【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物２０と加工電極４とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物２０の複数の凹面３１〜３６の基準面２２からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極４の走査方向に連続する近似曲線Ｃを作成する工程と、この近似曲線Ｃから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Ｃに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極４の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面２２からの厚さを均一化できる。 （もっと読む）

本発明は、微粒子化の低減を示すプラズマエッチング耐性層で基板をコーティングする方法であって、基板にコーティング層を適用するステップを含む方法を含み、コーティング層は、約２０ミクロン以下の厚さを有し、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まない。［００６２］記載される方法によって調製されるコーティングされた基板。また、本発明には、フッ素ベースの半導体ウエハー処理プロトコルで構造要素として使用するためのコーティングされた基板も含まれ、コーティングは、約２０ミクロン以下の厚さを有するコーティング層であり、ある時間にわたってフッ素ベースのプラズマに曝露された後のコーティング層は、コーティング層の断面に広がるいかなるクラックまたは亀裂も実質的に含まず、微粒子化の低減を示す。
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【課題】エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。
【解決手段】基板ホルダ上への前記基板の搬送経路を構成する開口部を有し、前記基板ホルダの周囲に設置される固定シールド部、及び前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部が、いずれもアースに落とされた状態で前記酸化膜のエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】大型基板を均一にエッチング処理できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ラジカル生成室３の内部に、プラズマ形成装置１２を突き出させ、プラズマ形成装置１２の内側ドーム２４と外側ドーム２６との間にエッチングガスを導入し、内側ドーム２４の内側に配置したアンテナ２５から９１５ＭＨｚのマイクロ波を照射し、プラズマ化して外側ドーム２６の小孔２７から放出させ、ラジカル形成室３の内部でエッチングガスのラジカルを生成し、エッチング室４に導入し、処理対象物２２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板近傍の高周波電力を計測する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、プラズマにより基板Ｇに所望の処理を施す処理容器１００と、処理容器１００の内部に設けられ、基板Ｇを載置するサセプタ１０６（載置台）と、載置台の内部に埋設された給電部１０８と、給電部１０８に接続され、高周波電力を印加する高周波電源１１２とを有する。給電部１０８には、給電部１０８と高周波電源１１２とを接続する電源線１１４のうち処理容器１００の内部に位置する電源線１１４間または給電部１０８の一部または全部に設けられ、シース容量の１０倍以下の容量を有するコンデンサ１０８ａが設けられている。計測手段２０は、プローブ１４２ａ、１４２ｂに接続されたコンデンサ１０８ａの両極の電圧Ｖ_１、Ｖ_２をオシロスコープ１４４ａ、１４４ｂにて計測する。これにより、基板直下の電力を計測することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は容量的結合型プラズマチェンバー、シャワーヘッドの構造、製造方法並びに新たに再生リサイクルする方法を提案するものである。
【解決手段】 前記シャワーヘッドは低抵抗値を有数する本体層とその表面上にコーティングされたシリコンカーバイド層から構成される。前記シャワーヘッドはＲＦエネルギーを効率よくプラズマ中で容量的結合させることができる。本発明はまたシャワーヘッドの製作方法を提供して微塵粒子の発生を顕著に減らすことができる。このほか、本発明はシャワーヘッドを再生リサイクルする方法を別途提供し、ユーザーの利用コストを大幅に節減させることができる。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】大口径ウエハーに対しても均一なプラズマ処理を行うことができ、かつＩＣＰコイルが配設される天板の内壁面への反応生成物の付着を防止し、パーティクルの発生を防止できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ＩＣＰコイルを構成する複数のコイル３１、３２、３３が、ウエハー２１加工面と対向する位置に設けられたチャンバー１１の天板３０に配設されている。複数のコイル３１、３２、３３の間には、隣接するコイル間で各コイルが生成する電磁界の相互干渉を軽減する空間３７、３８、３９が設けられている。空間３７、３８、３９に対応する天板３０の外壁には、天板３０を介してチャンバー１１内のプラズマと容量結合するファラデーシールド電極１４、１５、１６が配置されている。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【解決手段】ハロゲン系ガス雰囲気又はハロゲン系ガスプラズマ雰囲気に曝される耐食性部材であって、基材表面に複数の材料を被覆させてなり、その被覆層の最表面が希土類元素のフッ化物であり、その下に気孔率が５％未満の希土類元素の酸化物層を有することを特徴とする耐食性部材。
【効果】本発明の耐食性部材は、ハロゲン系腐食性ガス、あるいは、そのプラズマに対しての耐食性を向上させ、半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置に用いた際のプラズマエッチングによるパーティクル汚染を抑制することができる。また、洗浄による部材損傷を抑制できるため、部材の高寿命が可能である。そのため、高品質製品を長期的かつ効率的に生産することができる。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力下において、フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行う場合に、このプラズマ処理後のガスを回収し、この回収ガスに含まれるフッ素含有化合物ガスを再利用することにより、処理ガスの総使用量を削減することができる放電プラズマ処理装置及びその処理方法を提供する。
【解決手段】対向した一対の電極の間に、フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスを流すと共にプラズマを発生させて基板の表面処理を行う放電プラズマ処理装置１であって、放電プラズマ処理装置１は、前記電極間に前記処理ガスを供給するガス供給手段３０と、プラズマ処理後の処理ガスを回収すると共に該回収したガスから前記フッ素含有化合物ガスを抽出するガス抽出手段２０とを備え、ガス抽出手段２０は、前記抽出したガスをガス供給手段３０に流すべく接続されてなる。 （もっと読む）

【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）

【課題】 大面積の被処理物用のプラズマ処理装置において、電極のクーロン力による撓み量を低減するとともに表面処理の均一性を確保する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極構造３０は、左右にそれぞれ延びるとともに前後に互いに対峙する一対の電極列３１，３２からなる。各電極列は、左右に並べられた複数の電極部材にて構成され、左右方向の実質的に同じ位置に配置された一方の電極列と他方の電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの対向面の間に列間部分隙間３３ａを形成している。導入口２１における隣り合う列間部分３３ａ，３３ａどうしの境に対応する部位２１ｂには、処理ガス流を渦流にする渦形成部材５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜形成に用いるプラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等の成膜時に防着板の内壁及び基板支持手段等の表面に付着、堆積した薄膜や微粒子などの副生成物を確実に、かつ簡易に除去することを課題としている。
【解決手段】真空容器の内壁面の要部を覆うように電気的に絶縁された防着板を設け、該防着板で囲まれた真空容器内部に基板支持手段を有するプラズマ成膜装置において、所定の反応性ガスを導入し、前記基板支持手段に高周波電力を印加して防着板内に前記所定の反応性ガスの放電プラズマを発生させ、前記防着板に正又は負のバイアス電圧を印加して、防着板の内壁面及び基板支持手段等の表面に付着した堆積物をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】
従来から用いられているガラス、石英、ステンレス、アルミナなどのセラミックスでは、エッチングで表面性状が変化したり、腐食によってパーティクルが発生し、コンタミネーションの原因となっていた。
【解決手段】
ハロゲン系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される耐食性部材における少なくとも前記腐食ガスやプラズマに直接接触する部位が、該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物からなる焼結体または単結晶からなるか、もしくは前記ガスおよび／またはプラズマとの反応によって該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属或いはその化合物からなる焼結体または単結晶からなり、且つ前記腐食ガス及びプラズマとの反応によって前記使用温度よりも低融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属あるいはその化合物の含有量が金属換算で１重量％以下とする。 （もっと読む）

【課題】他の部位にダメージを与える事なくプラズマ洗浄を実施できるとともに、設計変更や多品種少量生産に容易に対応する事が可能なプラズマ洗浄装置及び方法を提供すること。
【解決手段】開口部１３が設けられたマスク１０をアクチュエータ１６により移動可能としておく。この状態でマスク１０の開口部を部品４に設けられた金属接合部上に位置決めし、プラズマコントローラ１７により第２電極７からと第１電極６に向けてプラズマイオンを照射する。これにより開口部１３を介して金属接合部にプラズマイオンが照射される。別の金属接合部にプラズマイオンを照射する場合には、マスクコントローラ１８によりアクチュエータ１６を制御してマスク１０を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにする。
【解決手段】 ソース部１は、中性ビームであるガスクラスターイオンビーム１０を生成する。タングステンフィラメント６は、ガスクラスターイオンビーム１０をイオン化させて自由曲面成形型１２の表面に向かって照射させる。Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３は、ガスクラスターイオンビーム１０が照射される自由曲面成形型１２の表面位置を移動させる。制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板２０の大型化に拘わらず、均一なプラズマ処理を可能とする。
【解決手段】プラズマプロセス装置は、被処理基板２０が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部１１，１５と、被処理基板２０の被処理面２０ａに処理ガスを供給するガス供給部１０とを備え、ガス供給部１０の処理ガスを被処理基板２０の被処理面２０ａへ供給した状態で、プラズマ放電発生部１１，１５によってプラズマを発生させることにより、被処理基板２０にプラズマ処理を施すようになっている。さらに、被処理基板２０の外形に沿って被処理基板２０を囲むように設けられ、被処理基板２０の被処理面２０ａよりも高い頂面を有するブロック１４と、ブロック１４により囲まれた領域の隅部に設けられ、ガス供給部１０により供給された処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材１８とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、第１の清浄化領域（２０６）内にある表面（２１８）のレーザアブレーションの方法に関し、前記アブレーションは、キャビティ（２０４）に電磁放射を供給するための励起手段（２０２）に関連付けられたキャビティ（２０４）によって放射されるレーザビーム（２１６）を使用する。本発明の方法は、キャビティ（２０４）が、電磁放射を伝送する光ファイバ（２１０）によって励起手段（２０２）と関連付けられ、励起手段（２０２）が上述の清浄化領域（２０６）の外側に維持されるようになることを特徴とする。本発明によれば、前記ファイバ内で励起放射の波長はわずかに減衰され、ファイバは１０ｍより長い。
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