【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

【課題】低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマを用いて、環境負荷を低減し、かつ高速での被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした高密度プラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】動作ガスが導入されるチャンバ４２と、チャンバ内に配置されチャンバを貫通して移送される被処理ワイヤ４３と、チャンバ内に被処理ワイヤを取り囲むように配置され各誘電体で被覆された複数の導電体４４［４４Ａ〜４４Ｃ］と、複数の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、被処理ワイヤに負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを備える。そして、処理ワイヤ４３の周りで発生する、チャンバと被処理ワイヤとの間の直流放電と、被処理ワイヤと複数の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマで、被処理ワイヤ４４の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を高い平滑度で加工できる表面加工方法及び表面加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 （もっと読む）

【課題】 パターンの形状や寸法差や粗密差に関係なく、変換差を低減でき、しかもホール・ドットの形状差を低減できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 クロムを含む材料からなるクロム系薄膜を有する被処理体における前記薄膜を、レジストパターンをマスクとしてエッチングし、かつ、ハロゲン含有ガスと酸素含有ガスを含むドライエッチングガスに、プラズマ励起用パワーを投入してプラズマ励起させ、生成した化学種を用いて前記薄膜をエッチングする。前記薄膜のエッチングを、前記プラズマ励起用パワーとして、プラズマの密度ジャンプが起こるプラズマ励起用パワーよりも低いパワーを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】厚膜の大型基板を処理可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置は、処理対象物７とプラズマ生成装置１０の間に配置された補助電極２２を有している。補助電極２２は複数の個別電極２１ａ、２１ｂを有し、各個別電極２１ａ、２１ｂには同じ周波数で異なる位相の交流電圧が印加される。プラズマ生成装置１０で生成されたイオンは、補助電極２２に引き付けられ、補助電極に印加処理対象物７が誘電体材料で構成される場合であっても、高エネルギーのイオンが入射するので、エッチング速度は速い。 （もっと読む）

【課題】試料の焼損を防ぐことができるプラズマ処理法、ならびにこれを用いて焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を提供する。
【解決手段】電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入するプラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】チャンバ壁のエッチングや，チャンバ壁へのエッチング副産物の堆積を低減するようプラズマを閉じ込める。
【解決手段】第１に，チャンバ壁に対して約０．８インチ〜約１．５インチのギャップ距離を持つ環状プラズマ閉じ込めリングを配置する。第２に，頂部電極に供給される電圧をプラズマ処理中に電圧比で低減し、かつ頂部電極に供給された残りの電圧を逆相で基板支持体，又は基板に供給するインピーダンス閉じ込めスキームに依ってプラズマを閉じ込める。電圧比は、基板支持体および頂部電極を包囲する誘電体シールのインピーダンスを変化させることによって調整する。これにより，接地されたチャンバ壁に引き寄せられるプラズマの量を低減し、そのためプラズマの閉じ込めを改善する。プラズマ閉じ込めは、記載された環状リング、インピーダンス閉じ込めスキーム、または両方の組合せのいずれかを使用することによって改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 密着性の高い被膜を生成するべく、被処理面の変質や変形を防止しつつ当該被処理面を洗浄する。
【解決手段】 この表面処理装置１０は、真空槽１２を有している。この真空槽１２にガス管５８を介してアルゴンガスが導入され、カソード４０にカソード電力Ｅｃが供給されると、カソード４０から熱電子が放出される。この熱電子は、アノード電圧Ｖａが印加されたアノード４２に向かって加速され、アルゴンガス粒子に衝突する。これによって、プラズマが発生し、このプラズマ中のアルゴンイオンが被処理物３６の表面に照射され、当該表面が洗浄される。ここで、イオン照射により被処理物３６に流れる電流が５．６ｍＡ／ｃｍ^２以下となるように、アルゴンガスイオンの圧力、カソード電力Ｅｃ、アノード電圧Ｖａおよびカソードバイアス電圧Ｖｃｂを設定すれば、変質および変形を防止できる。 （もっと読む）

【課題】
均一にフォトマスクをエッチングする方法および装置が提供する。
【解決手段】
フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールドは、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）