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Fターム[4K057WB08]の内容

Fターム[4K057WB08]に分類される特許

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【課題】 有害物質であるクロメートを表面に施した金属材料のクロメートを除去する。
【解決手段】 表面にクロメート処理された金属材料のクロメートを迅速且つ選択的に抽出する方法であり、クロメートを抽出するための酸4と、収納するための容器2と、前記酸中の前記材料の表面に超音波を照射するための超音波発生装置1で構成される。酸は、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、ふっ酸、過塩素酸、過酸化水素の中から少なくとも1種からなりその濃度が0.001〜3mol/l更に好ましくは0.01〜1.5mol/lであることを特徴とする。また、超音波発生器の超音波周波数が20k〜35kHz、更に好ましくは20k〜30kHz程度であることを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層および導電性金属層がこの順序で積層された基材フィルムにおける該導電性金属層の表面に、感光性樹脂層を露光・現像して所望のマスキングパターンを形成し、該パターンをマスキング材として、主として導電性金属層を選択的にエッチングした後、該マスキング材を残したまま、露出した基材金属層を連続的にソフトエッチングして除去し、次いで形成された配線パターンを、還元性を有する有機化合物を含む水溶液で処理することを特徴としている。
【効果】導電性金属層を除去する際に、配線パターンの厚さを減少させることなく配線パターンを容易に製造することができ、マイグレーションの発生による絶縁抵抗の変動が少なく、信頼性の高いプリント配線基板を効率よく製造できる。 (もっと読む)


(a)高密度化二酸化炭素連続相と、(b)前記二酸化炭素連続相内の極性の不連続相と、(c)前記不連続相内の金属(すなわち、基板から除去される金属または基板に塗布すべき金属)と、(d)前記連続相、前記不連続相、または前記連続と前記不連続相の両方の中のリガンド少なくとも1種とを含み、基板から金属を除去するためまたは基板上に金属を塗布するために有用な組成物を記載する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、半導体基板及び層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、層間絶縁膜と略同一の高さを有するように膜を平坦化することにより、導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、埋め込まれた第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体製造工場などにおける金属エッチング工程などから発生する金属含有酸廃液から、金属を分離するとともに酸を高い収率で回収する。
【解決手段】 (A)拡散透析層で仕切られた拡散透析室1 (B)金属含有酸廃液を拡散透析層により隔てられた一方の側の拡散透析室に送るための供給手段3(C)拡散透析層により隔てられた他方の側の拡散透析室に水を補充するための水補充手段5(D)拡散透析室で処理された金属含有酸廃液を透析残液濃縮用蒸留塔に送るための供給手段7(E)拡散透析室における水を補充する側の底部から再生酸含有溶液を回収する手段11(F)透析残液濃縮用蒸留塔8(G)前記透析残液濃縮用蒸留塔から得られた蒸留水を水補充手段に供給するための供給手段9(H)前記透析残液濃縮用蒸留塔の底部から濃縮された金属を含む金属含有酸廃液を回収する手段10よりなることを特徴とする金属含有酸廃液の再生装置。 (もっと読む)


中実材料の放射率を増大させるシステム及び方法が開示される。ここでは、材料の表面は、まず、微視的レベルの欠陥を生成するように機械加工され、次いで、深い微視的粗さの表面形態を生成するようにエッチングされる。このようにして、これらの改質された材料が加熱要素に用いられるとき、より高い効率とより低いエネルギー消費を得ることができる。従って、このプロセスによって作製された加熱要素は、これらの改良された加熱要素が種々の加熱装置と共に用いられるとき、より低い温度で操作され、その結果、より長い寿命を得る。
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本発明は工具または部品から硬質材料層系を除去するための方法および装置であり、除去方法を改善するために、クロムおよびアルミニウムを含有する少なくとも1つの層が基材に直接被着され、該基材は強力な酸化剤を含むアルカリ溶液を用いて膜除去される。
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