【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理空間からの排気を均一に行う。
【解決手段】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバ２と、その壁を貫通する開口２ａに対して外側から吸引口５１ａが連通接続された真空ポンプ５０と、プラズマ処理空間に臨んで基板を乗載可能な基板支持体１２とを備えたプラズマ処理装置において、真空ポンプ５０を介して真空チャンバに基板支持体１２を固設する。また、その支持脚１２ａが、開口２ａの中央を通り、真空ポンプ５０の支軸５２を兼ねるようにする。さらに、その支軸５２を中空の杆体にする。これにより、プラズマ処理空間から開口に至る排気路が基板支持体の周りで同じになるうえ、その開口のところでも同一性が維持されて、排気が均一になる。コンパクトな装置にもなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜除去後の基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる基板の再生方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、マスクブランクまたは転写用マスクの薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することにより、基板を再生する。 （もっと読む）

本発明は、微粒子化の低減を示すプラズマエッチング耐性層で基板をコーティングする方法であって、基板にコーティング層を適用するステップを含む方法を含み、コーティング層は、約２０ミクロン以下の厚さを有し、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まない。［００６２］記載される方法によって調製されるコーティングされた基板。また、本発明には、フッ素ベースの半導体ウエハー処理プロトコルで構造要素として使用するためのコーティングされた基板も含まれ、コーティングは、約２０ミクロン以下の厚さを有するコーティング層であり、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まず、微粒子化の低減を示す。
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【課題】既存のコーティングを除去する領域の幅を場合毎に望ましい寸法に調整できるようにする方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板（４）のコーティングした面に向けられたプラズマの助けによって、コーティング、特に金属含有コーティングを備える基板（４）の一部の範囲、特に周辺ゾーン（１１）で層を除去する。プラズマヘッド（１０）を基板（４）に対してしかるべく位置合わせすること、及び／または対応する必要な数のプラズマヘッド（１０）を動作させて、１列の互いに隣接して配置したいくつかのプラズマヘッド（１０）または修正可能な断面を有する１つのプラズマヘッドから、望ましい層除去幅でプラズマを基板に向けることによって、層を除去するゾーン（１１）の幅を調整すればよい。層の厚さ全体にわたるコーティングを部分的にだけ除去することも可能である。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。
【解決手段】基板ホルダ上への前記基板の搬送経路を構成する開口部を有し、前記基板ホルダの周囲に設置される固定シールド部、及び前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部が、いずれもアースに落とされた状態で前記酸化膜のエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 効率的で安定したイオンビームを用いた圧電振動子の周波数調整装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 周波数調整装置は、真空室１と、真空室内に設けられた斜めに配置されたイオンガン２と、水晶振動子３と、水晶振動子を搭載するパレット４と、パレット４を搬送する搬送機構と、捕捉体２４を有し、真空室外部には周波数測定部６や真空ポンプ７あるいは不活性ガス供給部２３等を有する構成である。イオンガンの複数のグリッド開口２０ａは全体として略菱形状に配置された構成で、各グリッド開口２０ａはその平面形状が楕円形状となっている。 （もっと読む）

【課題】被加工物に対するガスクラスターイオンビームの照射位置を相対的に変化させながら加工する際における被加工物の加工精度を向上させる。
【解決手段】ノズル５から噴出するガス流から、タングステンフィラメント７、引出し電極８、加速電極９を用いてガスクラスターイオンビーム１０形成し、アパーチャ２２を介して姿勢制御装置１３に保持された被加工物２１に照射して微細加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置１００において、加工中に、ガスクラスターイオンビーム１０が出射される加速電極９から被加工物２１の加工点に至る距離Ｌ（ガスクラスターイオンビーム１０の飛程）を一定の距離Ｌ０に制御して、ガスクラスターイオンビーム１０の飛程のばらつきに起因する加工量のばらつきを抑止し、被加工物２１の高精度の加工を実現する。 （もっと読む）

【課題】切削加工された被加工物の加工面に発生した虹目等の凹凸を、切削加工で創成した形状の悪化や損傷を生じることなく、一様に除去できる固体除去技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム１０の照射経路上に、被加工物１１が載置される回転ステージ１２、この回転ステージ１２が載置されたＸ軸ステージ１３およびＹ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１４が載置されるブラケット１５、ブラケット１５が載置される揺動ステージ１６、揺動ステージ１６を支持するベース１７を備える加工ステージ３０を設け、被加工物１１の加工面の加工後の表面荒さを加工前の表面粗さよりも悪化させない範囲に、被加工物１１の加工面に対するガスクラスターイオンビーム１０の照射角度が保たれるように被加工物１１の姿勢を制御しつつ、被加工物１１の加工面に存在する条痕による虹目を除去する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリング及び載置台の間の熱伝達効率を十分に改善することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されるサセプタ１２と、サセプタ１２の上部に配置され且つウエハＷを載置する静電チャック２２と、載置されたウエハＷの周縁部を囲うように静電チャック２２に載置されるフォーカスリング２４とを備え、フォーカスリング２４における静電チャック２２との接触面２４ａに、印刷処理によって樹脂からなる熱伝達膜３９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内において、マスクを介してガスプラズマを用いて被処理基板を処理するプラズマ処理方法において、側壁保護膜の付着量を適正化し、該適正化された付着量を被処理基板の中央と端部との間で等しくし、側壁保護膜の面内均一性を維持しながらプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の表裏両面の記録層に凹凸パターンを効率良く形成する。
【解決手段】被エッチング基板を保持する凹部と該凹部真下に形成された貫通孔とを備えた絶縁体部材と、当該貫通孔に係合する凸部を備えた導電体部材とを備え、前記凹部に前記被エッチング基板が載置された状態で前記凸部表面と該基板底面との間に隙間部が形成されており、該隙間部の厚さが０.０５ｍｍ以上１ｍｍ以下、かつ、該絶縁体部材の厚さが１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であることを特徴とする基板ホルダを用い処理を行う。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象膜、特にシリコン含有膜上に形成されたタングステン含有膜を、高温にすることなく、良好な形状性および下地に対する高い選択比を確保しつつエッチングすること。
【解決手段】下地膜上にエッチング対象膜が形成された被処理体を収容する処理容器１と、処理容器１内に主エッチングガスと窒素含有ガスとを導入するガス導入機構５１と、処理容器１内にプラズマを生成するプラズマ生成機構３９，３１と処理容器１内に形成されたプラズマの発光スペクトルを検出する発光スペクトル検出機構７０，７１と、プラズマの発光スペクトルから求められるＮ_２^＋の強度とＮ_２の強度との比Ｎ_２^＋／Ｎ_２が０．６以上となるようにプラズマ生成条件を設定する制御部７７とを具備する。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑え、異常放電によるワークへのダメージを抑えることのできる真空処理装置の静電吸着テーブルおよびワーク処理方法を提供する。
【解決手段】貫通孔Ｗａを有する導電性のワークＷがセットされる真空処理装置１の静電吸着テーブル６４において、上部に静電吸着機構７０を組み込んだテーブル本体６４ａと、テーブル本体６４ａの上面に敷設され、絶縁性材料および半導体材料のいずれかで構成された保護シートＳと、を有している。 （もっと読む）

本発明は、真空室２内で金属帯４を真空エッチングするマグネトロンスパッタリング方法に関し、前記帯は、対極５に対向する支持体ローラ３上で搬送される。本発明の方法は、金属帯４に近い気体中に、前記帯４に作用するラジカルおよび／またはイオンを発生するようにプラズマを生成することと、様々な固定幅を有する一連の少なくとも２つの閉じた磁気回路７から、金属帯４のそれと基本的に等しい幅を有する少なくとも１つの閉じた磁気回路７を選択することと、その後に、選択された磁気回路７を磁気帯４に対向して配置するために、それを搬送することと、移動する金属帯４をエッチングすることとに存する。本発明は、前記方法を実現するエッチング装置１にも関する。
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【課題】基板の冷却、加熱による温度管理を容易に行うことができ、かつエッチング装置をエッチングしてしまうのも防止でき、さらには基板の取扱いも容易になる基板のドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】熱伝導性フィラーを添加したグリース３を介在させることにより支持体２と基板１とを固定する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１を前記支持体２から分離させる工程とを備えたものである。 （もっと読む）