【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に凹部を有する場合においても、ドライエッチング加工における面内のエッチングレートを制御し、パターン精度に優れたテンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、真空容器と、電極と、調整体と、を含むテンプレートの製造装置が提供される。前記真空容器は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。前記真空容器は、反応性ガスの導入口と排気口とを有する。前記電極は、前記真空容器の内部に設けられ、高周波電圧が印加される。前記調整体は、絶縁体を主成分とする。前記調整体は、前記電極の上に載置される基板の前記電極の側の面に設けられた凹部に挿入される。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより、強誘電体層のテーパー角を７０°以上に加工し、かつ側壁にエッチング生成物が付着しない圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に下部電極膜１２と強誘電体層１３と上部電極膜１４がこの順に積層された処理対象物上に有機物からなるレジスト１５を配置する。化学構造中にハロゲン元素を含むガス（ただし、Ｃｌ₂は除く）と希ガスとの混合ガスをプラズマ化し、レジスト１５と処理対象物２１に接触させ、また処理対象物２１下の電極にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンを入射させ、異方性エッチングする。エッチングされた側面のテーパー角度は７０°以上に形成され、側面にエッチング生成物は付着しない。 （もっと読む）

【課題】基準面からの凹面の厚さを均一化する加工方法を提供する。
【解決手段】ラジカル反応による無歪精密加工方法は、複数の凹面が形成された被加工物２０と加工電極４とを相対的に走査させて、被加工物をラジカル反応により加工する方法であって、被加工物２０の複数の凹面３１〜３６の基準面２２からの厚さを被加工面のほぼ中央の座標位置でそれぞれ個別に測定する工程と、これらの測定値を複数の凹面毎に加工電極４の走査方向に連続する近似曲線Ｃを作成する工程と、この近似曲線Ｃから厚さの最小値を算出する工程と、近似曲線Ｃに基づき任意の座標位置の基準面から厚さを算出し、任意の座標位置の基準面から厚さと最小値との差を加工量として算出する工程と、加工量に基づき、加工電極４の走査速度を算出する工程と、を有し、走査速度に基づき加工時間を制御する。このような加工方法によれば、複数の凹面の基準面２２からの厚さを均一化できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】製造工程数及び製造コストを削減しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１上にＴｉを主成分とする密着層２を形成する工程と、密着層２上にＷを主成分とする導電層３を形成する工程と、導電層３上にＳｉＯＮを主成分とするハードマスク層４を形成する工程と、ハードマスク層４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を保護膜とするエッチング処理により導電層３の一部３ａを露出させる工程と、レジストパターン５及びハードマスク層４の残部４ａを保護膜とするエッチング処理により密着層２の一部２ａを露出させる工程と、その後、エッチング処理により下地層１の一部１ａを露出させると共に、導電層３の残部３ｂを露出させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】局所加工ツールによる加工時間と加工量の相関が一意に定まらない場合でも、高精度で高速な加工が可能な形状加工方法を提供する。
【解決手段】各加工点Ｐ_ｉにおける局所加工ツールによる加工量を加工中に逐次測定し、加工量の時間変化を推定して、加工点間の移動時に加工される加工量Ｖ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ}およびＶ_{ｉ，ｉ＋１，ｉ＋１}を計算する。このように計算により求めた移動中の加工量と、現加工点における加工量Ｖ_ｉとの和が、現加工点Ｐ_ｉの所望加工量Ｖ_ｉ，ｆ以上となった時に、次の加工点Ｐ_ｉ＋１への局所加工ツールの移動を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。
【解決手段】基板１１上に、絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 （もっと読む）

マスクパターンを基板上に形成した後にエッチングプロセスによって所望のパターンを形成するように前記基板を処理する方法は、前記基板上に2つの層を形成する工程、前記マスクパターン又は前記2つの層のうちの1層のエッチングパターンの幅を測定する工程、並びに、前記の測定された幅に基づいて、前記エッチングプロセスにおいて用いられるHBr及び他の気体のうちのいずれか1つの流速を調節する工程を有する。前記2つの層は、シリコン窒化物層及び有機誘電層を有して良い。
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【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板を均一にエッチング処理できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ラジカル生成室３の内部に、プラズマ形成装置１２を突き出させ、プラズマ形成装置１２の内側ドーム２４と外側ドーム２６との間にエッチングガスを導入し、内側ドーム２４の内側に配置したアンテナ２５から９１５ＭＨｚのマイクロ波を照射し、プラズマ化して外側ドーム２６の小孔２７から放出させ、ラジカル形成室３の内部でエッチングガスのラジカルを生成し、エッチング室４に導入し、処理対象物２２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】主磁極を従来よりも微細にすることができる磁性材料の加工方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に、磁性材料を有する磁性体層３１を形成し、磁性体層３１の上に、塩化された状態での沸点が磁性材料の塩化物の沸点に比べて高い金属を含むマスク３５を形成し、塩素系ガスとの化学反応を含むドライエッチング法によりマスク３５から露出している領域の磁性体層３１をエッチングする工程により、磁気ヘッドの磁極を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 干渉波形の特定位相に歪みがあっても歪みの影響を抑制してエッチング深さを精度良く検出することができるエッチング深さの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング深さの検出方法は、半導体ウエハＷに光を照射し、その反射光を用いてエッチング深さを検出する方法において、半導体ウエハＷに光を照射する工程と、被エッチング層Ｅの上面及び被エッチング部Ｅ’の表面からの反射光により周期変動する干渉光を検出する工程と、干渉波形の時刻ｔから（ｔ＋Δｔ）の時間毎の検出データに対して周波数解析を行うことにより周波数ω（ｔ）を求める周波数解析工程と、周波数ω（ｔ）を用いてエッチング速度Ｅ（ｔ）を算出するエッチング速度算出工程と、エッチング速度Ｅ（ｔ）を時間積分してエッチング深さを求める工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム加工において、被加工物における目的の品質を確実に得る。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム９を被加工物１１に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、相対走査速度と照射ドーズ量との関係ｆ１、被加工物１１の回転軸からの距離と照射ドーズ量との関係ｆ２、表面粗さや形状精度等の品質に影響するパラメータと照射ドーズ量との関係ｆ３，ｆ４，ｆ５，ｆ６を予め測定して記憶しておき、被加工物１１に要求される品質と、関係ｆ１から関係ｆ６とに基づいて被加工物１１に対するガスクラスターイオンビーム９の相対走査速度を決定し、この相対走査速度によるガスクラスターイオンビーム９の照射によって被加工物１１の加工を行うことで、被加工物１１に目的の品質を実現する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を粗面化することなく、ガスクラスターイオンビームの照射による所望の照射痕を得る。
【解決手段】ソース部１およびフィラメント６で生成されたガスクラスターイオンビーム８を加速電極７で加速して被加工物９に照射するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、加速電極７の出射口と被加工物９との間に荷電粒子レンズ１１を配置し、この荷電粒子レンズ１１に設けられ、ガスクラスターイオンビーム８が通過する開口部の形状、および荷電粒子レンズ１１と被加工物９との距離の少なくとも一方を制御することで、荷電粒子レンズ１１の開口部を通過したガスクラスターイオンビーム８を選択的に被加工物９に照射して、被加工物９を粗面化することなく、所望の形状の照射痕を形成する。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 効率的で安定したイオンビームを用いた圧電振動子の周波数調整装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 周波数調整装置は、真空室１と、真空室内に設けられた斜めに配置されたイオンガン２と、水晶振動子３と、水晶振動子を搭載するパレット４と、パレット４を搬送する搬送機構と、捕捉体２４を有し、真空室外部には周波数測定部６や真空ポンプ７あるいは不活性ガス供給部２３等を有する構成である。イオンガンの複数のグリッド開口２０ａは全体として略菱形状に配置された構成で、各グリッド開口２０ａはその平面形状が楕円形状となっている。 （もっと読む）

【課題】被加工物に対するガスクラスターイオンビームの照射位置を相対的に変化させながら加工する際における被加工物の加工精度を向上させる。
【解決手段】ノズル５から噴出するガス流から、タングステンフィラメント７、引出し電極８、加速電極９を用いてガスクラスターイオンビーム１０形成し、アパーチャ２２を介して姿勢制御装置１３に保持された被加工物２１に照射して微細加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置１００において、加工中に、ガスクラスターイオンビーム１０が出射される加速電極９から被加工物２１の加工点に至る距離Ｌ（ガスクラスターイオンビーム１０の飛程）を一定の距離Ｌ０に制御して、ガスクラスターイオンビーム１０の飛程のばらつきに起因する加工量のばらつきを抑止し、被加工物２１の高精度の加工を実現する。 （もっと読む）

【課題】精度よく微細な加工を行うことができる被加工体の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る被加工体の加工方法は、ガラス状カーボンからなる被加工体１０上にＨＳＱ膜２０を形成する工程と、ＨＳＱ膜２０を電子線描画し、その後ＨＳＱ膜２０を現像することにより、被加工体１０上に位置していてパターンを有するマスク膜２２を形成する工程と、マスク膜２２をマスクとして被加工体１０をドライエッチングすることにより、被加工体１０を加工する工程とを具備する。ＨＳＱは酸素プラズマにエッチングされ難い為、被加工体１０を加工する工程は、酸素を含むプラズマを用いてドライエッチングする工程であってもよい。 （もっと読む）

【課題】搬送ミスが少なくイオンビームによるエッチング処理時に被加工物の冷却を充分に行うことができるミリング装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ２０の外部にはロードロック扉４１が設けられており、ロードロック扉４１の開口部を、真空チャンバ２０を画成する壁部２０Ａに密着当接させて密閉することで、当該壁部２０Ａの部分とロードロック扉４１とでロードロック室４０を画成する。当該壁部２０Ａの部分には開口２０ａが形成されている。開口２０ａは真空チャンバ２０とロードロック室４０とを連通するように壁部２０Ａを貫通して形成されている。開口２０ａに基板保持端部６０Ａを挿入し、鍔部６５が開口２０ａを画成する壁部２０Ａの部分に密着当接することにより、真空チャンバ２０内とロードロック室４０内との連通が遮断される。 （もっと読む）