へ小さくなるように設定して被処理物２の表面上で均一な密度分布を示すようにしている。しかし、これに限定されることはない。
【００５１】
これに対応して、前記耐圧誘電体部材５の外表面５ｂは、図２に示すように第２の電極７の立体形態に沿うか図３の例に示すように積層などして近似した立体形態としておくことができる。これにより、耐圧誘電体部材５は立体的な第２の電極７との間のスペースを利用して、電極距離Ｌ２の大きいところでは小さいところよりも厚みが増大し、図５に示すような誘電体の厚みとエッチレートとの関係から第１の電極４によるプラズマエッチングの均一性の操作に役立てられるのに併せ、第２の電極７による反応生成物の付着防止作用のパワーにも影響して電極距離Ｌ２の大きいところでは小さいところよりも弱められるし、耐圧誘電体部材５の厚みが電極距離Ｌ２の大きなところで小さなところよりも削れに対する耐圧許容度を高められる。
【００５２】
図４に示す例では、電極距離Ｌ２を、第２の電極７の平坦な形態と耐圧誘電体部材５の内表面５ａの立体形態とで設定してあり、図２、図３の耐圧誘電体部材５と同様な働きをして、第２の電極７を平板のままでよいようにしている。もっとも、図２、図３の例の立体的な第２の電極７と図４に示す立体形態の内表面５ａを持った耐圧誘電体部材５との組み合わせによって電極距離Ｌ２の変化を複合的に与えるようにしてもよい。このようにすると、より複雑な電極距離Ｌ２をも設定しやすくなる。また、第２の電極７および耐圧誘電体部材５の必要立体度を軽減しあえる利点もある。
【００５３】
第２の電極７は例えば図６〜図１７に示すように、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて、配置密度の差を有して設けることもできる。このように第２の電極７が付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに対応した配置密度の差を有していることにより、第２の電極７によるパワーが耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて過不足なく働くので、耐圧誘電体部材５の内表面５ａに反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。また、第２の電極７の配置密度設定のために形成される第２の電極７が位置しない周方向位置、径方向位置では第１の電極４からチャンバ１内への高周波の透過により全体での透過効率を高められる。
【００５４】
具体的には、図６の例の第２の電極７は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部７ａと中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部７ｂとを持った単体としてあり、図７、図８、図９に示す各例の第２の電極７は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部７ａと中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部７ｂを持った外周体７ｄおよびこの外周体７ｄの穴部状の高周波透過部７ｂに環状の高周波透過部７ｅとなる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部７ａを有した中央体７ｆとの組み合わせ体としてある。もっとも、このような配置密度の調整には、図１０に示すような中央部を抜いた穴状とし、この穴状部から周辺部に向うスリットによって形成される中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部７ａを持った単体パターンも含まれてもよい。このような第２の電極７の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。また、図１４〜図１６の各例に示すように、第２の電極７におけるスリット状の高周波透過部７ａの間に窓状に開口した高周波透過部７ｇを有して配置密度の差を設定することもでき、スリット状の高周波透過部７ａの間の窓状の高周波透過部７ｇによって第２の電極７の周方向での配置密度をさらに弱め、また第１の電極４からの高周波のチャンバ１内への透過効率を高められる。
【００５５】
特に、図１１〜図１６に示す各例では、既述した各種パターンで形成する高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇを、図１１（ｂ）、図１４（ｂ）に代表して断面を示すように誘電体２１、２２で埋めてある。これにより、第２の電極７に高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇによる導体近接部分があっても、そこを埋める誘電体によってエアギャップとはならず導体近接部分間で放電するのを防止することができる。なお、第２の電極７を複数に分割する場合は、その分割に応じ第２の電極７への電圧の印加を分割してもよい。
【００５６】
ところで、図１７の例、図１８の例に示すねじ２３のような電極距離Ｌ２を調整する距離調整手段を有したものとすることもできる。これにより、プラズマ処理条件によって反応生成物の耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの付着性が一定しないような場合でも、それに対応して部分的に異なる電極距離Ｌ２となるように調整することができる。図１７の例では第２の電極７を既述した分割体タイプとしたものの外周体７ｄと中央体７ｆとを個別のねじ２３、２３にて個別に上下動調節することで、相互の電極距離Ｌ２を相対的に変化させられるようにしている。しかし、配置密度パターンによっては、図１８に示すように外周を固定して内周側をねじ２３により難なく上下動作させられ、これによって中央部から周辺部までの電極距離Ｌ２の関係を相対的に連続して変化させられる。また、図６に示すような配置密度パターンの第２の電極７であれば、図示しないが中央部を固定して周辺部をねじで難なく上下動させられ、これによって中央部から周辺部までの電極距離Ｌ２の関係を相対的に連続して変化させられる。
【００５７】
さらに、第２の電極７は図に矢印でしめすように一方向に回転させるか、または往復弧回動するようにもできる。これにより、第２の電極７の配置密度の設定によって高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇが既述のように周方向に分散して形成されるが、回転または往復弧回動によりその分散位置を移動して高周波の透過位置を周方向に移動させてチャンバ１内でのプラズマ発生、耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの反応生成物の付着防止をより均一にすることができる。
【００５８】
また、図１９〜図２１の各例で代表して示すように、耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて誘電率の差、配置密度の差の少なくとも１つを有して、第２の電極７と前記耐圧誘電体部材５との間に補助誘電体部材３１を配したものとすることができる。このような補助誘電体部材３１の耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、配置密度の差の少なくとも１つによって、第１の電極４により耐圧誘電体部材５を介しチャンバ１内にプラズマ６を従来通りに被処理物２側で均一な密度分布で発生させての均一なプラズマエッチングを邪魔せず、第２の電極７からのパワーを耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける部分的な反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて弱め、耐圧誘電体部材５の内表面５ａへの各部での反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との違いに応じて過不足なく働くようにするので、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを各部において十分に防止し、しかも、耐圧誘電体部材５の内表面５ａの削れが部分的に多くなるようなことがなくなる。
【００５９】
ここで、補助誘電体部材３１は、石英、マイカなど材料の違い、補助誘電体部材３１を設けない空間域の空気層を含んだ組み合わせで部分的な誘電率の差を設定することができる。これにより、部分的な誘電率の差を十分な幅と変化域を持って設定することができる。
【００６０】
具体的には、マイカの誘電率は７．０ｋε、石英のそれは３．８ｋε、空気のそれは１．０００５４ｋεである。このような差を利用して図１９に示す例では、補助誘電体部材３１を外周体３１ａとその内側に環状の高周波透過部３１ｂを持って配置した中央体３１ｃとにおいて、外周体３１ａを石英とし、中央体３１ｃをマイカとしてある。これにより、容量結合上プラズマ６の耐圧誘電体部材５側での密度分布を中央部で低くし、耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける中央部の削れを防止するのに好適である。図２０の例では外周体３１ａを省略した空気層、中央体３１ｃをマイカとした組み合わせにおいて、プラズマ６の中央部での密度分布をより抑えられるようにしている。図２１に示す例では、マイカよりなる外周体３１ａと中央体３１ｃを省略した空気層との組み合わせによって、図１９、図２０での例とは逆にプラズマ６の周辺部での密度分布を中央部よりも低くして、耐圧誘電体部材５の内表面５ａにおける周辺部での削れを抑えるのに好適となる。
【００６１】
なお、補助誘電体部材３１が第１の電極４からの高周波の透過を邪魔したくない条件設定では、第２の電極７と共に同じパターンの高周波透過部３１ｂを持つのが好適となる。そこで、よりよくは、既述したような誘電体２１、２２のない図８、図９に示す例の外周体７ｄと中央体７ｆとを持った第２の電極７との組み合わせがよく、それらの高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇに見合った配置密度パターンの補助誘電体部材３１とすればよい。従って、図２２、図２３に示すような環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部３１ｄを持った有スリット外周体３１ａ、スリット状の高周波透過部３１ｄを有して周方向に分断された分断外周体３１ａ、この有スリット外周体３１ａまたは分断外周体３１ａの内側にそれらと既述した環状の高周波透過部３１ｂを有して選択配置される図２２、図２５に示すような無スリット中央体３１ｃ、図２３、図２６に示すような外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部３１ｄを持った有スリット中央体３１ｃ、図２４、図２６に示すようなスリット状の高周波透過部３１ｄを有して周方向に分断された分断中央体３１ｃの１つとの組合わせとして、配置密度の差を設定すればよい。これにより、補助誘電体部材３１の周方向、径方向での多様な配置態様を選択して部分的な配置密度の差を多様に設定することができる。
【００６２】
ここで、第２の電極７の既述した高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇを埋めている図１１〜図１６に示す誘電体２１、２２は、前記耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１の一部とすることができる。従って、第２の電極７が耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１と対面する構成を利用して第２の電極７の高周波透過部７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇを誘電体２１、２２で埋めることが実現でき、しかも、第２の電極７と耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１とを一体で取り扱えるし、第２の電極７が複数に分割、分断される場合に耐圧誘電体部材５や補助誘電体部材３１により一体に支持できる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明はプラズマ用の電極と反応生成物の付着防止電極とを用いるプラズマエッチング装置において、均一なプラズマエッチング、付着防止を損なわないで、耐圧誘電体部材の内表面が部分的に削れるようなことを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の１つの例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の別の例を示す要部の断面図である。
【図３】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の他の例を示す要部の断面図である。
【図４】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の今１つの例を示す要部の断面図である。
【図５】誘電体の厚みとエッチレートとの関係を示すグラフである。
【図６】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の１つの例を示す平面図である。
【図７】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１の例を示す平面図である。
【図８】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第２の例を示す平面図である。
【図９】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第３の例を示す平面図である。
【図１０】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第４の例を示す平面図である。
【図１１】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第５の例を示す平面図である。
【図１２】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第６の例を示す平面図である。
【図１３】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第７の例を示す平面図である。
【図１４】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第８の例を示す平面図である。
【図１５】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第９の例を示す平面図である。
【図１６】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１０の例を示す平面図である。
【図１７】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１１の例を示す平面図である。
【図１８】図１〜図４に示す装置に適用される第２の電極の第１２の例を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成のさらに１つの例を示す要部の断面図である。
【図２０】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成のさらに別の例を示す要部の断面図である。
【図２１】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成のさらに他の例を示す要部の断面図である。
【図２２】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第１の例を示す平面図である。
【図２３】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第２の例を示す平面図である。
【図２４】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第３の例を示す平面図である。
【図２５】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第４の例を示す平面図である。
【図２６】図１９〜図２１に示す装置に適用される補助誘電体部材の第５の例を示す平面図である。
【図２７】従来のプラズマエッチング装置の概略構成例を示す断面図である。
【図２８】従来の装置でのプラズマ発生状態、反応生成物付着状態、耐圧誘電体部材の削れ状態を示す説明図である。
【図２９】本発明に係る実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成の第２の電極への電力印加方法の他の例を示す要部の断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１ チャンバ
２ 被処理物
３ 対向電極
４ 第１の電極
５ 耐圧誘電体部材
５ａ 内表面
５ｂ 外表面
６ プラズマ
７ 第２の電極
７ａ、７ｂ、７ｅ、７ｇ 高周波透過部
７ｄ 外周体
７ｆ 中央体
１１、１３、１５ 電源
１２、１４、１６ 可変コンデンサ
２１、２２ 誘電体
２３ ねじ
３１ 補助誘電体部材
３１ａ 外周体
３１ｃ 中央体
３１ｂ、３１ｄ 高周波透過部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからのプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記第２の電極の前記耐圧誘電体部材の内表面からの電極距離を、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体の削れ量との部分的な違いに応じて設定したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
電極距離は、周辺部よりも中央部を大きくする、あるいは、中央部よりも周辺部を大きくする請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
電極距離は、前記耐圧誘電体部材の平坦な内表面と前記第２の電極の立体形態とにより設定している請求項１、２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記耐圧誘電体部材の外表面は前記第２の電極の立体形態に沿うか近似した立体形態としてある請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
電極距離は、前記第２の電極の平坦な形態と前記耐圧誘電体部材の内表面の立体形態とで設定している請求項１、２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記第２の電極と耐圧誘電体部材の内表面との各対向域における電極距離の差を調整する距離調整手段を有している請求項１、２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項７】
距離調整手段は、第２の電極の部分的な高さを一体のままか、分割体ごとに相対的に変化させる請求項６に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項８】
減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極に支持した被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも１つを有して、前記第２の電極と前記耐圧誘電体部材との間に補助誘電体部材を配したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項９】
補助誘電体部材は、石英、マイカなど材料の違い、補助誘電体部材を設けない空間域の空気を含んで誘電率の差を設定してある請求項８に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１０】
補助誘電体部材は、環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット外周体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断外周体の１つと、この有スリット外周体または分断外周体の内側にそれらと環状の高周波透過部を有して選択配置される無スリット中央体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット中央体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断中央体の１つとの組合わせとして、配置密度の差を設定してある請求項８、９のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１１】
減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記第２の電極は、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有して設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１２】
第２の電極は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状で中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部を持った外周体およびこの外周体の穴部に環状の高周波透過部となる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した中央体との組み合わせ体、のいずれかで配置密度の差を設定してある請求項１１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１３】
第２の電極は、スリット状の高周波透過部の間に窓状に開口した高周波透過部を有して配置密度の差を設定している請求項１２に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１４】
外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した単体を第２の電極の選択対象に含んで、第２の電極の高周波透過部は、誘電体で埋めてある請求項１２、１３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１５】
第２の電極の高周波透過部を埋めている誘電体は、前記耐圧誘電体部材の一部である請求項１４に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１６】
第２の電極は、回転または往復弧回動する請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１】
減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからのプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記第２の電極の前記耐圧誘電体部材の内表面からの電極距離を、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体の削れ量との部分的な違いに応じて設定したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
電極距離は、周辺部よりも中央部を大きくする、あるいは、中央部よりも周辺部を大きくする請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
電極距離は、前記耐圧誘電体部材の平坦な内表面と前記第２の電極の立体形態とにより設定している請求項１、２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記耐圧誘電体部材の外表面は前記第２の電極の立体形態に沿うか近似した立体形態としてある請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
電極距離は、前記第２の電極の平坦な形態と前記耐圧誘電体部材の内表面の立体形態とで設定している請求項１、２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記第２の電極と耐圧誘電体部材の内表面との各対向域における電極距離の差を調整する距離調整手段を有している請求項１、２のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項７】
距離調整手段は、第２の電極の部分的な高さを一体のままか、分割体ごとに相対的に変化させる請求項６に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項８】
減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極に支持した被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも１つを有して、前記第２の電極と前記耐圧誘電体部材との間に補助誘電体部材を配したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項９】
補助誘電体部材は、石英、マイカなど材料の違い、補助誘電体部材を設けない空間域の空気を含んで誘電率の差を設定してある請求項８に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１０】
補助誘電体部材は、環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット外周体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断外周体の１つと、この有スリット外周体または分断外周体の内側にそれらと環状の高周波透過部を有して選択配置される無スリット中央体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット中央体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断中央体の１つとの組合わせとして、配置密度の差を設定してある請求項８、９のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１１】
減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極にて支持される被処理物をエッチングする第１の電極と、この第１の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記第２の電極は、耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有して設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１２】
第２の電極は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状で中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部を持った外周体およびこの外周体の穴部に環状の高周波透過部となる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した中央体との組み合わせ体、のいずれかで配置密度の差を設定してある請求項１１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１３】
第２の電極は、スリット状の高周波透過部の間に窓状に開口した高周波透過部を有して配置密度の差を設定している請求項１２に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１４】
外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した単体を第２の電極の選択対象に含んで、第２の電極の高周波透過部は、誘電体で埋めてある請求項１２、１３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１５】
第２の電極の高周波透過部を埋めている誘電体は、前記耐圧誘電体部材の一部である請求項１４に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１６】
第２の電極は、回転または往復弧回動する請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【公開番号】特開２００８−１３０６５１（Ｐ２００８−１３０６５１Ａ）
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１１３８３（Ｐ２００６−３１１３８３）
【出願日】平成１８年１１月１７日（２００６．１１．１７）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月１７日（２００６．１１．１７）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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